FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2006年3月
FDD8796/FDU8796
N沟道的PowerTrench
MOSFET
25V ，35A ， 5.7mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
最大
DS （ ON）
=
5.7mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
最大
DS （ ON）
=
8.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
低栅极电荷：Q
g(10)
= 37nC （典型值） ，V
GS
= 10V
低栅极电阻
应用
核心电压DC-DC用于台式计算机和服务器
VRM用于中间总线架构
额定雪崩和100 ％测试
符合RoHS
LE
A
稀土
I
DF
D
M
E
N
TA
TIO
L
E
N
MP
G
D
摹 S
I- PAK
(TO-251AA)
S
短引线I- PAK
G
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
- 连续（包装有限公司）
- 连续（模具有限公司）
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
工作和存储温度
（注1 ）
（注2 ）
参数
评级
25
±20
35
98
305
91
88
-55至175
mJ
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳TO_252 ， TO_251
热阻，结到环境TO_252 ， TO_251
热阻，结到环境TO- 252,1in铜焊盘面积
2
1.7
100
52
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8796
FDU8796
FDU8796
设备
FDD8796
FDU8796
FDU8796_F071
包
TO-252AA
TO-251AA
TO-251AA
1
带尺寸
13’’
N / A （管）
N / A （管）
胶带宽度
12mm
不适用
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
75个单位
www.fairchildsemi.com
2006仙童半导体公司
FDD8796 / FDU8796版本B
FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
DS
= 20V
V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
V
DS
= 10V ，我
D
= 35A
T
J
= 175°C
1.2
1.8
-6.7
4.5
6.0
6.9
5.7
8.0
9.5
m
T
J
= 150°C
民
25
7
1
250
±100
典型值
最大
单位
V
毫伏/°C的
A
nA
开关特性
B
VDSS
B
VDSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
基本特征
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
2.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
1960
455
315
1.1
2610
605
475
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏电荷
V
GS
= 0 to10V
V
GS
= 0 5V V
DD
=13V,
I
D
= 35A,
I
g
= 1.0毫安
V
DD
= 13V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 20
10
24
99
57
37
19
6
6
20
39
158
91
52
27
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 35A
V
GS
= 0V时，我
S
= 15A
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
0.9
0.8
30
23
1.25
1.0
45
35
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
脉冲时间< 300μS ，占空比= 2 ％ 。
2:
起始物为
J
= 25°C,
L = 0.3mH ，我
AS
= 24.7A ，V
DD
= 23V, V
GS
= 10V.
FDD8796 / FDU8796版本B
2
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FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
归
漏极至源极导通电阻
70
60
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
50
40
30
20
10
0
0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 10V
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
60
70
图1.地区特点
图2.归一导通电阻与漏
电流和栅极电压
14
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
，导通电阻
(
m
)
I
D
= 35A
I
D
=35A
12
10
8
6
4
2
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
-40
0
40
80
120
160
o
T
J
，结温
(
C
)
200
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.归一通电阻VS结
温度
70
图4.导通电阻与栅极至源极
电压
100
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175
o
C
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
J
= 175
o
C
1
0.1
0.01
1E-3
0.0
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管正向
VS电压源电流
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3
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
6
4
2
0
V
DD
= 10V
V
DD
= 13V
V
DD
= 16V
4000
C
国际空间站
电容（pF）
1000
C
OSS
C
RSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
0
10
20
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
40
100
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
50
I
AS
，雪崩电流（ A）
图8.电容VS漏源极电压
100
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 25
o
C
80
V
GS
= 10V
10
T
J
=
125
o
C
60
40
20
0
25
V
GS
= 4.5V
T
J
= 150
o
C
R
θ
JC
=
1.7 C / W
o
1
0.01
0.1
1
10
100 300
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
50
75
100
125
150
o
C
)
T
C
，外壳温度
(
175
图9.松开电感开关
能力
1000
图10.最大连续漏极电流与
外壳温度
10000
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
I
D
，漏电流（ A）
10us
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
175
–
T
C
----------------------
-
150
100
100us
10
受
包
1000
I = I
25
1ms
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
=
25
o
C
1
操作在此
区域可以
受
r
DS （ ON）
10ms
DC
100
50
-5
10
单脉冲
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
40
10
-4
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
图11.正向偏置安全工作区
图12.单脉冲最大功率
耗散
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4
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JC
占空比， DESENDING订单
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
单脉冲
1E-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
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5
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MOSFET
2006年3月
FDD8796/FDU8796
N沟道的PowerTrench
MOSFET
25V ，35A ， 5.7mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
最大
DS （ ON）
=
5.7mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
最大
DS （ ON）
=
8.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
低栅极电荷：Q
g(10)
= 37nC （典型值） ，V
GS
= 10V
低栅极电阻
应用
核心电压DC-DC用于台式计算机和服务器
VRM用于中间总线架构
额定雪崩和100 ％测试
符合RoHS
LE
A
稀土
I
DF
D
M
E
N
TA
TIO
L
E
N
MP
G
D
摹 S
I- PAK
(TO-251AA)
S
短引线I- PAK
G
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
- 连续（包装有限公司）
- 连续（模具有限公司）
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
工作和存储温度
（注1 ）
（注2 ）
参数
评级
25
±20
35
98
305
91
88
-55至175
mJ
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳TO_252 ， TO_251
热阻，结到环境TO_252 ， TO_251
热阻，结到环境TO- 252,1in铜焊盘面积
2
1.7
100
52
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8796
FDU8796
FDU8796
设备
FDD8796
FDU8796
FDU8796_F071
包
TO-252AA
TO-251AA
TO-251AA
1
带尺寸
13’’
N / A （管）
N / A （管）
胶带宽度
12mm
不适用
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
75个单位
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2006仙童半导体公司
FDD8796 / FDU8796版本B
FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
DS
= 20V
V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
V
DS
= 10V ，我
D
= 35A
T
J
= 175°C
1.2
1.8
-6.7
4.5
6.0
6.9
5.7
8.0
9.5
m
T
J
= 150°C
民
25
7
1
250
±100
典型值
最大
单位
V
毫伏/°C的
A
nA
开关特性
B
VDSS
B
VDSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
基本特征
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
2.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
1960
455
315
1.1
2610
605
475
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏电荷
V
GS
= 0 to10V
V
GS
= 0 5V V
DD
=13V,
I
D
= 35A,
I
g
= 1.0毫安
V
DD
= 13V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 20
10
24
99
57
37
19
6
6
20
39
158
91
52
27
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 35A
V
GS
= 0V时，我
S
= 15A
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
0.9
0.8
30
23
1.25
1.0
45
35
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
脉冲时间< 300μS ，占空比= 2 ％ 。
2:
起始物为
J
= 25°C,
L = 0.3mH ，我
AS
= 24.7A ，V
DD
= 23V, V
GS
= 10V.
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2
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FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
归
漏极至源极导通电阻
70
60
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
50
40
30
20
10
0
0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 10V
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
60
70
图1.地区特点
图2.归一导通电阻与漏
电流和栅极电压
14
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
，导通电阻
(
m
)
I
D
= 35A
I
D
=35A
12
10
8
6
4
2
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
-40
0
40
80
120
160
o
T
J
，结温
(
C
)
200
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.归一通电阻VS结
温度
70
图4.导通电阻与栅极至源极
电压
100
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175
o
C
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
J
= 175
o
C
1
0.1
0.01
1E-3
0.0
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管正向
VS电压源电流
FDD8796 / FDU8796版本B
3
www.fairchildsemi.com
FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
6
4
2
0
V
DD
= 10V
V
DD
= 13V
V
DD
= 16V
4000
C
国际空间站
电容（pF）
1000
C
OSS
C
RSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
0
10
20
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
40
100
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
50
I
AS
，雪崩电流（ A）
图8.电容VS漏源极电压
100
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 25
o
C
80
V
GS
= 10V
10
T
J
=
125
o
C
60
40
20
0
25
V
GS
= 4.5V
T
J
= 150
o
C
R
θ
JC
=
1.7 C / W
o
1
0.01
0.1
1
10
100 300
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
50
75
100
125
150
o
C
)
T
C
，外壳温度
(
175
图9.松开电感开关
能力
1000
图10.最大连续漏极电流与
外壳温度
10000
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
I
D
，漏电流（ A）
10us
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
175
–
T
C
----------------------
-
150
100
100us
10
受
包
1000
I = I
25
1ms
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
=
25
o
C
1
操作在此
区域可以
受
r
DS （ ON）
10ms
DC
100
50
-5
10
单脉冲
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
40
10
-4
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
图11.正向偏置安全工作区
图12.单脉冲最大功率
耗散
FDD8796 / FDU8796版本B
4
www.fairchildsemi.com
FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JC
占空比， DESENDING订单
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
单脉冲
1E-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
FDD8796 / FDU8796版本B
5
www.fairchildsemi.com
FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2006年3月
FDD8796/FDU8796
N沟道的PowerTrench
MOSFET
25V ，35A ， 5.7mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
最大
DS （ ON）
=
5.7mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
最大
DS （ ON）
=
8.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
低栅极电荷：Q
g(10)
= 37nC （典型值） ，V
GS
= 10V
低栅极电阻
应用
核心电压DC-DC用于台式计算机和服务器
VRM用于中间总线架构
额定雪崩和100 ％测试
符合RoHS
LE
A
稀土
I
DF
D
M
E
N
TA
TIO
L
E
N
MP
G
D
摹 S
I- PAK
(TO-251AA)
S
短引线I- PAK
G
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
- 连续（包装有限公司）
- 连续（模具有限公司）
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
工作和存储温度
（注1 ）
（注2 ）
参数
评级
25
±20
35
98
305
91
88
-55至175
mJ
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳TO_252 ， TO_251
热阻，结到环境TO_252 ， TO_251
热阻，结到环境TO- 252,1in铜焊盘面积
2
1.7
100
52
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8796
FDU8796
FDU8796
设备
FDD8796
FDU8796
FDU8796_F071
包
TO-252AA
TO-251AA
TO-251AA
1
带尺寸
13’’
N / A （管）
N / A （管）
胶带宽度
12mm
不适用
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
75个单位
www.fairchildsemi.com
2006仙童半导体公司
FDD8796 / FDU8796版本B
FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
DS
= 20V
V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
V
DS
= 10V ，我
D
= 35A
T
J
= 175°C
1.2
1.8
-6.7
4.5
6.0
6.9
5.7
8.0
9.5
m
T
J
= 150°C
民
25
7
1
250
±100
典型值
最大
单位
V
毫伏/°C的
A
nA
开关特性
B
VDSS
B
VDSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
基本特征
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
2.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
1960
455
315
1.1
2610
605
475
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏电荷
V
GS
= 0 to10V
V
GS
= 0 5V V
DD
=13V,
I
D
= 35A,
I
g
= 1.0毫安
V
DD
= 13V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 20
10
24
99
57
37
19
6
6
20
39
158
91
52
27
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 35A
V
GS
= 0V时，我
S
= 15A
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
0.9
0.8
30
23
1.25
1.0
45
35
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
脉冲时间< 300μS ，占空比= 2 ％ 。
2:
起始物为
J
= 25°C,
L = 0.3mH ，我
AS
= 24.7A ，V
DD
= 23V, V
GS
= 10V.
FDD8796 / FDU8796版本B
2
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FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
归
漏极至源极导通电阻
70
60
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
50
40
30
20
10
0
0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 10V
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
60
70
图1.地区特点
图2.归一导通电阻与漏
电流和栅极电压
14
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
，导通电阻
(
m
)
I
D
= 35A
I
D
=35A
12
10
8
6
4
2
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
-40
0
40
80
120
160
o
T
J
，结温
(
C
)
200
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.归一通电阻VS结
温度
70
图4.导通电阻与栅极至源极
电压
100
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175
o
C
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
J
= 175
o
C
1
0.1
0.01
1E-3
0.0
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管正向
VS电压源电流
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FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
6
4
2
0
V
DD
= 10V
V
DD
= 13V
V
DD
= 16V
4000
C
国际空间站
电容（pF）
1000
C
OSS
C
RSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
0
10
20
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
40
100
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
50
I
AS
，雪崩电流（ A）
图8.电容VS漏源极电压
100
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 25
o
C
80
V
GS
= 10V
10
T
J
=
125
o
C
60
40
20
0
25
V
GS
= 4.5V
T
J
= 150
o
C
R
θ
JC
=
1.7 C / W
o
1
0.01
0.1
1
10
100 300
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
50
75
100
125
150
o
C
)
T
C
，外壳温度
(
175
图9.松开电感开关
能力
1000
图10.最大连续漏极电流与
外壳温度
10000
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
I
D
，漏电流（ A）
10us
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
175
–
T
C
----------------------
-
150
100
100us
10
受
包
1000
I = I
25
1ms
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
=
25
o
C
1
操作在此
区域可以
受
r
DS （ ON）
10ms
DC
100
50
-5
10
单脉冲
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
40
10
-4
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
图11.正向偏置安全工作区
图12.单脉冲最大功率
耗散
FDD8796 / FDU8796版本B
4
www.fairchildsemi.com
FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JC
占空比， DESENDING订单
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
单脉冲
1E-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
FDD8796 / FDU8796版本B
5
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FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2006年3月
FDD8796/FDU8796
N沟道的PowerTrench
MOSFET
25V ，35A ， 5.7mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
最大
DS （ ON）
=
5.7mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
最大
DS （ ON）
=
8.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
低栅极电荷：Q
g(10)
= 37nC （典型值） ，V
GS
= 10V
低栅极电阻
应用
核心电压DC-DC用于台式计算机和服务器
VRM用于中间总线架构
额定雪崩和100 ％测试
符合RoHS
LE
A
稀土
I
DF
D
M
E
N
TA
TIO
L
E
N
MP
G
D
摹 S
I- PAK
(TO-251AA)
S
短引线I- PAK
G
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
- 连续（包装有限公司）
- 连续（模具有限公司）
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
工作和存储温度
（注1 ）
（注2 ）
参数
评级
25
±20
35
98
305
91
88
-55至175
mJ
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳TO_252 ， TO_251
热阻，结到环境TO_252 ， TO_251
热阻，结到环境TO- 252,1in铜焊盘面积
2
1.7
100
52
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8796
FDU8796
FDU8796
设备
FDD8796
FDU8796
FDU8796_F071
包
TO-252AA
TO-251AA
TO-251AA
1
带尺寸
13’’
N / A （管）
N / A （管）
胶带宽度
12mm
不适用
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
75个单位
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2006仙童半导体公司
FDD8796 / FDU8796版本B
FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
DS
= 20V
V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
V
DS
= 10V ，我
D
= 35A
T
J
= 175°C
1.2
1.8
-6.7
4.5
6.0
6.9
5.7
8.0
9.5
m
T
J
= 150°C
民
25
7
1
250
±100
典型值
最大
单位
V
毫伏/°C的
A
nA
开关特性
B
VDSS
B
VDSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
基本特征
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
2.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
1960
455
315
1.1
2610
605
475
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏电荷
V
GS
= 0 to10V
V
GS
= 0 5V V
DD
=13V,
I
D
= 35A,
I
g
= 1.0毫安
V
DD
= 13V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 20
10
24
99
57
37
19
6
6
20
39
158
91
52
27
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 35A
V
GS
= 0V时，我
S
= 15A
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
0.9
0.8
30
23
1.25
1.0
45
35
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
脉冲时间< 300μS ，占空比= 2 ％ 。
2:
起始物为
J
= 25°C,
L = 0.3mH ，我
AS
= 24.7A ，V
DD
= 23V, V
GS
= 10V.
FDD8796 / FDU8796版本B
2
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FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
归
漏极至源极导通电阻
70
60
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
50
40
30
20
10
0
0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 10V
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
60
70
图1.地区特点
图2.归一导通电阻与漏
电流和栅极电压
14
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
，导通电阻
(
m
)
I
D
= 35A
I
D
=35A
12
10
8
6
4
2
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
-40
0
40
80
120
160
o
T
J
，结温
(
C
)
200
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.归一通电阻VS结
温度
70
图4.导通电阻与栅极至源极
电压
100
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175
o
C
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
J
= 175
o
C
1
0.1
0.01
1E-3
0.0
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管正向
VS电压源电流
FDD8796 / FDU8796版本B
3
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FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
6
4
2
0
V
DD
= 10V
V
DD
= 13V
V
DD
= 16V
4000
C
国际空间站
电容（pF）
1000
C
OSS
C
RSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
0
10
20
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
40
100
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
50
I
AS
，雪崩电流（ A）
图8.电容VS漏源极电压
100
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 25
o
C
80
V
GS
= 10V
10
T
J
=
125
o
C
60
40
20
0
25
V
GS
= 4.5V
T
J
= 150
o
C
R
θ
JC
=
1.7 C / W
o
1
0.01
0.1
1
10
100 300
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
50
75
100
125
150
o
C
)
T
C
，外壳温度
(
175
图9.松开电感开关
能力
1000
图10.最大连续漏极电流与
外壳温度
10000
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
I
D
，漏电流（ A）
10us
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
175
–
T
C
----------------------
-
150
100
100us
10
受
包
1000
I = I
25
1ms
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
=
25
o
C
1
操作在此
区域可以
受
r
DS （ ON）
10ms
DC
100
50
-5
10
单脉冲
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
40
10
-4
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
图11.正向偏置安全工作区
图12.单脉冲最大功率
耗散
FDD8796 / FDU8796版本B
4
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JC
占空比， DESENDING订单
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
单脉冲
1E-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
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