【FDW2521C2008年7月FDW2521C互补的PowerTrenchMOSFET概述此互补的M】,IC型号FDW2521C,FDW2521C PDF资料,FDW2521C经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDW2521C

2008年7月

FDW2521C

互补的PowerTrench

MOSFET

概述

此互补的MOSFET器件是使用产生的

飞兆半导体先进的PowerTrench工艺有

特别是针对已尽量减少接通状态

性，但保持低栅极电荷

出色的开关性能。

特点

Q1 ： N沟道

5.5 A， 20 V

R

DS （ ON）

= 21毫欧@ V

GS

= 4.5 V

R

DS （ ON）

= 35毫欧@ V

GS

= 2.5 V

应用

直流/直流转换

电源管理

负荷开关

Q2 ： P通道

-3.8 A， 20 V

DS （ ON）

= 43毫欧@ V

GS

= –4.5 V

R

DS （ ON）

= 70毫欧@ V

GS

= –2.5 V

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

低调TSSOP -8封装

G2

S2

D2

G1

S1

D1

销1

Q1

Q2

1

2

3

4

8

7

6

5

TSSOP-8

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

J

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

功耗

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

Q1

20

（注1A ）

Q2

–20

±12

–3.8

–30

1.0

0.6

-55到+150

单位

V

A

W

°C

±12

5.5

30

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

R

θJA

热阻，结到环境

（注1A ）

（注1B ）

125

208

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

2521C

设备

FDW2521C

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

2008

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDW2521C版本D1 （ W）

FDW2521C

电气特性

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿

电压

击穿电压

温度COEF网络cient

零栅压漏

当前

门体漏

（注2 ）

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 250 A

V

GS

= 0 V，I

D

= –250 A

I

D

= 250μA ，引用至25℃

I

D

= -250 μA ，参考25℃

V

DS

= 16 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= –16 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= +12 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= +12 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A

V

DS

= V

GS

, I

D

= –250 A

I

D

= 250μA ，引用至25℃

I

D

= -250 μA ，参考25℃

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 5.5 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 4.2 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 5.5 A，T

J

= 125°C

V

GS

= -4.5 V，I

D

= –3.8 A

V

GS

= -2.5 V，I

D

= –3.0 A

V

GS

= -4.5 V，I

D

= -3.8 A，T

J

= 125°C

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 5 V

V

GS

= –4.5 V, V

DS

= –5 V

V

DS

= 5 V，I

D

= 5.5 A

V

DS

= -5 V，I

D

= –3.5 A

Q1:

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

Q2:

V

DS

= –10 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

输入最小值典型值最大值单位

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

20

–20

14

–16

1

–1

+100

0.6

–0.6

0.8

–1.0

–3.2

3.0

17

24

23

36

56

49

1.5

–1.5

V

毫伏/°C的

A

nA

开关特性

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

V

毫伏/°C的

Q2

21

35

34

43

70

69

m

I

D（上）

g

FS

通态漏电流

正向跨导

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

30

–15

26

13.2

1082

1030

277

280

130

120

8

11

8

18

24

34

8

34

12

9.7

2

2.2

3

2.4

20

27

32

38

55

16

55

17

16

A

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输

电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

Q2:

V

DS

= -5 V，I

D

= -3.8 A，V

GS

= –4.5 V

Q1:

V

DS

= 10 V，I

D

= 5.5 A，V

GS

= 4.5 V

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

Q1:

V

DD

= 10 V，I

D

= 1 A,

V

GS

= 4.5 V ，R

根

= 6

Q2:

V

DD

= -5 V，I

D

= –1 A,

V

GS

= ± 4.5V ，R

根

= 6

ns

nC

FDW2521C版本D1 （ W）

FDW2521C

电气特性

（续）

符号

参数

T

A

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

TYPE

最小典型最大单位

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

V

SD

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

V

GS

= 0 V，I

S

= 0.83 A

（注2 ）

V

GS

= 0 V，I

S

= –0.83 A

（注2 ）

Q1

Q2

Q1

Q2

0.7

–0.7

0.83

–0.83

1.2

–1.2

A

V

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一）R

θJA

是安装在一个1英寸2铜焊盘上的FR-4时， 125 ℃/ W（稳态）。

B ）R

θJA

为208 ℃/ W（稳态）装上FR- 4的最小铜焊盘的时候。

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

FDW2521C版本D1 （ W）

FDW2521C

典型特征： Q1

30

25

I

D

，漏电流（ A）

20

15

10

5

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

V

DS

，漏源电压（V ）

3.5V

3.0V

2.5V

2.0V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

V

GS

= 4.5V

2.5

2

V

GS

= 2.0V

1.5

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

1

4.5V

0.5

0

5

10

15

20

25

30

I

D

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.07

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 5.5A

V

GS

= 4.5V

1.4

I

D

= 2.8 A

0.06

0.05

0.04

T

A

=

0.03

0.02

0.01

0

1

2

3

4

5

V

GS

，门源电压（ V）

125

o

C

1.2

1

0.8

T

A

= 25

o

C

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

o

125

150

T

J

，结温（ C）

图3.导通电阻变化与

温度。

30

25

o

C

125 C

20

15

10

5

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

V

GS

，门源电压（ V）

o

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

I

S

，反向漏电流（ A）

V

DS

= 5V

25

I

D

，漏电流（ A）

T

A

= -55 C

o

V

GS

= 0V

10

T

A

= 125

o

C

1

25

o

C

0.1

-55

o

C

0.01

0.001

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDW2521C版本D1 （ W）

FDW2521C

典型特征： Q1

5

V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

= 5.5A

4

15V

3

电容（pF）

V

DS

= 5V

10V

1800

1500

C

国际空间站

1200

900

600

C

OSS

300

C

RSS

0

2

4

6

8

10

12

14

0

4

8

12

16

20

Q

g

，栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源极电压（ V）

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

2

1

0

图7.栅极电荷特性。

100

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

R

DS （ ON）

极限

I

D

，漏电流（ A）

10

1s

1

DC

0.1

V

GS

= 4.5V

单脉冲

R

θJA

= 250

o

C / W

T

A

= 25

o

C

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

，漏源电压（V ）

10s

10ms

100ms

1ms

50

图8.电容特性。

40

单脉冲

R

θJA

= 250 ° C / W

T

A

= 25°C

30

20

10

0

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

FDW2521C版本D1 （ W）

FDW2521C

2002年5月

FDW2521C

互补的PowerTrench

MOSFET

概述

此互补的MOSFET器件是使用产生的

飞兆半导体先进的PowerTrench工艺有

特别是针对已尽量减少接通状态

性，但保持低栅极电荷

出色的开关性能。

特点

Q1 ： N沟道

5.5 A， 20 V

R

DS （ ON）

= 21毫欧@ V

GS

= 4.5 V

R

DS （ ON）

= 35毫欧@ V

GS

= 2.5 V

应用

直流/直流转换

电源管理

负荷开关

Q2 ： P通道

-3.8 A， 20 V

DS （ ON）

= 43毫欧@ V

GS

= –4.5 V

R

DS （ ON）

= 70毫欧@ V

GS

= –2.5 V

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

低调TSSOP -8封装

G2

S2

D2

G1

S1

D1

销1

Q1

Q2

1

2

3

4

8

7

6

5

TSSOP-8

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

J

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

功耗

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

Q1

20

（注1A ）

Q2

–20

±12

–3.8

–30

1.0

0.6

-55到+150

单位

V

A

W

°C

±12

5.5

30

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

R

θJA

热阻，结到环境

（注1A ）

（注1B ）

125

208

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

2521C

设备

FDW2521C

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

3000台

2002

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDW2521C版本D（ W）

FDW2521C

电气特性

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿

电压

击穿电压

温度COEF网络cient

零栅压漏

当前

门体漏

（注2 ）

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 250 A

V

GS

= 0 V，I

D

= –250 A

I

D

= 250μA ，引用至25℃

I

D

= -250 μA ，参考25℃

V

DS

= 16 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= –16 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= +12 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= +12 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A

V

DS

= V

GS

, I

D

= –250 A

I

D

= 250μA ，引用至25℃

I

D

= -250 μA ，参考25℃

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 5.5 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 4.2 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 5.5 A，T

J

= 125°C

V

GS

= -4.5 V，I

D

= –3.8 A

V

GS

= -2.5 V，I

D

= –3.0 A

V

GS

= -4.5 V，I

D

= -3.8 A，T

J

= 125°C

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 5 V

V

GS

= –4.5 V, V

DS

= –5 V

V

DS

= 5 V，I

D

= 5.5 A

V

DS

= -5 V，I

D

= –3.5 A

Q1:

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

Q2:

V

DS

= –10 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

输入最小值典型值最大值单位

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

20

–20

14

–16

1

–1

+100

0.6

–0.6

0.8

–1.0

–3.2

3.0

17

24

23

36

56

49

1.5

–1.5

V

毫伏/°C的

A

nA

开关特性

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

V

毫伏/°C的

Q2

21

35

34

43

70

69

m

I

D（上）

g

FS

通态漏电流

正向跨导

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

30

–15

26

13.2

1082

1030

277

280

130

120

8

11

8

18

24

34

8

34

12

9.7

2

2.2

3

2.4

20

27

32

38

55

16

55

17

16

A

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输

电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

Q2:

V

DS

= -5 V，I

D

= -3.8 A，V

GS

= –4.5 V

Q1:

V

DS

= 10 V，I

D

= 5.5 A，V

GS

= 4.5 V

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

Q1:

V

DD

= 10 V，I

D

= 1 A,

V

GS

= 4.5 V ，R

根

= 6

Q2:

V

DD

= -5 V，I

D

= –1 A,

V

GS

= ± 4.5V ，R

根

= 6

ns

nC

FDW2521C版本D（ W）

FDW2521C

电气特性

（续）

符号

参数

T

A

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

TYPE

最小典型最大单位

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

V

SD

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

V

GS

= 0 V，I

S

= 0.83 A

（注2 ）

V

GS

= 0 V，I

S

= –0.83 A

（注2 ）

Q1

Q2

Q1

Q2

0.7

–0.7

0.83

–0.83

1.2

–1.2

A

V

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一）R

θJA

是安装在一个1英寸2铜焊盘上的FR-4时， 125 ℃/ W（稳态）。

B ）R

θJA

为208 ℃/ W（稳态）装上FR- 4的最小铜焊盘的时候。

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

FDW2521C版本D（ W）

FDW2521C

典型特征： Q1

30

25

I

D

，漏电流（ A）

20

15

10

5

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

V

DS

，漏源电压（V ）

3.5V

3.0V

2.5V

2.0V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

V

GS

= 4.5V

2.5

2

V

GS

= 2.0V

1.5

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

1

4.5V

0.5

0

5

10

15

20

25

30

I

D

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.07

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 5.5A

V

GS

= 4.5V

1.4

I

D

= 2.8 A

0.06

0.05

0.04

T

A

=

0.03

0.02

0.01

0

1

2

3

4

5

V

GS

，门源电压（ V）

125

o

C

1.2

1

0.8

T

A

= 25

o

C

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

o

125

150

T

J

，结温（ C）

图3.导通电阻变化与

温度。

30

25

o

C

125

o

C

20

15

10

5

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

V

GS

，门源电压（ V）

I

S

，反向漏电流（ A）

V

DS

= 5V

25

I

D

，漏电流（ A）

T

A

= -55 C

o

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

V

GS

= 0V

10

T

A

= 125

o

C

1

25

o

C

0.1

-55

o

C

0.01

0.001

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDW2521C版本D（ W）

FDW2521C

典型特征： Q1

5

V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

= 5.5A

4

15V

3

电容（pF）

V

DS

= 5V

10V

1800

1500

C

国际空间站

1200

900

600

C

OSS

300

C

RSS

0

2

4

6

8

10

12

14

0

4

8

12

16

20

Q

g

，栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源极电压（ V）

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

2

1

0

图7.栅极电荷特性。

100

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

R

DS （ ON）

极限

I

D

，漏电流（ A）

10

1s

1

DC

0.1

V

GS

= 4.5V

单脉冲

R

θJA

= 250

o

C / W

T

A

= 25

o

C

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

，漏源电压（V ）

10s

10ms

100ms

1ms

50

图8.电容特性。

40

单脉冲

R

θJA

= 250 ° C / W

T

A

= 25°C

30

20

10

0

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

FDW2521C版本D（ W）