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FGD4536
—
360 V PDP沟道IGBT
2013年9月
FGD4536
360 V PDP沟道IGBT
特点
高电流能力
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.59 V @ I
C
= 50 A
高输入阻抗
快速开关
符合RoHS
概述
采用新颖的沟道型IGBT技术，飞兆半导体的新型系列
沟道IGBT提供最佳性能的消费者
家电和PDP TV应用中的低导通和
开关损耗是必不可少的。
应用
等离子电视，家电产品
C
G
E
TO-252/D-PAK
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
-C脉冲（ 1 ） *
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
评级
360
30
220
125
50
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
W
W
o
C
o
C
o
C
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJA
注意事项：
（ 1 ）半正弦波，D < 0.01 ，时脉宽度< 1
美国证券交易委员会
* Ic_pluse由TJ最大限制
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
-
-
马克斯。
1.0
62.5
单位
o
C / W
o
C / W
2011仙童半导体公司
FGD4536牧师C1
1
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FGD4536
—
360 V PDP沟道IGBT
包装标志和订购信息
器件标识
FGD4536
FGD4536
设备
FGD4536TM
FGD4536TM_F065
包
TO252(D-PAK)
TO252(D-PAK)
带尺寸
380 mm
380 mm
胶带宽度
16 mm
16 mm
QUANTITY
-
-
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
ΔBV
CES
T
J
I
CES
I
GES
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极到发射极击穿电压V
GE
= 0V时，我
C
= 250
A
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250
A
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0 V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0 V
360
-
-
-
-
0.4
-
-
-
-
100
±400
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GE （日）
G- ê阈值电压
I
C
= 250
A,
V
CE
= V
GE
I
C
= 20 A
,
V
GE
= 15 V
V
CE （ SAT ）
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 30 A
,
V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A
,
V
GE
= 15 V,
T
C
= 25
o
C
I
C
= 50 A
,
V
GE
= 15 V,
T
C
= 125
o
C
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30 V
,
V
GE
= 0 V,
F = 1 MHz的
-
-
-
1295
56
43
-
-
-
pF
pF
pF
2.4
-
-
-
-
3.3
1.19
1.33
1.59
1.66
4.0
-
-
1.8
-
V
V
V
V
V
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
V
CE
= 200 V
,
I
C
= 20 A,
V
GE
= 15 V
V
CC
= 200 V，I
C
= 20 A,
R
G
= 5
,
V
GE
= 15 V,
阻性负载，T
C
= 125
o
C
V
CC
= 200 V，I
C
= 20 A,
R
G
= 5
,
V
GE
= 15 V,
阻性负载，T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
20
41
182
5
21
43
249
47
5.4
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
2011仙童半导体公司
FGD4536牧师C1
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FGD4536
—
360 V PDP沟道IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.典型的饱和电压
特征
图4.传输特性
图5.饱和电压与V
GE
图6.饱和电压与V
GE
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360 V PDP沟道IGBT
典型性能特性
图7.饱和电压与案例
温度变电流等级
图8.电容特性
图9.栅极电荷特性
图10. SOA特征
Fgure 11.开启式特点与
栅极电阻
图12.关断特性对比
栅极电阻
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360 V PDP沟道IGBT
典型性能特性
图13.导通特性上的VS.
集电极电流
图14.关断特性对比
集电极电流
图15.开关损耗VS.栅极电阻
图16.开关损耗VS.集电极电流
图17.关闭开关SOA特征
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