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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第104页 > FDU8880
FDU8880
2004年11月
FDU8880
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 58A ，为10mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
r
DS （ ON）
= 10MΩ ，V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
r
DS （ ON）
= 13mΩ ，V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅极电荷
应用
DC / DC转换
高功率和电流处理能力
D
I- PAK
(TO-251AA)
摹 S
G
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（注1 ）
I
D
连续（T
C
=
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注2 ）
功耗
减免上述
25
o
C
工作和存储温度
25
o
C,
V
GS
= 4.5V ）（注1）
V
GS
= 10V ，其中R
θJA
=
52
o
C / W ）
连续（T
AMB
=
25
o
C,
58
51
13
图4
53
55
0.37
-55至175
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
参数
评级
30
±20
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳TO- 251
热阻结到环境TO- 251
热阻结到环境TO- 251 ，
1in
2
铜层的面积
2.73
100
52
o
o
C / W
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDU8880
FDU8880
2004仙童半导体公司
设备
FDU8880
FDU8880_NL （注3）
包
TO-251AA
TO-251AA
带尺寸
管
管
胶带宽度
不适用
不适用
QUANTITY
75个单位
75个单位
FDU8880牧师B2
FDU8880
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150 C
o
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 35A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
1.2
-
-
-
-
0.007
0.009
0.013
2.5
0.010
0.013
0.016
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 10
-
-
-
-
-
8
91
38
33
-
147
-
-
-
-
108
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V
I
D
= 35A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1260
260
150
2.3
23
13
1.3
3.8
2.5
5.0
-
-
-
-
31
17
1.7
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 35A
I
SD
= 15A
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
27
14
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
封装电流限制为35A 。
2:
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.14mH ，我
AS
= 28A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
FDU8880_NL是无铅产品。 FDU8880_NL标志将出现在卷标上。
2004仙童半导体公司
FDU8880牧师B2
FDU8880
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
60
电流限制
按封装
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
50
0.8
40
V
GS
= 10V
30
V
GS
= 4.5V
20
0.6
0.4
0.2
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
跨
可能限流
在这个区域
I
DM
峰值电流（ A）
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 4.5V
100
30
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2004仙童半导体公司
FDU8880牧师B2
FDU8880
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1000
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
10s
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
60
10ms
DC
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
1ms
1
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
图5.正向偏置安全工作区
注意：
参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
80
80
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
60
V
GS
= 5V
60
V
GS
= 10V
40
V
GS
= 3V
20
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0.25
0.5
0.75
1.0
V
GS
= 4V
40
T
J
= 25
o
C
20
T
J
= 175
o
C
0
1.5
T
J
= -55
o
C
0
2.0
2.5
3.0
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
25
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 35A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
图8.饱和特性
1.8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.6
1.4
15
I
D
= 1A
10
1.2
1.0
0.8
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
5
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.6
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
200
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2004仙童半导体公司
FDU8880牧师B2
FDU8880
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
1.10
I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
1.05
0.8
1.00
0.6
0.95
0.4
-80
-40
0
40
80
120
o
160
200
0.90
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
T
J
，结温（ C）
T
J
，结温
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
2000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
1000
C，电容（pF ）
C
RSS
=
C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
图12.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
DD
= 15V
V
GS
，门源电压（ V）
8
6
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 35A
I
D
= 1A
0
5
10
15
Q
g
，栅极电荷（ NC）
20
25
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
100
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
0
图13.电容VS漏极至源极
电压
图14.门充电波形恒
栅电流
2004仙童半导体公司
FDU8880牧师B2
FDU8880
五月
2008
FDU8880
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 58A ，为10mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
tm
特点
r
DS （ ON）
= 10MΩ ，V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
r
DS （ ON）
= 13mΩ ，V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅极电荷
应用
DC / DC转换
高功率和电流处理能力
D
I- PAK
(TO-251AA)
摹 S
G
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（注1 ）
I
D
连续（T
C
=
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注2 ）
功耗
减免上述
25
o
C
工作和存储温度
25
o
C,
V
GS
= 4.5V ）（注1）
V
GS
= 10V ，其中R
θJA
=
52
o
C / W ）
连续（T
AMB
=
25
o
C,
58
51
13
图4
53
55
0.37
-55至175
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
参数
评级
30
±20
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳TO- 251
热阻结到环境TO- 251
热阻结到环境TO- 251 ，
1in
2
铜层的面积
2.73
100
52
o
o
C / W
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDU8880
设备
FDU8880
包
TO-251AA
带尺寸
管
胶带宽度
不适用
QUANTITY
75个单位
2008飞兆半导体公司
FDU8880 B3版本
FDU8880
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150 C
o
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 35A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
1.2
-
-
-
-
0.007
0.009
0.013
2.5
0.010
0.013
0.016
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 10
-
-
-
-
-
8
91
38
33
-
147
-
-
-
-
108
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V
I
D
= 35A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1260
260
150
2.3
23
13
1.3
3.8
2.5
5.0
-
-
-
-
31
17
1.7
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 35A
I
SD
= 15A
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
27
14
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
封装电流限制为35A 。
2:
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.14mH ，我
AS
= 28A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3
2008飞兆半导体公司
FDU8880 B3版本
FDU8880
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
60
电流限制
按封装
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
50
0.8
40
V
GS
= 10V
30
V
GS
= 4.5V
20
0.6
0.4
0.2
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
跨
可能限流
在这个区域
I
DM
峰值电流（ A）
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 4.5V
100
30
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2008飞兆半导体公司
FDU8880 B3版本
FDU8880
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1000
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
10s
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
60
10ms
DC
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
1ms
1
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
图5.正向偏置安全工作区
注意：
参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
80
80
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
60
V
GS
= 5V
60
V
GS
= 10V
40
V
GS
= 3V
20
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0.25
0.5
0.75
1.0
V
GS
= 4V
40
T
J
= 25
o
C
20
T
J
= 175
o
C
0
1.5
T
J
= -55
o
C
0
2.0
2.5
3.0
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
25
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 35A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
图8.饱和特性
1.8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.6
1.4
15
I
D
= 1A
10
1.2
1.0
0.8
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
5
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.6
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
200
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2008飞兆半导体公司
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FDU8880
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
1.10
I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
1.05
0.8
1.00
0.6
0.95
0.4
-80
-40
0
40
80
120
o
160
200
0.90
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
T
J
，结温（ C）
T
J
，结温
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
2000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
1000
C，电容（pF ）
C
RSS
=
C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
图12.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
DD
= 15V
V
GS
，门源电压（ V）
8
6
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 35A
I
D
= 1A
0
5
10
15
Q
g
，栅极电荷（ NC）
20
25
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
100
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
0
图13.电容VS漏极至源极
电压
图14.门充电波形恒
栅电流
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