FGA180N33AT 330V ， 180A PDP沟道IGBT
2008年4月
FGA180N33AT
330V ， 180A PDP沟道IGBT
特点
高电流能力
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.03V @我
C
= 40A
高输入阻抗
符合RoHS
tm
概述
采用新颖的沟道型IGBT技术，飞兆半导体的新型系列
沟道IGBT提供最佳性能的PDP的应用
系统蒸发散需要低导通和开关损耗是必不可少的。
应用
PDP系统
C
G
TO-3P
将Ce
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
-C脉冲（ 1 ）
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
=
25
o
C
评级
330
±
30
180
450
390
156
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
W
W
o
C
o
o
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100 C
o
C
C
注意事项：
1 ：重复测试，脉冲宽度= 100usec ，占空比= 0.1
* I
C_
脉搏由TJ最大限制
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
-
-
马克斯。
0.32
40
单位
o
o
C / W
C / W
2008飞兆半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGA180N33AT版本A
FGA180N33AT 330V ， 180A PDP沟道IGBT
包装标志和订购信息
包装
器件标识
FGA180N33AT
设备
FGA180N33ATTU
包
TO-3P
TYPE
管
每管数量
30ea
最大数量每
箱
-
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
I
CES
I
GES
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极到发射极击穿电压V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
330
-
-
-
-
-
-
250
±400
V
A
nA
基本特征
V
GE （日）
G- ê阈值电压
I
C
= 250uA ，V
CE
= V
GE
I
C
= 40A
,
V
GE
= 15V
V
CE （ SAT ）
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 180A
,
V
GE
= 15V,
I
C
= 180A
,
V
GE
= 15V
T
C
= 125
o
C
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
3880
305
180
-
-
-
pF
pF
pF
2.5
-
-
-
4.0
1.1
1.68
1.89
5.5
1.4
-
V
V
V
V
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
V
CE
= 200V ，我
C
= 40A,
V
GE
= 15V
V
CC
= 200V ，我
C
= 40A,
R
G
= 5, V
GE
= 15V,
阻性负载，T
C
= 125
o
C
V
CC
= 200V ，我
C
= 40A,
R
G
= 5, V
GE
= 15V,
阻性负载，T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
27
80
108
180
26
75
112
250
169
22
69
-
-
-
240
-
-
-
300
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
FGA180N33AT版本A
2
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FGA180N33AT 330V ， 180A PDP沟道IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
200
T
C
= 25 C
20V
o
图2.典型的输出特性
200
T
C
= 125 C
o
10V
10V
9V
8V
集电极电流，I
C
[A]
150
15V
12V
集电极电流，I
C
[A]
9V
8V
20V
150
15V
12V
100
7V
100
7V
50
V
GE
= 6V
50
V
GE
= 6V
0
0
2
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
0
0
2
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
图3.典型的饱和电压
特征
200
共发射极
V
GE
= 15V
图4.传输特性
200
共发射极
V
CE
= 20V
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
150
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
T
C
= 25 C
o
150
T = 125
o
C
C
100
100
50
50
0
0
1
2
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
3
0
2
4
6
8
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
10
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
2.1
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
共发射极
V
GE
= 15V
图6.饱和电压与V
GE
20
共发射极
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
1.8
180A
T
C
= 25 C
o
16
1.5
90A
12
1.2
40A
8
180A
90A
40A
I
C
= 20A
0.9
I
C
= 20A
4
0.6
25
50
75
100
125
150
o
集电极 - EmitterCase温度，T
C
[
C
]
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
FGA180N33AT版本A
3
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FGA180N33AT 330V ， 180A PDP沟道IGBT
典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 125 C
o
图8.电容特性
6000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
C
IES
T
C
= 25 C
o
集电极 - 发射极电压，V
CE
[
V
]
16
电容[ pF的]
4000
12
8
180A
40A
90A
2000
C
OES
C
水库
4
I
C
= 20A
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
0
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
30
图9.栅极电荷特性
15
共发射极
o
图10. SOA特征
1000
I
C
MAX （ PULSE）
10
s
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
T
C
= 25 C
集电极电流，I
c
[A]
12
V
CC
= 100V
200V
100
100
s
1ms
10ms
9
10
I
C
MAX（连续）
直流操作
6
1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
3
0
0
30
60
90
120
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
150
180
0.1
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
1000
图11.导通特性上与
栅极电阻
500
图12.关断特性对比
栅极电阻
5000
共发射极
V
CC
= 200V, V
GE
= 15V
I
C
= 40A
o
T
C
= 25 C
o
T
C
= 125 C
t
D（关闭）
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
100
t
r
1000
t
D（上）
共发射极
V
CC
= 200V, V
GE
= 15V
I
C
= 40A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
t
f
10
0
20
40
60
80
栅极电阻，R
G
[
]
100
100
70
0
20
40
60
80
栅极电阻，R
G
[
]
100
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4
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FGA180N33AT 330V ， 180A PDP沟道IGBT
典型性能特性
图13.导通特性上的VS.
集电极电流
2000
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 5
o
T
C
= 25 C
o
T
C
= 125 C
图14.关断特性对比
集电极电流
1000
1000
开关时间[ NS ]
t
f
开关时间[ NS ]
100
t
D（关闭）
t
r
t
D（上）
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 5
o
T
C
= 25 C
o
T
C
= 125 C
100
10
30
60
90
120
集电极电流，I
C
[A]
150
180
1
10
30
60
90
120
150
集电极电流，I
C
[A]
180
图15.关闭开关SOA特征
500
集电极电流，I
C
[A]
100
10
安全工作区
1
1
V
GE
= 15V ，T
C
= 125 C
o
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
400
FGA180N33AT版本A
5
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