FDZ201N
2004年1月
FDZ201N
N沟道2.5V指定的PowerTrench
BGA封装的MOSFET
概述
结合飞兆半导体先进的2.5V规定
PowerTrench进程，与国家的最先进的BGA
包装上， FDZ201N最大限度地减少PCB空间
此BGA MOSFET体现了
和R
DS （ ON）
.
突破性的封装技术使
该设备结合优异的热传递
特性，高电流处理能力，超
薄型封装，低栅极电荷和低R
DS （ ON）
.
特点
9 A， 20 V.
R
DS （ ON）
= 18毫欧@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 30毫欧@ V
GS
= 2.5 V
只占用5毫米PCB面积：的只有55 ％
SSOT- 6的区域
超薄封装：小于0.80毫米的高度时，
安装到印刷电路板
出色的热转移特性：
优于4倍SSOT- 6
超低Q
g
个R
DS （ ON）
科幻gure品质因数的
高功率和电流处理能力
2
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
D
S
G
D
S
S
D
D
S
S
D
销1
D
F201
销1
G
D
底部
顶部
T
A
= 25°C除非另有说明
o
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
（注1A ）
- 脉冲
功率耗散（稳态）
（注1A ）
工作和存储结温范围
评级
20
±12
9
20
2
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
热特性
R
θJA
R
θJB
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到球
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
（注1 ）
64
8
0.7
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
201N
设备
FDZ201N
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDZ201N版本F2 （ W）
FDZ201N
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 16 V,
V
GS
= 12 V,
V
GS
= –12 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
20
典型值
最大单位
V
毫伏/°C的
1
100
–100
A
nA
nA
V
毫伏/°C的
m
S
pF
pF
pF
开关特性
14
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 9 A
I
D
= 6.5 A
V
GS
= 2.5 V,
V
GS
= 4.5 V，I
D
9 = A，T
J
=125°C
V
DS
= 5 V,
I
D
= 9 A
V
DS
= 10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
0.6
0.8
–3
14
20
20
33
1127
268
134
1.5
18
30
28
动态特性
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
8
11
26
8
16
20
42
16
15
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 9 A,
11
2
3
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.7 A
电压
二极管的反向恢复时间
I
F
= 9A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
二极管的反向恢复电荷
（注2 ）
0.7
20
14
1.7
1.2
A
V
nS
nC
注意事项：
1.
R
θJA
与安装在一个1平方英寸2盎司的装置来确定。铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。从结到热阻
的焊锡球， R的电路板侧
θJB
，是德网络定义，以供参考。对于R
θJC
为的情况下，热参考点被定义为的顶表面
铜芯片载体。
θJC
和R
θJB
设计是保证，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
安装时， 64 ° C / W
上一个1英寸
2
的2盎司垫
铜
b)
安装时， 128 ° C / W
对2盎司最小焊盘
铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDZ201N版本F2 （ W）
FDZ201N
1999年11月
超前信息
FDZ201N
N沟道2.5V指定的PowerTrench
TM
BGA封装的MOSFET
概述
结合飞兆半导体先进的2.5V规定
的PowerTrench工艺与先进的BGA状态
包装上， FDZ201N最大限度地减少PCB空间
和R
DS （ ON）
.
此BGA MOSFET体现了
突破性的封装技术使
该设备结合优异的热传递
特性，高电流处理能力，超
薄型封装，低栅极电荷和低R
DS （ ON）
.
特点
=
9 A， 20 V.
R
DS （ ON）
= 0.018
=
@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.030
@ V
GS
= 2.5 V.
=
只占用5毫米
2
的PCB面积。
只有55％的SSOT- 6的面积的
=
超薄封装：小于0.70毫米的高度时，
安装到印刷电路板
=
出色的热转移特性：
优于4倍SSOT- 6
=
超低Q
g
个R
DS （ ON）
如下图中，择优录取。
=
高功率和电流处理能力。
应用
=
电池管理
=
负荷开关
=
电池保护
D
S
G
D
S
S
D
D
S
S
D
销1
D
F201
销1
G
D
底部
顶部
o
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25°C除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
（注1A ）
- 脉冲
功率耗散（稳态）
（注1A ）
工作和存储结温范围
评级
20
±12
9
20
2.7
-55到+175
单位
V
V
A
W
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
55
12
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
F201
设备
FDZ201N
带尺寸
待定
胶带宽度
待定
QUANTITY
待定
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDZ201N版本A （ W）
FDZ201N
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
===T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，
前锋
门体漏电流，
反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= 16 V,
V
GS
= 12 V,
V
GS
= –12 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
20
典型值
最大单位
V
毫伏/°C的
1
100
–100
A
nA
nA
开关特性
14
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 9 A
V
GS
= 2.5 V,
I
D
= 6.5 A
0.4
0.9
1.5
0.018
0.030
V
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.3 A
电压
（注2 ）
0.77
2.3
1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是结到外壳的一个函数（r
θJC
） ，外壳到环境（R
= CA
）和PC板（R
BA
）热敏电阻，其中所述壳体热参考件是
定义的包的顶表面。
θJC
由设计而
= CA
和R
BA
通过用户的设计来确定。
2
(a).
R
θJA
= 55 ° C / W的2盎司装在1时（稳态） 。铜。
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDZ201N版本A （ W）
FDZ201N
外形尺寸和焊盘布局
2.15
1.85
指数
SLOT
C
L
0.40
1
A
SYMM
C
L
2
3
D
G
S
D
D
S
S
D
D
S
F201N
B
日期/ VENDORCODE
SYMM
L
2.70
2.30
C
1.95
S
C
L
0.65
D
D
0.65
1.30
D =漏
S =源
G =门
顶视图
推荐地
图案
0.76
锡球，
0.30
0.25
C
L
锡球
0.30
D
门
1.95
C
前视图
索引插槽
（隐藏）
C
L
B
0.65
A
1
2
3
0.51
0.65
1.30
底部视图
飞机座位
SIDE VIEW
OTES ：U N L ES S OTH è R W IS （E S） PE IFIE
A） AL l D同时IME北南ION S AR E在板厂IME TE S.
b）如无乙脑DECRE GISTR ATION EFER ENCE AS
菊LY 19 9 9 。
FDZ201N版本A （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
Rev. D的
QQ：2880707522 复制
