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FDW2502P
2000年5月
初步
FDW2502P
双P沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定MOSFET是一种坚固
的门版本飞兆半导体安森美半导体先进
的PowerTrench工艺。它已被优化电源
管理应用程序与各种门的
驱动电压（ 2.5V -12V ） 。
特点
-4.4 A， -20 V.
DS （ ON）
= 0.035
@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.057
@ V
GS
= –2.5 V.
扩展V
GSS
范围（ ± 12V ）电池应用。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
低调TSSOP - 8封装。
应用
负荷开关
电机驱动
直流/直流转换
电源管理
G2
S2
S2
D2
G1
S1
S1
D1
销1
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP-8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
–20
±12
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
–4.4
–30
1.0
0.6
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJ
A
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
125
208
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
2502P
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDW2502P
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
FDW2502P修订版C 1 （W）的
FDW2502P
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= –16 V,
V
GS
= –12 V,
V
GS
= 12 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
–20
典型值
最大
单位
V
开关特性
–17
–1
–100
100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
GS
=
V
GS
=
V
GS
=
V
GS
=
–4.5
–4.5
–2.5
–4.5
V,
V，I
D
V,
V,
I
D
= –4.4 A
= –4.4 ,T
J
=125°C
I
D
= –3.3 A
V
DS
= –5 V
I
D
= –4.4 A
–0.4
-1.0
3.1
0.028
0.039
0.043
–1.5
V
毫伏/°C的
0.035
0.056
0.057
A
I
D（上）
g
FS
–30
17
V
DS
= –5 V,
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= –10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1330
552
153
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
12
V
DD
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
19
60
37
14
V
DS
= –5 V,
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –4.4 A,
3.0
3.9
25
40
100
70
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= –0.83 A
（注2 ）
–0.83
-0.7
–1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一）R
θJA
是安装在一个1英寸2铜焊盘上的FR-4时， 125 ℃/ W（稳态） 。
B ）R
θJA
为208 ℃/ W（稳态）装上FR- 4的最小铜焊盘的时候。
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDW2502P修订版C 1 （W）的
FDW2502P
典型特征
30
-3.5V
-3.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V
– I
D
，漏电流（ A）
-4.0V
20
-2.5V
2
1.8
V
GS
= -2.5V
1.6
-3.0V
1.4
-3.5V
1.2
-4.0V
1
0.8
0
1
2
3
0
5
10
15
20
25
30
-I
D
，漏电流（ A）
-4.5V
10
-2.0V
0
– V
DS
，漏源电压（V ）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.12
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= -4.4A
V
GS
= - 4.5V
I
D
= -4.4 A
0.1
1.4
0.08
1.2
0.06
1
T
A
= 125 C
0.04
T
A
= 25 C
o
o
0.8
0.02
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
0
1
2
3
4
5
-V
GS
，门源电压（ V）
T
J
，结温（ C）
图3.导通电阻变化与
温度。
30
V
DS
= - 5V
25
-I
D
，漏电流（ A）
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
-V
GS
，门源电压（ V）
125
o
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
25 C
o
-I
S
，反向漏电流（ A）
T
A
= -55 C
o
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
V
GS
= 0V
T
A
= 125 C
o
25 C
o
-55 C
o
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDW2502P修订版C 1 （W）的
FDW2502P
典型特征
5
-V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= - 4.4A
4
V
DS
= - 5V
2100
1800
-10V
电容（pF）
1500
1200
900
C
OSS
600
300
C
RSS
C
国际空间站
–15V
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS （ ON）
极限
10
1s
1
DC
0.1
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R
θJA
= 208 C / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
100
0
o
o
图8.电容特性。
50
单脉冲
R
θ
JA
= 208 ° C / W
T
A
= 25°C
1ms
10ms
100ms
10s
40
30
20
10
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
R
θ
JA
（吨） = R（T） + R
θ
JA
R
θ
JA
= 208 ° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注意事项1所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDW2502P修订版C 1 （W）的
TSSOP - 8封装尺寸
TSSOP - 8 （ FS PKG码S4）
1:1
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
如下图所示尺寸以毫米为单位
每单位的部分重量（克）： 0.0334
2000年1月，修订版A
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