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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第96页 > FGA25S125P
FGA25S125P负极短路
TM
IGBT
2012年11月
FGA25S125P
阳极短路
TM
IGBT
特点
高开关速度
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.8V @我
C
= 25A
高输入阻抗
符合RoHS
概述
采用先进的场截止沟道和负极短路
技术，飞兆半导体的阳极短路
TM
沟道IGBT报价
卓越的传导和开关性能，且易于
并行操作与出色的雪崩能力。这
装置desingned感应加热和微波炉。
应用
感应加热及微波炉
软开关应用
C
G
TO-3PN
将Ce
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
@ T
C
=
25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
等级
1250
±
25
50
25
75
50
25
250
125
-55到+175
-55到+175
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
o
C
o
C
o
C
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJA
注意事项：
1 ：限制由TJMAX
参数
热阻，结到管壳，最大
热阻，结到环境，最大
典型值。
-
-
马克斯。
0.6
40
单位
o
C / W
o
C / W
2012仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGA25S125P版本C0
FGA25S125P负极短路
TM
IGBT
包装标志和订购信息
器件标识
FGA25S125P
设备
FGA25S125P
包
TO-3PN
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
30
IGBT的电气特性
符号
开关特性
I
CES
I
GES
集电极截止电流
G- ê漏电流
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
CE
= 1250V, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
-
-
-
-
1
±500
mA
nA
基本特征
V
GE （日）
G- ê阈值电压
I
C
= 25毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 25A
,
V
GE
= 15V
T
C
= 25
o
C
V
CE （ SAT ）
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 25A
,
V
GE
= 15V
T
C
= 125
o
C
I
C
= 25A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 175
o
C
I
F
= 25A
,
T
C
= 25
o
C
V
FM
二极管的正向电压
I
F
= 25A
,
T
C
= 175 C
o
4.5
-
-
-
-
-
6.0
1.8
2.05
2.16
1.7
2.1
7.5
2.35
-
-
2.4
-
V
V
V
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
2150
48
36
-
-
-
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
V
CE
= 600V ，我
C
= 25A,
V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 25A,
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
阻性负载,,牛逼
C
= 175
o
C
V
CC
= 600V ，我
C
= 25A,
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
阻性负载，T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
24
250
502
138
1085
580
1665
21.2
304
490
232
1310
952
2262
204
15
103
-
-
-
179
-
754
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
nC
nC
nC
FGA25S125P版本C0
2
www.fairchildsemi.com
FGA25S125P负极短路
TM
IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
200
T
C
= 25 C
o
图2.典型的输出特性
200
T
C
= 175 C
o
20V
15V
20V
17V
15V
集电极电流IC [ A]
120
12V
集电极电流，I
C
[A]
160
V
GE
=17V
160
120
12V
80
10V
9V
8V
7V
80
10V
40
40
V
GE
= 7V
9V
8V
0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
10.0
0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
10.0
图3.典型的饱和电压
特征
200
共发射极
V
GE
= 15V
图4.传输特性
100
共发射极
V
CE
= 20V
集电极电流，I
C
[A]
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C ---
o
集电极电流，I
C
[A]
160
o
80
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
120
60
80
40
40
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6.0
0
0
3
6
9
12
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
15
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
3.5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
共发射极
V
GE
= 15V
图6.饱和电压与V
GE
20
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
T
C
= 25 C
o
3.0
50A
15
2.5
10
25A
I
C
= 12.5A
50A
2.0
25A
1.5
5
I
C
= 12.5A
1.0
25
50
75
100
125
150
175
o
集电极 - EmitterCase温度，T
C
[ C]
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
FGA25S125P版本C0
3
www.fairchildsemi.com
FGA25S125P负极短路
TM
IGBT
典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 175 C
o
图8.电容特性
5000
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
C
IES
12
I
C
= 25A
8
12.5A
50A
电容[ pF的]
1000
100
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25 C
o
C
OES
C
水库
4
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
10
1
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
30
图9.栅极电荷特性
15
共发射极
o
图10. SOA特征
100
10
s
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
T
C
= 25 C
集电极电流，I
c
[A]
12
100
s
V
CC
= 200V
600V
400V
10
1ms
10ms
DC
9
1
6
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
o
3
0
0
30
60
90
120 150
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
180
210
0.01
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
1000
图11.导通特性上与
栅极电阻
1000
t
D（关闭）
图12.关断特性对比
栅极电阻
10000
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
t
D（关闭）
1000
100
t
f
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
I
C
= 25A
T
C
= 25 C
o
o
100
t
f
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
I
C
= 25A
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
10
10
T
C
= 175 C
20
30
40
50
栅极电阻，R
G
[
]
60
70
10
10
20
30
40
50
栅极电阻，R
G
[
]
60
70
FGA25S125P版本C0
4
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FGA25S125P负极短路
TM
IGBT
典型性能特性
图13.导通特性上的VS.
集电极电流
1000
图14.关断特性对比
集电极电流
1000
t
D（关闭）
t
r
开关时间[ NS ]
100
开关时间[ NS ]
t
f
t
D（上）
10
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
100
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
1
10
20
30
40
50
40
10
集电极电流，I
C
[A]
20
30
40
集电极电流，I
C
[A]
50
图15.开关损耗与
栅极电阻
5000
图16.开关损耗与
集电极电流
10000
E
on
开关损耗[ UJ ]
1000
E
关闭
开关损耗[ UJ ]
E
on
1000
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
I
C
= 25A
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
E
关闭
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
100
10
20
30
40
50
栅极电阻，R
G
[
]
60
70
100
10
20
30
40
集电极电流，I
C
[A]
50
图17.关闭开关
SOA特性
100
图18.正向特性
100
集电极电流，I
C
[A]
正向电流I
F
[A]
10
10
1
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
安全工作区
V
GE
= 15V ，T
C
= 175 C
o
1
1
10
100
1000
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
0.1
0
1
2
3
正向电压，V
F
[V]
4
FGA25S125P版本C0
5
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推荐型号
FM27C010N120
FC0.7-4-05TT
FU-68SDF-V02M21F
FX5-68P-SH3
F980G226MMA
FM24C128FMW8X
FYD-3921AX
FCN-214J080
FQAF15N70
FSPL134R4
FR1V
FARM1CN1
FD600A2E
FSB50250
FL3.3-132264
FTR-K1CK005T-LA
FDB7042L
FDC6000NZ
FM4751W
FF300R12MS4
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
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    FGA25S125P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：0755*83682918
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FGA25S125P
FAIRCHILD/仙童
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16888
TO-247
原厂原装现货，欢迎查询！
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FGA25S125P
Fairchild(飞兆/仙童)
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18000
N/A
只做原装 正品现货
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2024
20918
TO-3P
原装现货上海库存，欢迎咨询
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4300
TO-3P
全新原装正品/质量有保证
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联系人：陈泽强
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联系人：朱
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9634
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10000
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FGA25S125P
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