P沟道1.7V的PowerTrench
WL- CSP MOSFET
2006年12月
FDZ193P
P沟道1.7V的PowerTrench
WL- CSP MOSFET
-20V ， -1A ， 90mΩ
特点
最大
DS （ ON）
= 90mΩ在V
GS
= -4.5V ，我
D
= -1A
最大
DS （ ON）
= 130mΩ在V
GS
= -2.5V ，我
D
= -1A
最大
DS （ ON）
= 300MΩ在V
GS
= -1.7V ，我
D
= -1A
只占用1.5毫米
2
PCB面积的不到50 ％的
的2× 2的BGA区
超薄封装：小于0.65毫米的高度安装时
在PCB
符合RoHS
tm
概述
设计上飞兆半导体先进的PowerTrench 1.7V
过程
以最先进的"low pitch" WLCSP封装工艺状态下，
FDZ193P最大限度地减少PCB空间和R
DS （ ON）
。这种先进
WLCSP封装MOSFET体现在包装的突破
技术，使该设备结合优异
热传递特性，超低轮廓的包装，低
栅极电荷和低R
DS （ ON）
.
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
销1
S
S
D
D
S
G
销1
S
G
底部
顶部
D
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
-Continuous
-Pulsed
P
D
T
J
, T
英镑
功耗
功耗
工作和存储结温范围
（注1A ）
（注1B ）
（注1A ）
参数
评级
-20
±12
-3
-15
1.5
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
83
140
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
2
设备
FDZ193P
包
WL- CSP
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
5000台
2006仙童半导体公司
FDZ193P Rev.C1 （W）的
1
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P沟道1.7V的PowerTrench
WL- CSP MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±12V, V
GS
= 0V
-20
-11
-1
±100
V
毫伏/°C的
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250μA
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -1A
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -1A
V
GS
= -1.7V ，我
D
= -1A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -1A牛逼
J
= 125°C
I
D（上）
g
FS
上到国家漏极电流
正向跨导
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -5V
V
DS
= -5V ，我
D
= -1A
-10
5.6
-0.6
-0.9
3
66
92
195
84
90
130
300
123
A
S
mΩ
-1.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
660
150
90
9.5
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V V
DD
= -10V
I
D
= -1A
V
DD
= -10V ，我
D
= -1A
V
GS
= -4.5V ，R
根
= 6Ω
13
10
28
21
7
1
2
23
20
45
34
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= -1.1A
（注2 ）
-0.7
19
6
-1.1
-1.2
A
V
ns
nC
I
F
= -1A ，的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
1:
R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。从交界处的热电阻到电路板
焊料球中，R的侧
θJB
被定义为参考。对于R
θJC
供的情况下，热参考点定义为铜芯片载体的上表面上。
θJC
和R
θJB
设计是保证，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一。安装在83 ° C / W
在A 1
2
2盎司纯铜板， 1.5 “
X 1.5 “X 0.062 ”厚的PCB
B 。安装在一个时140℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDZ193P Rev.C1 （W）的
2
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