FGA20S120M 1200V ， 20A短路阳极IGBT
2010年3月
FGA20S120M
1200V ， 20A短路阳极IGBT
特点
高开关速度
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.55V @我
C
= 20A
高输入阻抗
符合RoHS
tm
概述
采用先进的场截止沟槽和短路阳极技
术，飞兆半导体的1200V短路阳极沟道IGBT提供supe-
rior传导和开关性能，且易于并行
操作与出色的雪崩能力。该装置是
专为感应加热Microvewave烤箱。
应用
感应加热和Microvewave烤箱
软开关应用
C
G
TO-3PN
克碳ê
E
绝对最大额定值
T
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
F
P
D
T
J
T
英镑
T
L
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
C
= 25 ° C除非另有说明
描述
评级
1200
±25
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
40
20
60
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
40
20
348
174
-55到+175
-55到+175
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
o
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
C
C
o
o
C
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
注意事项：
1 ：限制由TJMAX
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.43
0.43
40
单位
o
C / W
C / W
o
o
C / W
2010仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGA20S120M版本A
FGA20S120M 1200V ， 20A短路阳极IGBT
包装标志和订购信息
器件标识
FGA20S120M
设备
FGA20S120M
包
TO-3PN
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
30
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
I
CES
I
GES
集电极到发射极击穿电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
= 0V时，我
C
= 2毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
1200
-
-
-
-
-
-
1
±250
V
mA
nA
基本特征
V
GE （日）
G- ê阈值电压
I
C
= 20mA时， V
CE
= V
GE
I
C
= 20A
,
V
GE
= 15V
V
CE （ SAT ）
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 20A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 125
o
C
I
C
= 20A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 175
o
C
V
FM
二极管的正向电压
I
F
= 20A ，T
C
= 25
o
C
I
F
= 20A ，T
C
= 175
o
C
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
2680
53
43
--
--
--
pF
pF
pF
4.5
-
-
-
--
--
6.0
1.55
1.75
1.85
1.7
2.1
7.5
1.85
-
-
2.2
-
V
V
V
V
V
V
开关Characcteristics
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
V
CE
= 600V ，我
C
= 20A,
V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 20A,
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
阻性负载，T
C
= 175
o
C
V
CC
= 600V ，我
C
= 20A,
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
阻性负载，T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
43
176
310
320
0.52
1.43
1.95
41
260
345
520
0.78
1.97
2.75
210
18
119
-
-
-
480
-
2.145
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
FGA20S120M版本A
2
www.fairchildsemi.com
FGA20S120M 1200V ， 20A短路阳极IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
140
120
集电极电流，I
C
[A]
T
C
= 25 C
o
图2.典型的输出特性
140
T
C
= 175 C
o
20V
17V
15V
20V
17V
15V
120
集电极电流，I
C
[A]
100
80
60
40
V
GE
= 6V
7V
10V
9V
8V
12V
100
80
12V
60
40
20
0
0.0
V
GE
= 6V
7V
10V
9V
8V
20
0
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
9.0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
9.0
图3.典型的饱和电压
特征
140
120
集电极电流，I
C
[A]
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25 C
o
图4.传输特性
140
120
集电极电流，I
C
[A]
共发射极
V
CE
= 20V
T
C
= 25 C
o
100
T
C
= 175 C
o
100
80
60
40
20
0
0
T
C
= 175 C
o
80
60
40
20
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
0
3
6
9
12
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
15
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图6.饱和电压与V
GE
20
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
T
C
= 25 C
o
3.0
共发射极
V
GE
= 15V
2.5
40A
16
12
2.0
20A
8
20A
1.5
10A
4
I
C
= 10A
40A
1.0
25
50
75
100
125
150
o
外壳温度，T
C
[ C]
175
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
FGA20S120M版本A
3
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FGA20S120M 1200V ， 20A短路阳极IGBT
典型性能特性
图7. Saturtio电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 175 C
o
图8.电容特性
6000
C
IES
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25 C
o
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
电容[ pF的]
4000
12
C
OES
8
20A
40A
2000
C
水库
4
I
C
= 10A
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
30
图9.栅极电荷特性
15
共发射极
T
C
= 25 C
o
图10. SOA特征
100
10
s
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
集电极电流，I
c
[A]
12
V
CC
= 200V
600V
10
100
s
9
400V
1ms
1
10毫秒
DC
6
0.1
3
单非重复性
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0
0
30
60
90
120 150
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
180
210
0.01
1
10
100
1000 2000
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图11.导通特性上与
栅极电阻
200
图12.关断特性对比
栅极电阻
3000
t
r
t
D（关闭）
1000
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
t
f
100
t
D（上）
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
I
C
= 20A
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
100
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
I
C
= 20A
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
10
0
10
20
30
40
50
栅极电阻，R
G
[
]
60
70
0
10
20
30
40
50
60
70
栅极电阻，R
G
[
]
FGA20S120M版本A
4
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FGA20S120M 1200V ， 20A短路阳极IGBT
典型性能特性
图13.导通特性上的VS.
集电极电流
3000
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
C
= 25 C
o
o
图14.关断特性对比
集电极电流
1000
800
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
C
= 25 C
o
o
1000
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
T
C
= 175 C
t
r
600
T
C
= 175 C
100
t
D（上）
400
t
D（关闭）
t
f
10
10
20
30
40
50
200
10
20
30
40
50
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图15.开关损耗与
栅极电阻
5000
E
关闭
图16.开关损耗与
集电极电流
5000
E
关闭
开关损耗[
J]
开关损耗[
J]
1000
E
on
1000
E
on
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
I
C
= 20A
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
共发射极
VGE = 15V ， RG = 10W
o
TC = 25℃
o
TC = 175℃
100
0
10
20
30
40
50
栅极电阻，R
G
[
]
60
70
100
10
20
30
40
集电极电流，I
C
[A]
50
图17.关断开关SOA特征
收藏家Currrent
100
图18.正向特性
30
10
集电极电流，I
C
[A]
正向电流I
F
[A]
T
J
= 25 C
o
T
J
= 175 C
o
10
1
安全工作区
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
1
1
V
GE
= 15V ，T
C
= 175 C
o
10
100
1000
0.1
0.0
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
0.5
1.0
1.5
正向电压，V
F
[V]
2.0
FGA20S120M版本A
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