FDZ208P P沟道30伏的PowerTrench
BGA封装的MOSFET
2006年2月
FDZ208P
P沟道30伏的PowerTrench MOSFET BGA
概述
结合飞兆半导体先进的30伏P沟道
海沟II过程
±
25伏的Vgs 。腹肌。马克斯门
评级为最终低R
DS （ ON）
电池保护
MOSFET。这
MOSFET
也体现了一种
突破性的封装技术使
该设备结合优异的热传递
特性，高电流处理能力，超
薄型封装，低栅极电荷和低R
DS （ ON）
.
特点
-12.5 A， -30 V.
DS （ ON）
= 10.5毫欧@ V
GS
= –10 V
r
DS （ ON）
= 16.5毫欧@ V
GS
= –4.5 V
只占用14毫米
2
的PCB面积。只有42 ％的
SO-8的面积
超薄封装：小于0.8mm的高度时，
安装到印刷电路板
3.5 ×4mm的
2
脚印
高功率和电流处理能力
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
门
G
S
指数
SLOT
D
底部
顶部
T
A
=25
o
C除非另有说明
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
功率耗散（稳态）
参数
（注1A ）
（注1A ）
（注1A ）
工作和存储结温范围
–30
±
25
–12.5
–60
2.2
1.0
-55到+150
评级
单位
V
V
A
W
°C
热特性
R
θJA
R
θJB
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到球
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
（注1 ）
56
4.5
0.6
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
208P
设备
FDZ208P
带尺寸
13’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
4000台
2006
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDZ208P版本D（ W）
FDZ208P P沟道30伏的PowerTrench
BGA封装的MOSFET
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，
前锋
门体漏电流，
反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= –24 V,
V
GS
= –25 V,
V
GS
= 25 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
–30
典型值
最大单位
V
毫伏/°C的
–1
–100
100
A
nA
nA
开关特性
–20
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注：1 。
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= V
GS
,
I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= -10 V，I
D
= –12.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –9.5 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -12.5A ，T
J
=125°C
V
DS
= –10 V,
I
D
= –12.5 A
V
DS
= –15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
–1
–1.5
5
9
13
11.7
40
2409
614
300
13
11
74
42
25
5
10
–3
V
毫伏/°C的
m
S
pF
pF
pF
10.5
16.5
15
动态特性
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –15 V,
V
GS
= –10 V,
V
DS
= –15 V,
V
GS
= –5 V
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
I
D
= –12.5 A,
24
21
119
68
35
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
ns
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
= –1.8 A
（注2 ）
–1.8
–0.7
29.5
30.2
–1.2
I
F
= -12.5 A,
的di / dt = 100 A / μs的
铜芯片载体。
θJC
和R
θJB
设计是保证，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
s
结到所述焊料球， R的电路板侧
θJB
，是德网络定义，以供参考。对于R
θJC
为的情况下，热参考点被定义为的顶表面
R
θJA
与安装在一个1平方英寸2盎司的装置来确定。铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。从热敏电阻
a)
56 ° C / W时，
2
安装在一个1英寸垫
2盎司纯铜
b)
安装时， 119 ° C / W
对2盎司最小焊盘
铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDZ208P版本D（ W）
FDZ208P P沟道30伏的PowerTrench
BGA封装的MOSFET
外形尺寸和焊盘布局
FDZ208P版本D（ W）
FDZ208P P沟道30伏的PowerTrench
BGA封装的MOSFET
典型特征
60
V
GS
=-10V
-6.0V
-4.5V
2.6
归
漏源导通电阻
-3.5V
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
15
30
-I
D
，漏电流（ A）
45
60
-I
D
，漏电流（ A）
45
V
GS
= -3.5V
30
-3.0V
-4.0V
-4.5V
-5.0V
-6.0V
-8.0V
-10V
15
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
DS
，漏源电压（V ）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.045
I
D
= -12.5A
r
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.035
1.6
归
漏源导通电阻
I
D
= -12.5A
V
GS
= -10V
1.4
1.2
0.025
T
A
= 125
o
C
0.015
T
A
= 25
o
C
0.005
2
4
6
8
10
-V
GS
，门源电压（ V）
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
T
J
，结温（ C）
图3.导通电阻变化与
温度。
60
-I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
V
DS
= -5V
-I
D
，漏电流（ A）
45
T
A
= -55 C
o
o
25 C
125 C
o
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
A
= 125 C
o
o
30
25 C
-55 C
o
15
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-V
GS
，门源电压（ V）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDZ208P版本D（ W）
FDZ208P P沟道30伏的PowerTrench
BGA封装的MOSFET
典型特征
10
-V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= -12.5A
8
-20V
V
DS
= -10V
-15V
3500
3000
电容（pF）
2500
2000
1500
1000
500
C
OSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
，栅极电荷（ NC）
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
r
DS （ ON）
极限
1ms
10ms
100ms
40
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
10
1s
10s
DC
30
单脉冲
R
θ
JA
= 119°
C / W
T
A
= 25°
C
1
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 119
o
C / W
T
A
= 25
o
C
20
0.1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源电压（V ）
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 119 °
C / W
P（ PK）
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
t
1
0.01
0.01
0.001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDZ208P版本D（ W）
FDZ208P
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，
前锋
门体漏电流，
反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= –24 V,
V
GS
= –25 V,
V
GS
= 25 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
–30
典型值
最大单位
V
毫伏/°C的
–1
–100
100
A
nA
nA
开关特性
–20
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= V
GS
,
I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= -10 V，I
D
= –12.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –9.5 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -12.5A ，T
J
=125°C
V
DS
= –10 V,
I
D
= –12.5 A
V
DS
= –15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
–1
–1.5
5
9
13
11.7
40
2409
614
300
13
11
74
42
25
5
10
–3
V
毫伏/°C的
m
S
pF
pF
pF
10.5
16.5
15
动态特性
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –15 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
V
DS
= –15 V,
V
GS
= –5 V
I
D
= –12.5 A,
24
21
119
68
35
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
nS
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V,
V
SD
t
rr
Q
rr
注：1 。
–1.8
–0.7
29.5
30.2
–1.2
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
I
S
= –1.8 A
（注2 ）
I
F
= 12.5 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
结到所述焊料球， R的电路板侧
θ
JB
，是德网络定义，以供参考。对于R
θ
JC
为的情况下，热参考点被定义为的顶表面
铜芯片载体。
θ
JC
和R
θ
JB
设计是保证，而
θ
JA
是通过用户的电路板的设计来确定。
s
R
θ
JA
与安装在一个1平方英寸2盎司的装置来确定。铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。从热敏电阻
a)
56°
C / W时，
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜
b)
119°
C / W安装时
对2盎司最小焊盘
铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDZ208P版本C3 （ W）
QQ：2881677436 复制
