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FFP08S60SN
2008年4月
FFP08S60SN
特点
高速开关,T
rr
< 25ns的@我
F
= 8A
高反向电压和高可靠性
符合RoHS
隐身
TM
II整流器
tm
8A , 600V STEALTH
TM
II整流器
该FFP08S60SN是STEALTH
TM
II整流器软恢复
的特点。它是氮化硅钝化离子注入外延
taxial平面结构。
本装置适用于用作升压二极管的续流
开关电源和其它电源swithching应用
系统蒸发散。它们的低存储的电荷和超快软恢复迷你
迈兹振荡和电噪声在许多电源开关电路
减少开关晶体管的功率损耗。
应用
通用
开关电源
在连续模式功率因数校正升压二极管
电源开关电路
TO-220-2L
1.阴极
2.阳极
1.阴极
2.阳极
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FSM
T
J
, T
英镑
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
60Hz单半正弦波
工作和存储温度范围
@ T
C
= 89 C
o
参数
评级
600
600
600
8
60
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
o
C
热特性
符号
R
θJC
参数
最大热阻,结到外壳
评级
3.6
单位
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
F08S60SN
设备
FFP08S60SNTU
TO220-2L
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
50
2008飞兆半导体公司
FFP08S60SN版本A
1
www.fairchildsemi.com
FFP08S60SN
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
FM
1
I
RM
1
t
rr
t
rr
I
rr
S因子×
Q
rr
t
rr
I
rr
S因子×
Q
rr
W
AVL
I
F
= 8A
I
F
= 8A
V
R
= 600V
V
R
= 600V
I
F
= 1A ,的di / dt = 100A / μs的,V
R
= 30V
I
F
= 8A , di / dt的= 200A / μs的,V
R
= 390V
参数
T
C
= 25 C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 25
o
C
o
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
典型值。
2.7
2.1
-
-
13
15
2.5
0.4
19
32
3.8
0.7
62
-
马克斯。
3.4
-
100
500
-
25
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
A
ns
ns
A
nC
ns
A
nC
mJ
I
F
= 8A , di / dt的= 200A / μs的,V
R
= 390V
雪崩能量( L = 40mH )
T
C
= 125
o
C
注意事项:
1 :脉冲:测试脉冲宽度= 300μS ,占空比= 2 %
测试电路和波形
FFP08S60SN版本A
2
www.fairchildsemi.com
FFP08S60SN
典型性能特性
图1.典型正向电压降
与正向电流
20
10
反向电流,I
R
[
A
]
正向电流I
F
[A]
T
C
= 125 C
T
C
= 75 C
o
o
图2.典型的反向电流 -
反向电压
40
10
T
C
= 125 C
o
1
T
C
= 75 C
o
1
T
C
= 25 C
o
0.1
0.01
T
C
= 25 C
o
0.1
0
1
2
3
4
正向电压,V
F
[V]
5
0.001
10
100
200
300
400
反向电压, V
R
[V]
500
600
图3.典型结电容
50
图4.典型的反向恢复时间
与di / dt的
40
反向恢复时间,T
rr
[ NS ]
I
F
= 8A
典型电容
在0V = 43 pF的
40
电容, CJ [ pF的]
30
T
C
= 125 C
o
30
20
T
C
= 75 C
o
20
T
C
= 25 C
o
10
0
0.1
1
10
反向电压, V
R
[V]
100
10
100
200
300
400
的di / dt
[
A/
s
]
500
600
图5.典型的反向恢复
电流与di / dt的
10
反向恢复电流,I
rr
[A]
图6.正向电流降额曲线
15
平均正向电流,I
F( AV )
[A]
8
10
6
T
C
= 125 C
o
4
T
C
= 25 C
o
T
C
= 75 C
o
5
2
0
100
I
F
= 8A
200
300
400
的di / dt
[
A/
s
]
500
600
0
25
50
75
100
125
o
外壳温度,T
C
[
C
]
150
FFP08S60SN版本A
3
www.fairchildsemi.com
FFP08S60SN
机械尺寸
TO220 2L
单位:毫米
FFP08S60SN版本A
4
www.fairchildsemi.com
FFP08S60SN
商标
以下包括注册和未注册商标和服务标志,由仙童半导体公司和/或其全球拥有
subsidianries ,并且并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
构建它现在
COREPLUS
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
EcoSPARK
EZSWITCH *
飞兆半导体
飞兆半导体
FACT静音系列
FACT
FastvCore
FlashWriter
*
FPS
FRFET
全球功率资源
SM
绿色FPS
绿色FPS E- Series系列
GTO
我罗
的IntelliMAX
等平面
MegaBuck
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MillerDrive
运动-SPM
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
tm
PDP- SPM
Power220
POWEREDGE
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SupreMOS
SyncFET
电源特许经营
tm
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyPWM
TinyWire
SerDes
UHC
超FRFET
的UniFET
VCX
* EZSWITCH 和FlashWriter
是系统通用公司的注册商标,由仙童半导体公司授权使用。
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利
提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担OUT的任何责任
应用程序或使用本文所描述的任何产品或电路;它也没有传达任何根据牌照
ITS专利权,也没有他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的条款
全球条款和条件,特别是THEREIN保证,其中包括这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.
生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内或
(二)支持或维持生命,和(c) ,其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可合理预期会导致
在一个显着的伤害到用户。
2.
在生命支持任何组件的一个关键组成部分
设备或系统,其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范网络阳离子进行产品开发。
产品规格可能会以任何方式更改,恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;补充数据将被酒吧 -
lished在稍后的日期。飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知,随时变更,以改进设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体保留
有权在任何时候更改,恕不另行通知,以改进设计。
该数据表包含在产品的规格已经discontin-
由仙童半导体UED 。数据表打印出来作为参考Infor公司
仅息。
修订版I33
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
FFP08S60SN版本A
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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地址:深圳市福田区振华路118号华丽装饰大厦2栋2单元320室
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原装正品,支持实单
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