FDZ391P P沟道1.5V的PowerTrench
WL- CSP MOSFET
2008年9月
FDZ391P
P沟道1.5 V的PowerTrench
薄
WL- CSP MOSFET
-20 V， -3 A ， 85毫欧
特点
最大
DS （ ON）
= 85毫欧，在V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1 A
最大
DS （ ON）
= 123毫欧的V
GS
= -2.5 V，I
D
= -1 A
最大
DS （ ON）
= 200毫欧的V
GS
= -1.5 V，I
D
= -1 A
只占用1.5毫米
2
PCB面积
超薄封装：
小于0.4毫米的高度安装时
在PCB
符合RoHS
tm
概述
设计上飞兆半导体先进的1.5 V的PowerTrench工艺
以最先进的"low pitch"状态
薄
WLCSP封装工艺，
在FDZ391P最大限度地减少PCB空间和R
DS （ ON）
。这
先进的WLCSP封装的MOSFET体现在突破
包装技术，使该装置相结合
优良的热传导特性，超低轮廓
封装，低栅极电荷，低R
DS （ ON）
.
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
销1
S
S
D
D
S
G
S
G
底部
顶部
D
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
-Continuous
-Pulsed
功耗
功耗
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注1B ）
T
A
= 25 °C
（注1A ）
参数
评级
-20
±8
-3
-15
1.9
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
65
133
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
6
设备
FDZ391P
包
WL- CSP
薄
带尺寸
7 ’’
胶带宽度
8 mm
QUANTITY
5000台
2008飞兆半导体公司
FDZ391P Rev.B的
1
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FDZ391P P沟道1.5V的PowerTrench
WL- CSP MOSFET
电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= -250
A,
V
GS
= 0 V
I
D
= -250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±8 V, V
DS
= 0 V
-20
-12
-1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250
A
I
D
= -250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1 A
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -1 A
V
GS
= -1.5 V，I
D
= -1 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1一件T
J
= 125 °C
I
D（上）
g
FS
上到国家漏极电流
正向跨导
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= - 5 V
V
DS
= -5 V，I
D
= -1 A
-10
7
-0.4
-0.6
2
74
90
140
100
85
123
200
123
A
S
m
-1.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
800
155
90
9
1065
205
135
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= -4.5 V
V
DD
= -10 V
I
D
= -1 A
V
DD
= -10 V，I
D
= -1 A
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
11
10
50
30
9
1
2
20
20
80
48
13
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.1 A
（注2 ）
-0.7
21
5
-1.1
-1.2
A
V
ns
nC
I
F
= -1时，的di / dt = 100 A / μs的
注意事项：
1. R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。装在当65℃ / W的
在A 1
2
垫2盎司纯铜。
B 。安装在一个时133℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDZ391P Rev.B的
2
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FDZ391P P沟道1.5V的PowerTrench
WL- CSP MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
16
归
漏极至源极导通电阻
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -3.5 V
V
GS
= -1.5 V
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
14
-I
D
，漏电流（ A）
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -3.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS
= -2.0 V
V
GS
= -2.0 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS
= -1.5 V
0.8
0
2
4
6
8
10
-I
D
，漏电流（ A）
12
14
16
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
240
r
DS （ ON）
，沥去
源导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温
(
o
C
)
150
I
D
= -1 A
V
GS
= -4.5 V
I
D
= - 0.5 A
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
200
160
120
80
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
40
1
2
3
4
-V
GS
，门源电压（ V）
5
图3.归一导通电阻
VS结温
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
60
15
12
9
6
T
J
= 125
o
C
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
10
1
V
GS
= 0 V
-I
D
，漏电流（ A）
V
DD
= -5 V
T
J
= 125
o
C
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
J
= 25
o
C
3
0
0.5
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= -55
o
C
1.0
1.5
2.0
-V
GS
，门源电压（ V）
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
FDZ391P Rev.B的
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WL- CSP MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
-V
GS
，门源电压（ V）
5
I
D
= -1 A
2000
4
3
2
1
0
0
2
1000
电容（pF）
V
DD
= -5 V
V
DD
= -10 V
V
DD
= -15 V
C
国际空间站
C
OSS
100
50
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
RSS
4
6
8
10
12
Q
g
，栅极电荷（ NC）
1
10
-V
DS
，漏源极电压（ V）
20
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
-I
S
， SOURCE1到Source2电流（A）
4
-I
D
，漏电流（ A）
30
10
100美
1毫秒
3
V
GS
= -4.5 V
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
2
V
GS
= - 2.5 V
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
1
R
θ
JA
= 65℃ / W
o
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 133
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0
25
50
75
100
o
125
150
0.01
0.1
1
10
60
T
A
，外壳温度
(
C
)
-V
S
， SOURCE1到Source2电压（ V）
图9.最大连续漏极
电流与环境温度
50
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
图10.正向偏置安全
工作区
10
V
GS
= -10 V
单脉冲
R
θ
JA
= 133
o
C / W
T
A
= 25 C
o
1
0.5
-3
10
10
-2
10
-1
1
T，脉冲宽度（秒）
10
100
1000
图11.单脉冲最大功率耗散
FDZ391P Rev.B的
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WL- CSP MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
-1
单脉冲
R
θ
JA
= 133 C / W
o
0.01
-3
10
10
-2
10
1
10
吨，矩形脉冲持续时间（秒）
100
1000
图12.瞬态热响应曲线
FDZ391P Rev.B的
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