TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FF 800 R 17 KF6C B2
Hchstzulssige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射极 - Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor - Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值集电极电流
Gesamt - Verlustleistung
总功耗
栅射极Spitzenspannung
栅极 - 发射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值FORW 。当前
Grenzlastintegral DER二极管
I
2
吨 - 值，二极管
隔离， Prüfspannung
绝缘测试电压
TP = 1毫秒
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
t
P
= 1毫秒，T
C
= 80°C
V
CES
I
C， NOM 。
I
C
I
CRM
1700
800
1300
1600
V
A
A
A
T
C
= 25 ° C，晶体管
P
合计
6,25
kW
V
GES
+/- 20V
V
I
F
800
A
I
FRM
1600
A
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
Vj
= 125°C
I
2
t
170
千安s
2
RMS中，f = 50Hz时， t为1分钟。
V
ISOL
4
kV
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Kollektor发射极Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Gateladung
栅极电荷
Eingangskapazitt
输入电容
Rückwirkungskapazitt
反向传输电容
Kollektor发射极Reststrom
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 射极Reststrom
栅极 - 发射极漏电流
I
C
= 800A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 25°C
I
C
= 800A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 125°C
I
C
= 65 mA时， V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE （日）
4,5
V
CE坐
分钟。
典型值。
2,6
3,1
5,5
马克斯。
3,1
3,6
6,5
V
V
V
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
9,6
C
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
IES
52
nF
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ，T
vj
= 25°C
C
水库
I
CES
2,7
0,02
10
1,5
80
400
nF
mA
mA
nA
I
GES
准备：阿尔方斯·维森塔尔
批准：克里斯托夫Lübke ： 2000年11月10日
出版日期：二〇〇〇年十月十一日
修订：意甲
1(8)
FF800R17KF6C B2
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FF 800 R 17 KF6C B2
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Einschaltverzgerungszeit （ IND最后）
开机延迟时间（感性负载）
I
C
= 800A ，V
CE
= 900V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1,2, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1,2, T
vj
= 125°C
Anstiegszeit （ induktive上）
上升时间（感性负载）
I
C
= 800A ，V
CE
= 900V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1,2, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1,2, T
vj
= 125°C
Abschaltverzgerungszeit （ IND最后）
关闭延迟时间（感性负载）
I
C
= 800A ，V
CE
= 900V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1,8, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1,8, T
vj
= 125°C
Fallzeit （ induktive上）
下降时间（感性负载）
I
C
= 800A ，V
CE
= 900V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1,8, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1,8, T
vj
= 125°C
Einschaltverlustenergie亲普尔斯
导通的每脉冲能量损失
Abschaltverlustenergie亲普尔斯
关断每个脉冲的能量损失
Kurzschluverhalten
SC数据
Modulinduktivitt
杂散电感模块
Modulleitungswiderstand ， Anschlüsse - 芯片
模块引线电阻，接线端子 - 芯片
亲茨威格/每臂
I
C
= 800A ，V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 1,2, T
vj
= 125 ℃下，L-
S
= 60nH
I
C
= 800A ，V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 1,8, T
vj
= 125 ℃下，L-
S
= 60nH
t
P
≤
10微秒，V
GE
≤
15V
T
Vj
≤125°C,
V
CC
=1000V, V
CEmax
=V
CES
-L
SCE
· di / dt的
I
SC
L
SCE
3200
20
A
nH
E
关闭
335
MWS
E
on
290
MWS
t
f
0,13
0,14
s
s
t
D，关
1,1
1,1
s
s
t
r
0,14
0,14
s
s
t
D，上
0,4
0,4
s
s
分钟。
典型值。
马克斯。
R
CC' + EE '
0,16
m
Charakteristische Werte /特征值
二极管/二极管
Durchlaspannung
正向电压
Rückstromspitze
峰值反向恢复电流
I
F
= 800A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
I
F
= 800A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
I
F
= 800A ， - 迪
F
/ DT = 6300A /微秒
V
R
= 900V ， VGE = -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 900V ， VGE = -10V ，T
vj
= 125°C
Sperrverzgerungsladung
恢复电荷
I
F
= 800A ， - 迪
F
/ DT = 6300A /微秒
V
R
= 900V ， VGE = -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 900V ， VGE = -10V ，T
vj
= 125°C
Abschaltenergie亲普尔斯
反向恢复能量
I
F
= 800A ， - 迪
F
/ DT = 6300A /微秒
V
R
= 900V ， VGE = -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 900V ， VGE = -10V ，T
vj
= 125°C
E
REC
80
170
MWS
MWS
Q
r
170
310
μAs
μAs
I
RM
800
900
A
A
V
F
分钟。
典型值。
2,1
2,1
马克斯。
2,5
2,5
V
V
2(8)
FF800R17KF6C B2
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FF 800 R 17 KF6C B2
Thermische Eigenschaften /热性能
分钟。
Innerer Wrmewiderstand
热阻，结到外壳
bergangs - Wrmewiderstand
热电阻，案件散热器
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
最高结温
Betriebstemperatur
工作温度
Lagertemperatur
储存温度
晶体管/三极管， DC
二极管/二极管， DC
亲MODUL /每个模块
λ
贴
= 1瓦/米* K /
λ
油脂
= 1瓦/米* K
R
thCK
0,008
R
thJC
典型值。
马克斯。
0,02
0,034
K / W
K / W
K / W
T
vj
150
°C
T
op
-40
125
°C
T
英镑
-40
125
°C
Mechanische Eigenschaften /机械性能
Gehuse ，世赫原基
情况下，见附录
维也纳内隔离
内部绝缘
Kriechstrecke
爬电距离
Luftstrecke
净空
CTI
comperative漏电起痕指数
Anzugsdrehmoment F。机甲。 Befestigung
安装力矩
Anzugsdrehmoment F。 elektr 。 Anschlüsse
终端连接扭矩
Gewicht
重量
终端M4
终端M8
G
1050
分钟。
M1
氮化铝
15
mm
10
mm
275
5
Nm
M2
2
8 - 10
Nm
Nm
g
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert ， jedoch keine Eigenschaften zugesichert 。
在Verbindung SIE镀金麻省理工学院书房zugehrigen Technischen Erluterungen 。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。这是
有效的与属于技术说明组合。
3(8)
FF800R17KF6C B2
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FF 800 R 17 KF6C B2
Ausgangskennlinie （ typisch ）
输出特性（典型值）
I
C
= F（V
CE
)
V
GE
= 15V
1800
1600
1400
1200
TJ = 25°C
TJ = 125°C
I
C
[A]
1000
800
600
400
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
V
CE
[V]
Ausgangskennlinienfeld （ typisch ）
输出特性（典型值）
1800
1600
VGE = 20V
I
C
= F（V
CE
)
T
vj
= 125°C
1400
1200
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
I
C
[A]
1000
800
600
400
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
V
CE
[V]
4(8)
FF800R17KF6C B2
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FF 800 R 17 KF6C B2
bertragungscharakteristik （ typisch ）
传输特性（典型值）
I
C
= F（V
GE
)
V
CE
= 20V
1800
1600
TJ = 25°C
1400
1200
TJ = 125°C
I
C
[A]
1000
800
600
400
200
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
GE
[V]
Durchlakennlinie德Inversdiode （ typisch ）
反向二极管的正向特性（典型值）
1800
1600
Tvj=25°C
I
F
= F（V
F
)
1400
1200
Tvj=125°C
I
F
[A]
1000
800
600
400
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
V
F
[V]
5(8)
FF800R17KF6C B2
QQ：2880707522 复制
