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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第322页 > FDW256P
FDW256P
2008年7月
FDW256P
30V P沟道PowerTrench
MOSFET
概述
这个P
声道MOSFET是一个坚固的门版本
飞兆半导体的PowerTrench先进
流程。它已被优化的电源管理
需要大范围给驱动器的应用
额定电压（ 4.5V - 25V ） 。
特点
-8 A ， -30 V
R
DS （ ON）
= 13.5毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= –4.5 V
扩展V
GSS
范围（ -25V ）电池应用
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
低调TSSOP -8封装
应用
电池保护
直流/直流转换
电源管理
负荷开关
D
S
S
D
G
S
S
D
5
6
7
8
4
3
2
1
TSSOP-8
销1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
–30
±
25
（注1 ）
单位
V
V
A
W
°C
–8
–50
1.3
0.6
-55到+150
- 脉冲
功耗
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
96
208
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
256P
设备
FDW256P
带尺寸
13’’
胶带宽度
16mm
QUANTITY
2500台
2008
Fairc希尔德半导体公司
FDW256P冯C1 （ W）
FDW256P
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 25 V,
V
DS
= 0 V
V
GS
= –25 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
,
I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= -10 V，I
D
= –8.0 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –6.5 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -8.0A ，T
J
=125°C
V
GS
= –10 V,
V
DS
= –5 V,
V
DS
= –5 V
I
D
= –8.0 A
民
–30
典型值
最大单位
V
开关特性
–23
–1
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
–1
–1.7
5
11
16
15
–3
V
毫伏/°C的
13.5
20
19
m
I
D（上）
g
FS
–50
30
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= –15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
2267
599
315
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –15 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
15
11
78
45
27
35
125
72
38
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –15 V,
V
GS
= –5.0V
I
D
= –8.0 A,
28
7
12
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一）R
θJA
96
° C / W
（稳态）装上FR- 4 1英寸2铜垫的时候。
B ）R
θJA
是208
° C / W
（稳态）装上FR- 4的最小铜焊盘的时候。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= –1.2 A
电压
–1.2
（注2 ）
A
V
–0.7
–1.2
FDW256P冯C1 （ W）
FDW256P
典型特征
50
V
GS
= -10V
-6.0V
40
-I
D
，漏电流（ A）
-4.5V
-4.0V
2.2
-3.5V
R
DS （ ON）
归
,
漏源导通电阻
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
10
20
30
40
50
-I
D
，漏电流（ A）
-4.0V
-4.5V
-5.0V
-6.0V
-10V
V
GS
= -3.5V
30
20
-3.0V
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.05
R
DS （ ON）
导通电阻（ OHM ）
,
1.6
R
DS （ ON）
归
,
漏源导通电阻
I
D
= -8A
V
GS
= -10V
1.4
I
D
= -4.0A
0.04
1.2
0.03
T
A
= 125
o
C
0.02
T
A
= 25
o
C
0.01
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（
o
C)
0
2
4
6
8
10
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
50
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5.0V
40
-I
D
，漏电流（ A）
125
o
C
30
T
A
=
-55
o
C
25
o
C
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
1
25
o
C
0.1
-55
o
C
0.01
20
10
0.001
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-V
GS
，门源电压（ V）
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDW256P冯C1 （ W）
FDW256P
典型特征
10
-V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= -8A
8
-20V
电容（pF）
6
V
DS
= -10V
-15V
4000
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
3200
C
国际空间站
2400
4
1600
C
OSS
800
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
1ms
R
DS （ ON）
极限
10ms
100ms
1s
1
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 208
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.01
DC
10s
50
图8.电容特性。
40
-I
D
，漏电流（ A）
10
单脉冲
R
θ
JA
= 208 ° C / W
T
A
= 25°C
30
20
0.1
10
0.1
1
10
100
0
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
-V
DS
，漏源电压（V ）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
o
R
θ
JA
= 208 C / W
P（ PK）
0.02
0.01
0.01
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDW256P冯C1 （ W）
商标
以下包括注册和未注册商标和服务标志，由仙童半导体公司和/或其全球subsidianries拥有，并且是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
构建它现在
COREPLUS
CorePOWER
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
EcoSPARK
EfficentMax
EZSWITCH *
飞兆半导体
飞兆半导体
FACT静音系列
FACT
快
FastvCore
FlashWriter
*
tm
FPS
F- PFS
FRFET
全球功率资源
SM
绿色FPS
绿色FPS E- Series系列
GTO
的IntelliMAX
等平面
MegaBuck
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MillerDrive
MotionMax
运动-SPM
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
tm
PDP SPM
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
静音系列
RapidConfigure
拯救我们的世界， 1mW的同时
SmartMax
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SuperMOS
SyncFET
电源特许经营
tm
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyPWM
TinyWire
UHC
超FRFET
的UniFET
VCX
VisualMax
* EZSWITCH 和FlashWriter
是系统通用公司的注册商标，由仙童半导体公司授权使用。
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD并不承担因任何应用或使用任何责任
产品和电路本文描述;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款，特别是保证
其中，覆盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，而不必的
快车FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统设备或其中， （一）是系统
打算通过外科手术移植到体内或（b ）支持或维持生命，
（三）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理
预期会导致用户的显著伤害。
2.
中的任何组分A关键成分的生命支持，设备，或
系统，其不履行可以合理预期造成
寿命支持设备或系统的故障，或者影响其安全性或
有效性。
防伪政策
仙童半导体公司的防伪策略。 Farichild的防伪策略也表示对我们的外部网站，
www.Fairchildsemi.com ，在销售支持
.
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。半导体产品制造商都遇到了假冒的
件。谁不慎购买假冒伪劣配件遇到很多问题，如品牌知名度，性能不合格的客户流失，失败
应用，以及生产和制造的延迟增加了成本。飞兆半导体正在采取强有力的措施保护自己和我们的客户来自
假冒伪劣配件泛滥。 Farichild强烈鼓励客户直接从飞兆半导体或授权飞兆半导体购买Farichild件
谁是我们的网页上列出国家的经销商上面引用。产品的客户无论是从飞兆半导体直接或授权飞兆半导体购买
经销商均为正品部件，具有完整的可追溯性，符合飞兆半导体的质量标准，移交和存储，并提供访问Farichild全系列
最多最新的技术和产品信息。飞兆半导体与我们的授权分销商将站在所有保证后面，将妥善处理和
可能出现保修问题。飞兆半导体将不适用于部分从未经授权的来源购买提供任何保修服务或其他援助。 Farichild是
承诺致力于打击这一全球性问题，并鼓励客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
初步
没有Identi网络所需的阳离子
过时的
产品状态
形成性/在设计
一是生产
满负荷生产
不在生产中
德网络nition
数据表包含了设计规范进行产品开发。产品规格
以任何方式如有变更，恕不另行通知。
数据表包含的初步数据;补充数据将在稍后公布
的日期。仙童半导体公司保留权利，可随时更改，恕不权
注意改进设计。
数据表包含最终规格。仙童半导体公司保留权利
在任何时间更改，恕不另行通知，以改进设计。
数据表包含由仙童停产的产品规格
半导体。数据表仅供参考信息。
修订版I35
FDW256P
2001年5月
FDW256P
30V P沟道PowerTrench
MOSFET
概述
这个P
声道MOSFET是一个坚固的门版本
飞兆半导体的PowerTrench先进
流程。它已被优化的电源管理
需要大范围给驱动器的应用
额定电压（ 4.5V - 25V ） 。
特点
-8 A ， -30 V
R
DS （ ON）
= 13.5毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= –4.5 V
扩展V
GSS
范围（ -25V ）电池应用
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
低调TSSOP -8封装
应用
电池保护
直流/直流转换
电源管理
负荷开关
D
S
S
D
G
S
S
D
5
6
7
8
4
3
2
1
TSSOP-8
销1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
–30
±
25
（注1 ）
单位
V
V
A
W
°C
–8
–50
1.3
0.6
-55到+150
- 脉冲
功耗
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
96
208
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
256P
设备
FDW256P
带尺寸
13’’
胶带宽度
16mm
QUANTITY
3000台
2001
Fairc希尔德半导体公司
FDW256P版本C （ W）
FDW256P
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 25 V,
V
DS
= 0 V
V
GS
= –25 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
,
I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= -10 V，I
D
= –8.0 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –6.5 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -8.0A ，T
J
=125°C
V
GS
= –10 V,
V
DS
= –5 V,
V
DS
= –5 V
I
D
= –8.0 A
民
–30
典型值
最大单位
V
开关特性
–23
–1
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
–1
–1.7
5
11
16
15
–3
V
毫伏/°C的
13.5
20
19
m
I
D（上）
g
FS
–50
30
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= –15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
2267
599
315
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –15 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
15
11
78
45
27
35
125
72
38
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –15 V,
V
GS
= –5.0V
I
D
= –8.0 A,
28
7
12
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一）R
θJA
96
° C / W
（稳态）装上FR- 4 1英寸2铜垫的时候。
B ）R
θJA
是208
° C / W
（稳态）装上FR- 4的最小铜焊盘的时候。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= –1.2 A
电压
–1.2
（注2 ）
A
V
–0.7
–1.2
FDW256P版本C （ W）
FDW256P
典型特征
50
V
GS
= -10V
-6.0V
40
-I
D
，漏电流（ A）
-4.5V
-4.0V
2.2
-3.5V
R
DS （ ON）
归
,
漏源导通电阻
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
10
20
30
40
50
-I
D
，漏电流（ A）
-4.0V
-4.5V
-5.0V
-6.0V
-10V
V
GS
= -3.5V
30
20
-3.0V
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.05
R
DS （ ON）
导通电阻（ OHM ）
,
1.6
R
DS （ ON）
归
,
漏源导通电阻
I
D
= -8A
V
GS
= -10V
1.4
I
D
= -4.0A
0.04
1.2
0.03
T
A
= 125
o
C
0.02
T
A
= 25
o
C
0.01
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（
o
C)
0
2
4
6
8
10
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
50
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5.0V
40
-I
D
，漏电流（ A）
125
o
C
30
T
A
=
-55
o
C
25
o
C
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
1
25
o
C
0.1
-55
o
C
0.01
20
10
0.001
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-V
GS
，门源电压（ V）
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDW256P版本C （ W）
FDW256P
典型特征
10
-V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= -8A
8
-20V
电容（pF）
6
V
DS
= -10V
-15V
4000
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
3200
C
国际空间站
2400
4
1600
C
OSS
800
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
1ms
R
DS （ ON）
极限
10ms
100ms
1s
1
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 208
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.01
DC
10s
50
图8.电容特性。
40
-I
D
，漏电流（ A）
10
单脉冲
R
θ
JA
= 208 ° C / W
T
A
= 25°C
30
20
0.1
10
0.1
1
10
100
0
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
-V
DS
，漏源电压（V ）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
o
R
θ
JA
= 208 C / W
P（ PK）
0.02
0.01
0.01
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDW256P版本C （ W）
商标
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ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
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注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
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支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
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该数据表包含的初步数据，和
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在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
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初步
一是生产
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满负荷生产
过时的
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已经停产了仙童半导体公司。
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