【RFG50N06LE ， RFP50N06LE ， RF1S50N06LESM数据表1999年10月】,IC型号FG50N06L,FG50N06L PDF资料,FG50N06L经销商,ic,电子元器件-51电子网

RFG50N06LE ， RFP50N06LE ， RF1S50N06LESM

数据表

1999年10月

网络文件编号

4072.3

50A ， 60V ， 0.022欧姆，逻辑电平

N沟道功率MOSFET

这些N沟道增强型功率MOSFET

采用最新的制造工序制造

技术。该方法中，其中使用特征尺寸

接近LSI电路，给出了最佳利用

硅，保证了出色的性能。他们是

在应用中，如开关，设计用于

稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器

驱动程序。这些晶体管可以直接从被操作

集成电路。

以前发育类型TA49164 。

特点

50A ， 60V

r

DS （ ON）

= 0.022

温度补偿PSPICE

模型

峰值电流与脉冲宽度曲线

UIS额定值曲线

175

o

C的工作温度

相关文献

- TB334 “指南焊锡表面贴装

组件到PC板“

订购信息

产品型号

RFG50N06LE

RFP50N06LE

RF1S50N06LESM

包

TO-247

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

FG50N06L

FP50N06L

F50N06LE

符号

D

G

注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A

获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即

RF1S50N06LESM9A.

S

包装

JEDEC风格-247

来源

漏

门

漏

（底部

侧的金属）

漏极（法兰）

JEDEC TO- 220AB

来源

漏

门

JEDEC TO- 263AB

漏

（法兰）

门

来源

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。

于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。

www.intersil.com或407-727-9207

|

版权

Intersil公司1999

RFG50N06LE ， RFP50N06LE ， RF1S50N06LESM

绝对最大额定值

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

RFG50N06LE ， RFP50N06LE ，

RF1S50N06LESM

60

±10

50

是指峰值电流曲线

参见UIS曲线

142

0.95

-55至175

300

260

单位

V

A

漏源极电压（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DSS

漏极至栅极电压（R

GS

= 20kΩ时）（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DGR

门源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

GS

连续漏电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .I

D

漏电流脉冲（注3 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我

DM

脉冲雪崩额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ê

AS

功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 P

D

减免上述25

o

C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

工作和存储温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

J

, T

英镑

最高温度焊接

信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

L

包体为10S ，见Techbrief 334 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .T

PKG

W

W/

o

C

o

C

o

C

o

C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

1. T

J

= 25

o

C至150

o

C.

电气连接特定的阳离子

参数

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

符号

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

r

DS （ ON）

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

Q

G（ TOT ）

Q

g(5)

Q

G（ TH ）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

θJC

R

θJA

TO-247

TO- 220AB和TO- 263AB

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至5V

V

GS

= 0V至1V

V

DD

= 48V,

I

D

= 50A,

R

L

= 0.96

图21 ， 21

测试条件

I

D

= 250

A，V

GS

= 0V ，图13中

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

A，图12

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

V

DS

= 50V, V

GS

= 0V ，T

C

= 150

o

C

V

GS

=

±10V

I

D

= 50A ，V

GS

= 5V ，图11

V

DD

= 30V ，我

D

= 50A,

R

L

= 0.6, V

GS

= 5V,

R

GS

= 2.5

图10 ，18，19

民

60

1

-

典型值

-

20

170

48

90

-

96

57

2.2

2100

600

230

-

最大

-

3

1

250

10

0.022

230

-

165

120

70

2.7

-

1.05

30

80

单位

V

A

ns

nC

pF

o

C / W

o

C / W

o

C / W

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏极至源极导通电阻（注2 ）

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

栅极电荷为5V

阈值的栅极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

热阻结到外壳

热阻结到环境

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

图14

源极到漏极二极管特定网络阳离子

参数

源极到漏极二极管电压

二极管的反向恢复时间

注意事项：

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

为80μs ，占空比

≤

2%.

3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ）。

符号

V

SD

t

rr

测试条件

I

SD

= 45A

I

SD

= 45A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

民

-

典型值

-

最大

1.5

125

单位

V

ns

2

RFG50N06LE ， RFP50N06LE ， RF1S50N06LESM

典型性能曲线

1.2

功耗乘法器

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

除非另有规定编

60

50

I

D

，漏电流（ A）

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

图1.归功耗与案例

温度

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

2

1

Z

θ

JC

归一化

热阻抗

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.01

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θ

JC

个R

θ

JC

+ T

C

10

0

10

1

P

DM

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

图3.归一化最大瞬态热阻抗

500

I

DM

，峰值电流容量（ A）

T

C

= 25

o

C

T

J

=最大额定

1000

T

C

= 25

o

C

V

GS

= 10V

V

GS

= 5V

100

I

D

，漏电流（ A）

100

100s

1ms

10

10ms

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

100

200

热阻抗

可能限流

在这个区域

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

175 - T

C

I

=

I

25

10

-5

150

10

-1

10

0

10

1

10

-4

10

-3

10

-2

T，脉冲宽度（ S）

图4.正向偏置安全工作区

图5.峰值电流容量

3

RFG50N06LE ， RFP50N06LE ， RF1S50N06LESM

典型性能曲线

300

I

AS

，雪崩电流（ A）

除非另有规定编

（续）

100

I

D

，漏电流（ A）

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

若R

≠

0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

如果R = 0

T

C

= 25

o

C

V

GS

= 10V

V

GS

= 5V

V

GS

= 4V

75

起始物为

J

= 25

o

C

10

起始物为

J

= 150

o

C

50

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 3V

25

V

GS

= 2.5V

1

0.01

0.1

1

10

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

100

0

1.5

3.0

4.5

V

DS

，漏源极电压（ V）

6.0

注意：

请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322

图6.松开电感式开关

图7.饱和特性

I

DS （ ON）

，漏源电流（A）

100

V

DD

= 15V

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

75

-55

o

C

80

25

o

C

ON电阻（mΩ ）

175

o

C

r

DS （ ON）

，漏极到源极

60

I

D

= 12.5A

I

D

= 50A

I

D

= 100A

50

40

I

D

= 25A

20

V

DD

= 15V

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

0

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

25

0

1.5

3.0

4.5

V

GS

，门源电压（ V）

6.0

V

GS

，门源电压（ V）

图8.传热特性

图9.漏极至源极导通电阻VS门

电压和漏极电流

600

500

切换时间（纳秒）

400

300

t

f

200

100

0

t

D（上）

t

r

归一漏极至源极

抗性

V

DD

= 30V ，我

D

= 50A ，R

L

= 0.6

2.5

V

GS

= 5V ，我

D

= 50A

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

2.0

t

D（关闭）

1.5

1.0

0.5

0

10

20

30

40

50

-80

-40

0

40

80

120

160

200

R

GS

，门源电阻（ Ω ）

T

J

，结温（

o

C)

图10.开关时间与栅极电阻

图11.归一漏极至源极ON

电阻与结温

4

RFG50N06LE ， RFP50N06LE ， RF1S50N06LESM

典型性能曲线

2.0

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

归一漏极至源极

击穿电压

除非另有规定编

（续）

1.2

I

D

= 250A

1.1

归一化门

阈值电压

1.5

1.0

0.5

0.9

0

-80

-40

0

40

80

120

160

T

J

，结温（

o

C)

200

0.8

-80

-40

160

0

40

80

120

T

J

，结温（

o

C)

200

图12.归一化栅极阈值电压Vs

结温

2500

C

国际空间站

2000

C，电容（pF ）

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

GS

+ C

GD

C

RSS

= C

GD

C

OSS

≈

C

DS

+ C

GD

图13.归一漏极至源极击穿

电压Vs结温

V

DS

，漏源极电压（ V）

60

V

DD

= BV

DSS

45

R

L

=1.2

I

G（ REF ）

= 1.2毫安

V

GS

= 5V

30

高原电压，

降序排列：

V

DD

= BV

DSS

V

DD

= 0.75 BV

DSS

V

DD

= 0.50 BV

DSS

V

DD

= 0.25 BV

DSS

I G

(

REF

)

I G

(

REF

)

2.5

V

DD

= BV

DSS

3.75

5.0

1500

1000

C

OSS

500

C

RSS

0

5

10

15

20

V

DS

，漏源极电压（ V）

25

15

1.25

0

-

20

---------------------

I G

(

法案

)

T，时间（μs ）

-

80

---------------------

I G

(

法案

)

注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。

图14.电容VS漏源极电压

图15.归一化开关波形

恒定的栅极电流

测试电路和波形

V

DS

BV

DSS

L

异吨

P

获得

所需的峰值I

AS

V

GS

DUT

t

P

R

G

-

I

AS

V

DD

t

P

V

DS

V

DD

+

0V

I

AS

0.01

0

t

AV

图16.松开能源利用检测电路

图17.松开能源波形

5

V

GS

，门源电压（ V）

RFG50N06LE ， RFP50N06LE ， RF1S50N06LESM

数据表

1999年10月

网络文件编号

4072.3

50A ， 60V ， 0.022欧姆，逻辑电平

N沟道功率MOSFET

这些N沟道增强型功率MOSFET

采用最新的制造工序制造

技术。该方法中，其中使用特征尺寸

接近LSI电路，给出了最佳利用

硅，保证了出色的性能。他们是

在应用中，如开关，设计用于

稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器

驱动程序。这些晶体管可以直接从被操作

集成电路。

以前发育类型TA49164 。

特点

50A ， 60V

r

DS （ ON）

= 0.022

温度补偿PSPICE

模型

峰值电流与脉冲宽度曲线

UIS额定值曲线

175

o

C的工作温度

相关文献

- TB334 “指南焊锡表面贴装

组件到PC板“

订购信息

产品型号

RFG50N06LE

RFP50N06LE

RF1S50N06LESM

包

TO-247

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

FG50N06L

FP50N06L

F50N06LE

符号

D

G

注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A

获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即

RF1S50N06LESM9A.

S

包装

JEDEC风格-247

来源

漏

门

漏

（底部

侧的金属）

漏极（法兰）

JEDEC TO- 220AB

来源

漏

门

JEDEC TO- 263AB

漏

（法兰）

门

来源

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。

于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。

www.intersil.com或407-727-9207

|

版权

Intersil公司1999

RFG50N06LE ， RFP50N06LE ， RF1S50N06LESM

绝对最大额定值

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

RFG50N06LE ， RFP50N06LE ，

RF1S50N06LESM

60

±10

50

是指峰值电流曲线

参见UIS曲线

142

0.95

-55至175

300

260

单位

V

A

漏源极电压（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DSS

漏极至栅极电压（R

GS

= 20kΩ时）（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DGR

门源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

GS

连续漏电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .I

D

漏电流脉冲（注3 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我

DM

脉冲雪崩额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ê

AS

功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 P

D

减免上述25

o

C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

工作和存储温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

J

, T

英镑

最高温度焊接

信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

L

包体为10S ，见Techbrief 334 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .T

PKG

W

W/

o

C

o

C

o

C

o

C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

1. T

J

= 25

o

C至150

o

C.

电气连接特定的阳离子

参数

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

符号

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

r

DS （ ON）

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

Q

G（ TOT ）

Q

g(5)

Q

G（ TH ）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

θJC

R

θJA

TO-247

TO- 220AB和TO- 263AB

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至5V

V

GS

= 0V至1V

V

DD

= 48V,

I

D

= 50A,

R

L

= 0.96

图21 ， 21

测试条件

I

D

= 250

A，V

GS

= 0V ，图13中

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

A，图12

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

V

DS

= 50V, V

GS

= 0V ，T

C

= 150

o

C

V

GS

=

±10V

I

D

= 50A ，V

GS

= 5V ，图11

V

DD

= 30V ，我

D

= 50A,

R

L

= 0.6, V

GS

= 5V,

R

GS

= 2.5

图10 ，18，19

民

60

1

-

典型值

-

20

170

48

90

-

96

57

2.2

2100

600

230

-

最大

-

3

1

250

10

0.022

230

-

165

120

70

2.7

-

1.05

30

80

单位

V

A

ns

nC

pF

o

C / W

o

C / W

o

C / W

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏极至源极导通电阻（注2 ）

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

栅极电荷为5V

阈值的栅极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

热阻结到外壳

热阻结到环境

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

图14

源极到漏极二极管特定网络阳离子

参数

源极到漏极二极管电压

二极管的反向恢复时间

注意事项：

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

为80μs ，占空比

≤

2%.

3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ）。

符号

V

SD

t

rr

测试条件

I

SD

= 45A

I

SD

= 45A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

民

-

典型值

-

最大

1.5

125

单位

V

ns

2

RFG50N06LE ， RFP50N06LE ， RF1S50N06LESM

典型性能曲线

1.2

功耗乘法器

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

除非另有规定编

60

50

I

D

，漏电流（ A）

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

图1.归功耗与案例

温度

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

2

1

Z

θ

JC

归一化

热阻抗

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.01

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θ

JC

个R

θ

JC

+ T

C

10

0

10

1

P

DM

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

图3.归一化最大瞬态热阻抗

500

I

DM

，峰值电流容量（ A）

T

C

= 25

o

C

T

J

=最大额定

1000

T

C

= 25

o

C

V

GS

= 10V

V

GS

= 5V

100

I

D

，漏电流（ A）

100

100s

1ms

10

10ms

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

100

200

热阻抗

可能限流

在这个区域

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

175 - T

C

I

=

I

25

10

-5

150

10

-1

10

0

10

1

10

-4

10

-3

10

-2

T，脉冲宽度（ S）

图4.正向偏置安全工作区

图5.峰值电流容量

3

RFG50N06LE ， RFP50N06LE ， RF1S50N06LESM

典型性能曲线

300

I

AS

，雪崩电流（ A）

除非另有规定编

（续）

100

I

D

，漏电流（ A）

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

若R

≠

0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

如果R = 0

T

C

= 25

o

C

V

GS

= 10V

V

GS

= 5V

V

GS

= 4V

75

起始物为

J

= 25

o

C

10

起始物为

J

= 150

o

C

50

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 3V

25

V

GS

= 2.5V

1

0.01

0.1

1

10

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

100

0

1.5

3.0

4.5

V

DS

，漏源极电压（ V）

6.0

注意：

请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322

图6.松开电感式开关

图7.饱和特性

I

DS （ ON）

，漏源电流（A）

100

V

DD

= 15V

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

75

-55

o

C

80

25

o

C

ON电阻（mΩ ）

175

o

C

r

DS （ ON）

，漏极到源极

60

I

D

= 12.5A

I

D

= 50A

I

D

= 100A

50

40

I

D

= 25A

20

V

DD

= 15V

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

0

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

25

0

1.5

3.0

4.5

V

GS

，门源电压（ V）

6.0

V

GS

，门源电压（ V）

图8.传热特性

图9.漏极至源极导通电阻VS门

电压和漏极电流

600

500

切换时间（纳秒）

400

300

t

f

200

100

0

t

D（上）

t

r

归一漏极至源极

抗性

V

DD

= 30V ，我

D

= 50A ，R

L

= 0.6

2.5

V

GS

= 5V ，我

D

= 50A

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

2.0

t

D（关闭）

1.5

1.0

0.5

0

10

20

30

40

50

-80

-40

0

40

80

120

160

200

R

GS

，门源电阻（ Ω ）

T

J

，结温（

o

C)

图10.开关时间与栅极电阻

图11.归一漏极至源极ON

电阻与结温

4

RFG50N06LE ， RFP50N06LE ， RF1S50N06LESM

典型性能曲线

2.0

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

归一漏极至源极

击穿电压

除非另有规定编

（续）

1.2

I

D

= 250A

1.1

归一化门

阈值电压

1.5

1.0

0.5

0.9

0

-80

-40

0

40

80

120

160

T

J

，结温（

o

C)

200

0.8

-80

-40

160

0

40

80

120

T

J

，结温（

o

C)

200

图12.归一化栅极阈值电压Vs

结温

2500

C

国际空间站

2000

C，电容（pF ）

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

GS

+ C

GD

C

RSS

= C

GD

C

OSS

≈

C

DS

+ C

GD

图13.归一漏极至源极击穿

电压Vs结温

V

DS

，漏源极电压（ V）

60

V

DD

= BV

DSS

45

R

L

=1.2

I

G（ REF ）

= 1.2毫安

V

GS

= 5V

30

高原电压，

降序排列：

V

DD

= BV

DSS

V

DD

= 0.75 BV

DSS

V

DD

= 0.50 BV

DSS

V

DD

= 0.25 BV

DSS

I G

(

REF

)

I G

(

REF

)

2.5

V

DD

= BV

DSS

3.75

5.0

1500

1000

C

OSS

500

C

RSS

0

5

10

15

20

V

DS

，漏源极电压（ V）

25

15

1.25

0

-

20

---------------------

I G

(

法案

)

T，时间（μs ）

-

80

---------------------

I G

(

法案

)

注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。

图14.电容VS漏源极电压

图15.归一化开关波形

恒定的栅极电流

测试电路和波形

V

DS

BV

DSS

L

异吨

P

获得

所需的峰值I

AS

V

GS

DUT

t

P

R

G

-

I

AS

V

DD

t

P

V

DS

V

DD

+

0V

I

AS

0.01

0

t

AV

图16.松开能源利用检测电路

图17.松开能源波形

5

V

GS

，门源电压（ V）