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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第281页 > FDV302
1997年10月
FDV302P
数字场效应晶体管， P沟道
概述
这种P沟道逻辑电平增强模式场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，高细胞产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻。这
设备已被设计特别适用于低电压
应用程序作为替换为数字晶体管。自
偏置电阻器不是必需的，这一个P沟道场效应晶体管可以
不同的偏置电阻更换几个数字晶体管
如DTCx和DCDx系列。
特点
-25 V， -0.12连续， - 0.5 A峰值。
R
DS （ ON）
= 13
@ V
GS
= -2.7 V
R
DS （ ON）
= 10
@ V
GS
= -4.5 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
操作3V电路。 V
GS （ TH）
< 1.5V 。
门源齐纳的ESD耐用性。
>6kV人体模型
紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装
封装。
取代许多PNP数字晶体管（ DTCx和DCDx ）
一个DMOS FET 。
SOT-23
马克： 302
SuperSOT -6
TM
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
A
= 25
o
C除非另有说明
FDV302P
-25
-8
单位
V
V
A
- 连续
- 脉冲
-0.12
-0.5
0.35
-55到150
6.0
最大功率耗散
工作和存储温度范围
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型（ 100pF电容/ 1500欧姆）
W
°C
kV
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
357
° C / W
1997仙童半导体公司
FDV302P REV 。 F
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSS
门 - 体泄漏电流
（注）
-25
-20
-1
-10
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
毫伏/
o
C
-1.5
13
10
18
A
0.135
S
V
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
V
GS
= -2.7 V，I
D
= -0.05 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -0.2 A
T
J
=125°C
-0.65
1.9
-1
10.6
7.9
12
-0.05
基本特征
V
GS （ TH）
/
T
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压温度。系数
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= -2.7 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -5 V，I
D
= -0.2 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注）
11
7
1.4
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -6 V，I
D
= -0.2 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 50
5
8
9
5
12
16
18
10
0.31
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -5 V，I
D
= -0.2 A,
V
GS
= -4.5 V
0.22
0.11
0.04
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.2 A
（注）
-0.2
-1
-1.5
A
V
注意：
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDV302P REV 。 F
典型电气特性
0.2
2
漏源导通电阻
-I
D
，漏源电流（A ）
V
GS
= -5.0V
-4.5
0.15
-4.0
-3.5
R
DS （ ON）
归一化
-3.0
-2.7
V
GS
= -2.0 V
1.5
-2.5
-2.7
-3.0
0.1
-2.5
1
0.05
-2.0
-4.0
-3.5
-4.5
0
0
1
2
3
4
0.5
0
0.05
0.1
-I
D
，漏电流（ A）
0.15
0.2
-V
DS
，漏源电压（V ）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
25
I
D
= -0.05A
1.4
TA = 25℃
20
I
D
= -0.05A
125 °C
V
GS
= -2.7V
1.2
15
1
10
0.8
5
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻与变异
栅 - 源电压。
0.08
25°C
-I
D
，漏电流（ A）
0.06
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5V
T
A
= -55°C
125°C
0.5
V
GS
= 0V
0.1
TJ = 125°C
25°C
0.04
0.01
-55°C
0.001
0.02
0
0.5
1
-V
GS
1.5
2
2.5
3
，门源电压（ V）
0.0001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流和
温度。
FDV302P REV 。 F
典型的电气和热特性
8
-V
GS
，栅源电压（V ）
25
I
D
= -0.2A
6
V
DS
= -5V
-15
-10
电容（pF）
15
10
国际空间站
科斯
4
5
3
2
2
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.3
1
2
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Q
g
，栅极电荷（ NC）
CRSS
10
15
25
1
0.1
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
1
0.5
N)
LI
T
MI
5
-I
D
，漏电流（ A）
1m
(O
DS
10
0m
s
s
功率（W）的
4
0.2
0.1
0.05
单脉冲
R
θ
JA
= 357 ° C / W
T
A
= 25°C
R
1s
10
s
3
2
0.02
0.01
V
GS
= -2.7V
单脉冲
R
θ
JA
= 357 ° C / W
T
A
= 25°C
1
2
5
DC
1
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
10
15
20
30
40
单脉冲时间（秒）
- V
DS
，漏源电压（V ）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
1
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 357 ° C / W
t
1
T
J
- T
t
2
= P * R
JA
(t)
θ
占空比D = T
1
/t
2
A
100
300
图11.瞬态热响应曲线
.
FDV302P REV 。 F
1997年10月
FDV302P
数字场效应晶体管， P沟道
概述
这种P沟道逻辑电平增强模式场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，高细胞产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻。这
设备已被设计特别适用于低电压
应用程序作为替换为数字晶体管。自
偏置电阻器不是必需的，这一个P沟道场效应晶体管可以
不同的偏置电阻更换几个数字晶体管
如DTCx和DCDx系列。
特点
-25 V， -0.12连续， - 0.5 A峰值。
R
DS （ ON）
= 13
@ V
GS
= -2.7 V
R
DS （ ON）
= 10
@ V
GS
= -4.5 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
操作3V电路。 V
GS （ TH）
< 1.5V 。
门源齐纳的ESD耐用性。
>6kV人体模型
紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装
封装。
取代许多PNP数字晶体管（ DTCx和DCDx ）
一个DMOS FET 。
SOT-23
马克： 302
SuperSOT -6
TM
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
A
= 25
o
C除非另有说明
FDV302P
-25
-8
单位
V
V
A
- 连续
- 脉冲
-0.12
-0.5
0.35
-55到150
6.0
最大功率耗散
工作和存储温度范围
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型（ 100pF电容/ 1500欧姆）
W
°C
kV
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
357
° C / W
1997仙童半导体公司
FDV302P REV 。 F
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSS
门 - 体泄漏电流
（注）
-25
-20
-1
-10
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
毫伏/
o
C
-1.5
13
10
18
A
0.135
S
V
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
V
GS
= -2.7 V，I
D
= -0.05 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -0.2 A
T
J
=125°C
-0.65
1.9
-1
10.6
7.9
12
-0.05
基本特征
V
GS （ TH）
/
T
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压温度。系数
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= -2.7 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -5 V，I
D
= -0.2 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注）
11
7
1.4
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -6 V，I
D
= -0.2 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 50
5
8
9
5
12
16
18
10
0.31
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -5 V，I
D
= -0.2 A,
V
GS
= -4.5 V
0.22
0.11
0.04
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.2 A
（注）
-0.2
-1
-1.5
A
V
注意：
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDV302P REV 。 F
典型电气特性
0.2
2
漏源导通电阻
-I
D
，漏源电流（A ）
V
GS
= -5.0V
-4.5
0.15
-4.0
-3.5
R
DS （ ON）
归一化
-3.0
-2.7
V
GS
= -2.0 V
1.5
-2.5
-2.7
-3.0
0.1
-2.5
1
0.05
-2.0
-4.0
-3.5
-4.5
0
0
1
2
3
4
0.5
0
0.05
0.1
-I
D
，漏电流（ A）
0.15
0.2
-V
DS
，漏源电压（V ）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
25
I
D
= -0.05A
1.4
TA = 25℃
20
I
D
= -0.05A
125 °C
V
GS
= -2.7V
1.2
15
1
10
0.8
5
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻与变异
栅 - 源电压。
0.08
25°C
-I
D
，漏电流（ A）
0.06
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5V
T
A
= -55°C
125°C
0.5
V
GS
= 0V
0.1
TJ = 125°C
25°C
0.04
0.01
-55°C
0.001
0.02
0
0.5
1
-V
GS
1.5
2
2.5
3
，门源电压（ V）
0.0001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流和
温度。
FDV302P REV 。 F
典型的电气和热特性
8
-V
GS
，栅源电压（V ）
25
I
D
= -0.2A
6
V
DS
= -5V
-15
-10
电容（pF）
15
10
国际空间站
科斯
4
5
3
2
2
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.3
1
2
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Q
g
，栅极电荷（ NC）
CRSS
10
15
25
1
0.1
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
1
0.5
N)
LI
T
MI
5
-I
D
，漏电流（ A）
1m
(O
DS
10
0m
s
s
功率（W）的
4
0.2
0.1
0.05
单脉冲
R
θ
JA
= 357 ° C / W
T
A
= 25°C
R
1s
10
s
3
2
0.02
0.01
V
GS
= -2.7V
单脉冲
R
θ
JA
= 357 ° C / W
T
A
= 25°C
1
2
5
DC
1
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
10
15
20
30
40
单脉冲时间（秒）
- V
DS
，漏源电压（V ）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
1
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 357 ° C / W
t
1
T
J
- T
t
2
= P * R
JA
(t)
θ
占空比D = T
1
/t
2
A
100
300
图11.瞬态热响应曲线
.
FDV302P REV 。 F
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FMM382CG
FPD85310VJD
FC217R
FFPF15U20S
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