FGA30N60LSD
2008年10月
FGA30N60LSD
特点
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.1V @我
C
= 30A
高输入阻抗
低传导损耗
tm
概述
该FGA30N60LSD是MOS门控高压开关
设备相结合的MOSFET和双极性的最佳功能
transistors.This装置具有一个高输入阻抗
MOSFET和双极性的低导通状态的导通损耗
晶体管。
应用
太阳能逆变器
UPS ，电焊机
C
G
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
FSM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
非重复性峰值浪涌电流
60Hz单半正弦波
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
FGA30N60LSD
600
±
20
60
30
90
150
480
192
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.26
0.92
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2008飞兆半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGA30N60LSD版本A
FGA30N60LSD
二极管的电气特性
参数
V
FM
I
RM
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
I
F
= 15A
I
F
= 15A
V
R
= 600V
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的，V
CC
= 30V
I
F
= 15A ，的di / dt = 100A / μs的，V
CC
= 390V
I
F
= 15A ，的di / dt = 100A / μs的，V
CC
= 390V
T
C
= 25 ° C除非另有说明
条件
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1.8
1.6
-
-
-
18
13
27.5
最大
2.2
-
100
35
40
-
-
-
单位
V
V
A
ns
ns
ns
ns
nC
3
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FGA30N60LSD
典型性能特性
图7.饱和电压与VGE
20
集电极 - 发射极电压，V
CE
[
V
]
共发射极
T
C
= 125 C
o
（续）
图8.电容特性
13000
10000
C
IES
16
电容[ pF的]
12
C
OES
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25 C
o
1000
C
水库
8
30A 60A
4
I
C
= 15A
100
50
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
30
图9.栅极电荷特性
15
共发射极
I
C
= 30A
图10. SOA Characteeristics
300
I
c
最大值（脉冲的）
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
集电极电流，I
c
[A]
o
12
T
C
= 25 C
100
V
cc
= 100V
300V
200V
50
s
I
c
MAX（连续）
100
s
9
10
1ms
6
1
单非重复性
o
3
脉冲吨
C
= 25 C
曲线必须降低
线性增长
温度
直流操作
0
0
50
100
150
200
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
250
0.1
0.1
1
10
100
1000
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图11.负载电流比。频率
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.1
占空比： 50 ％
o
T
c
= 100
C
鲍威消耗= 192W
V
cc
= 400V
负载电流：方波的峰值
图12.导通特性上与
栅极电阻
200
100
开关时间[ NS ]
负载电流[ A]
t
r
t
D（上）
共发射极
V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
I
C
= 30A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
1
10
100
频率[千赫]
1000
10
0
10
20
30
40
50
栅极电阻，R
G
[
]
5
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