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FGH20N60UFD 600V ， 20A场截止IGBT
九月
2008
FGH20N60UFD
600V ， 20A场截止IGBT
特点
高电流能力
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.8V @我
C
= 20A
高输入阻抗
快速开关
符合RoHS
tm
概述
使用新型场站IGBT技术，飞兆半导体的全新系列
的场截止IGBT的提供最佳性能的感应
暖气， UPS ， SMPS和PFC应用中的低传导
化和开关损耗是必不可少的。
应用
感应加热， UPS ， SMPS ， PFC
E
C
G
C
G
集热器
（法兰）
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
=
25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100 C
o
评级
600
±
20
40
20
60
165
66
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
W
W
o
C
o
o
C
C
注意事项：
1 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.76
2.51
40
单位
o
o
o
C / W
C / W
C / W
2008飞兆半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGH20N60UFD版本A
FGH20N60UFD 600V ， 20A场截止IGBT
包装标志和订购信息
器件标识
FGH20N60UFD
设备
FGH20N60UFDTU
包
TO-247
包装
TYPE
管
最大数量
每管数量
30ea
每盒
-
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
ΔBV
CES
T
J
I
CES
I
GES
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极到发射极击穿电压V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
250
±400
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
I
C
= 20A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 20A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 125
o
C
4.0
-
-
5.0
1.8
2.0
6.5
2.4
-
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
940
110
40
-
-
-
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
V
CE
= 400V ，我
C
= 20A,
V
GE
= 15V
V
CC
= 400V ，我
C
= 20A,
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125
o
C
V
CC
= 400V ，我
C
= 20A,
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
17
87
32
0.38
0.26
0.64
13
16
92
63
0.41
0.36
0.77
63
7
32
-
-
-
64
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
FGH20N60UFD版本A
2
www.fairchildsemi.com
FGH20N60UFD 600V ， 20A场截止IGBT
二极管的电气特性
符号
V
FM
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
二极管的正向电压
I
F
= 10A
测试条件
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
I
ES
= 10A ，二
ES
/ DT = 200A / μs的
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
1.9
1.7
34
57
41
96
最大
2.5
-
-
-
-
-
单位
V
二极管的反向恢复时间
ns
二极管的反向恢复电荷
nC
FGH20N60UFD版本A
3
www.fairchildsemi.com
FGH20N60UFD 600V ， 20A场截止IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
60
T
C
= 25 C
o
图2.典型的输出特性
60
T
C
= 125 C
o
20V
15V
12V
20V
15V
12V
10V
集电极电流，I
C
[A]
40
集电极电流，I
C
[A]
10V
40
20
V
GE
= 8V
20
V
GE
= 8V
0
0.0
1.5
3.0
4.5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6.0
0
0.0
1.5
3.0
4.5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6.0
图3.典型的饱和电压
特征
60
共发射极
V
GE
= 15V
图4.传输特性
60
共发射极
V
CE
= 20V
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
T
C
= 25 C
o
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
40
T
C
= 125 C
o
40
20
20
0
0
1
2
3
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
4
0
4
6
8
10
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
12
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
3.2
共发射极
V
GE
= 15V
图6.饱和电压与V
GE
20
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
T
C
= -40 C
o
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
2.8
40A
16
2.4
2.0
20A
12
8
40A
1.6
1.2
0.8
25
I
C
= 10A
4
20A
I
C
= 10A
50
75
100
125
o
集电极 - EmitterCase温度，T
C
[ C]
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
FGH20N60UFD版本A
4
www.fairchildsemi.com
FGH20N60UFD 600V ， 20A场截止IGBT
典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
20
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
T
C
= 25 C
o
图8.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 125 C
o
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
16
12
12
8
40A
8
20A
4
20A
I
C
= 10A
4
I
C
= 10A
40A
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
图9.电容特性
2500
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
图10.栅极电荷特性
15
共发射极
o
2000
电容[ pF的]
T
C
= 25 C
o
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
T
C
= 25 C
12
300V
200V
1500
C
IES
9
V
CC
= 100V
1000
C
OES
6
500
C
水库
3
0
0.1
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
30
0
0
20
40
60
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
80
图11. SOA特征
100
10
s
100
s
1ms
10毫秒
图12.导通特性上与
栅极电阻
100
集电极电流，I
c
[A]
10
开关时间[ NS ]
1
DC
t
r
0.1
单非重复性
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
t
D（上）
10
共发射极
V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
I
C
= 20A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
0.01
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
1000
5
0
10
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
]
50
60
FGH20N60UFD版本A
5
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