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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第76页 > FGA15N120AND
FGA15N120AND
IGBT
FGA15N120AND
概述
采用NPT技术，飞兆半导体和系列
的IGBT提供低传导损耗和开关损耗。该
与系列提供解决方案的应用，如
感应加热（IH ） ，电机控制，通用
逆变器和不间断电源（ UPS ） 。
特点
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.4 V @ I
C
= 15A
高输入阻抗
CO- PAK ， IGBT与FRD ：吨
rr
= 210ns （典型值）。
应用
感应加热， UPS ， AC & DC电机控制和通用变频器。
C
G
TO-3P
克碳ê
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
FGA15N120AND
1200
±
20
24
15
45
15
45
200
80
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.63
2.88
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2003仙童半导体公司
FGA15N120AND版本A
FGA15N120AND
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 3毫安
V
GE
= 0V时，我
C
= 3毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
1200
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
3
± 100
V
V /°C的
mA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 15毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 15A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 125°C
I
C
= 24A
,
V
GE
= 15V
3.5
--
--
--
5.5
2.4
2.9
3.0
7.5
3.2
--
--
V
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
1150
120
56
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
90
70
310
60
3.27
0.6
3.68
80
60
310
50
3.41
0.84
4.25
120
9
63
14
--
--
--
120
4.9
0.9
5.8
--
--
--
--
--
--
--
180
14
95
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
nH
V
CC
= 600 V，I
C
= 15A,
R
G
= 20, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 600 V，I
C
= 15A,
R
G
= 20, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
V
CE
= 600 V，I
C
= 15A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
T
C
= 25°C
I
F
= 15A
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
I
F
= 15A
的di / dt = 200 A / μs的
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
1.7
1.8
210
280
27
31
2835
4340
马克斯。
2.7
--
330
--
40
--
6600
--
单位
V
ns
A
nC
2003仙童半导体公司
FGA15N120AND版本A
FGA15N120AND
120
T
C
= 25℃
100
20V
17V
15V
12V
80
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
集电极电流，I
C
[A]
80
60
V
GE
= 10V
40
集电极电流，I
C
[A]
10
60
40
20
20
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压特性
4.0
共发射极
V
GE
= 15V
30
VCC = 600V
负载电流：方波的峰值
24A
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
3.5
3.0
I
C
= 15A
负载电流[ A]
20
10
2.5
2.0
25
50
75
100
125
占空比： 50 ％
TC = 100 ℃
鲍威消耗= 40W
0
0.1
1
10
100
1000
外壳温度，T
C
[
℃
]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
20
共发射极
T
C
= 125℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
12
12
8
8
4
I
C
= 7.5A
0
0
4
8
24A
15A
24A
4
15A
I
C
= 7.5A
0
0
4
8
12
16
20
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2003仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
FGA15N120AND版本A
FGA15N120AND
2500
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
西塞
1500
2000
100
TD （上）
开关时间[ NS ]
电容[ pF的]
tr
1000
科斯
500
CRSS
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 15A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
10
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.导通特性与门
阻力
1000
开关损耗[兆焦耳]
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 15A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
10
TD （关闭）
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 15A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
宙
100
tf
1
EOFF
10
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
70
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 20
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 20
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
TD （关闭）
开关时间[ NS ]
100
TD （上）
开关时间[ NS ]
100
tf
tr
5
10
15
20
25
30
5
10
15
20
25
30
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2003仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
FGA15N120AND版本A
FGA15N120AND
16
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 20
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
14
宙
共发射极
R
L
= 40
T
C
= 25℃
600V
400V
8
6
4
2
0
5
10
15
20
25
30
0
20
40
60
80
100
120
VCC = 200V
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
10
12
10
开关损耗[兆焦耳]
1
EOFF
0.1
集电极电流，I
C
[A]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
100
100
IC MAX （脉冲）
IC MAX（连续）
50
s
集电极电流IC [ A]
10
1ms
直流操作
1
集电极电流，I
C
[A]
100
s
10
单非重复性
0.1
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0.1
1
10
100
1000
o
0.01
1
1
10
安全工作区
V
GE
= 15V ，T
C
= 125℃
100
1000
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.关断SOA
10
热响应[ Zthjc ]
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
1E-3
1E-5
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
IGBT图17.瞬态热阻抗
2003仙童半导体公司
FGA15N120AND版本A
FGA15N120AND
IGBT
FGA15N120AND
概述
采用NPT技术，飞兆半导体和系列
的IGBT提供低传导损耗和开关损耗。该
与系列提供解决方案的应用，如
感应加热（IH ） ，电机控制，通用
逆变器和不间断电源（ UPS ） 。
特点
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.4 V @ I
C
= 15A
高输入阻抗
CO- PAK ， IGBT与FRD ：吨
rr
= 210ns （典型值）。
应用
感应加热， UPS ， AC & DC电机控制和通用变频器。
C
G
TO-3P
克碳ê
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
FGA15N120AND
1200
±
20
24
15
45
15
45
200
80
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.63
2.88
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2003仙童半导体公司
FGA15N120AND版本A
FGA15N120AND
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 3毫安
V
GE
= 0V时，我
C
= 3毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
1200
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
3
± 100
V
V /°C的
mA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 15毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 15A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 125°C
I
C
= 24A
,
V
GE
= 15V
3.5
--
--
--
5.5
2.4
2.9
3.0
7.5
3.2
--
--
V
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
1150
120
56
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
90
70
310
60
3.27
0.6
3.68
80
60
310
50
3.41
0.84
4.25
120
9
63
14
--
--
--
120
4.9
0.9
5.8
--
--
--
--
--
--
--
180
14
95
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
nH
V
CC
= 600 V，I
C
= 15A,
R
G
= 20, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 600 V，I
C
= 15A,
R
G
= 20, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
V
CE
= 600 V，I
C
= 15A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
T
C
= 25°C
I
F
= 15A
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
I
F
= 15A
的di / dt = 200 A / μs的
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
1.7
1.8
210
280
27
31
2835
4340
马克斯。
2.7
--
330
--
40
--
6600
--
单位
V
ns
A
nC
2003仙童半导体公司
FGA15N120AND版本A
FGA15N120AND
120
T
C
= 25℃
100
20V
17V
15V
12V
80
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
集电极电流，I
C
[A]
80
60
V
GE
= 10V
40
集电极电流，I
C
[A]
10
60
40
20
20
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压特性
4.0
共发射极
V
GE
= 15V
30
VCC = 600V
负载电流：方波的峰值
24A
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
3.5
3.0
I
C
= 15A
负载电流[ A]
20
10
2.5
2.0
25
50
75
100
125
占空比： 50 ％
TC = 100 ℃
鲍威消耗= 40W
0
0.1
1
10
100
1000
外壳温度，T
C
[
℃
]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
20
共发射极
T
C
= 125℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
12
12
8
8
4
I
C
= 7.5A
0
0
4
8
24A
15A
24A
4
15A
I
C
= 7.5A
0
0
4
8
12
16
20
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
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图6.饱和电压与V
GE
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FGA15N120AND
2500
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
西塞
1500
2000
100
TD （上）
开关时间[ NS ]
电容[ pF的]
tr
1000
科斯
500
CRSS
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 15A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
10
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.导通特性与门
阻力
1000
开关损耗[兆焦耳]
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 15A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
10
TD （关闭）
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 15A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
宙
100
tf
1
EOFF
10
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
70
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 20
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 20
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
TD （关闭）
开关时间[ NS ]
100
TD （上）
开关时间[ NS ]
100
tf
tr
5
10
15
20
25
30
5
10
15
20
25
30
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
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图12.关断特性对比
集电极电流
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FGA15N120AND
16
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 20
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
14
宙
共发射极
R
L
= 40
T
C
= 25℃
600V
400V
8
6
4
2
0
5
10
15
20
25
30
0
20
40
60
80
100
120
VCC = 200V
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
10
12
10
开关损耗[兆焦耳]
1
EOFF
0.1
集电极电流，I
C
[A]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
100
100
IC MAX （脉冲）
IC MAX（连续）
50
s
集电极电流IC [ A]
10
1ms
直流操作
1
集电极电流，I
C
[A]
100
s
10
单非重复性
0.1
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0.1
1
10
100
1000
o
0.01
1
1
10
安全工作区
V
GE
= 15V ，T
C
= 125℃
100
1000
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.关断SOA
10
热响应[ Zthjc ]
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
1E-3
1E-5
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
IGBT图17.瞬态热阻抗
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