FDD8778 / FDU8778的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2006年5月
FDD8778/FDU8778
N沟道的PowerTrench
MOSFET
25V ，35A ， 14mΩ
特点
概述
最大
DS （ ON）
=
14.0mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
最大
DS （ ON）
=
21.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 33A
低栅极电荷：Q
G（ TOT ）
= 12.6nC （典型值） ，V
GS
= 10V
低栅极电阻
符合RoHS
LE
A
稀土
I
DF
tm
这N沟道MOSFET的设计专门
用，以提高直流/直流转换器的总效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
应用
DC-DC用于台式计算机和服务器
VRM用于中间总线架构
摹 S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
- 连续（模具有限公司）
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
工作和存储温度
（注1 ）
（注2 ）
参数
评级
25
±20
35
40
145
24
39
-55至175
mJ
W
°C
A
单位
V
V
M
E
N
TA
TIO
L
E
N
MP
D
G
D
I- PAK
(TO-251AA)
S
短引线I- PAK
G
S
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳TO- 252 ， TO- 251
热阻，结到环境TO- 252 ， TO- 251
热阻，结到环境TO- 252,1in
2
铜层的面积
3.8
100
52
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8778
FDU8778
FDU8778
设备
FDD8778
FDU8778
FDU8778_F071
包
TO-252AA
TO-251AA
TO-251AA
1
带尺寸
13’’
N / A （管）
N / A （管）
胶带宽度
12mm
不适用
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
75个单位
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2006仙童半导体公司
FDD8778 / FDU8778版本A
FDD8778 / FDU8778的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
DS
= 20V,
V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
T
J
= 150°C
25
17.2
1
250
±10
V
毫伏/°C的
A
A
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 33A
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
T
J
= 175°C
1.2
1.5
-5.3
11.6
15.7
18.2
14.0
21.0
23.8
m
2.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
635
160
108
1.3
845
215
162
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
DD
= 13V
I
D
= 35A
I
g
= 1.0毫安
V
DD
= 13V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 27
6
22
43
32
12.6
6.7
2.1
3.2
12
35
69
51
18
9.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 35A
V
GS
= 0V时，我
S
= 15A
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
1.03
0.89
25
17
1.25
1.2
38
26
V
ns
nC
注意事项：
1:
脉冲时间< 300μS ，占空比= 2 ％ 。
2:
起始物为
J
= 25
o
C，L = 0.1mH ，我
AS
= 22A ，V
DD
= 23V, V
GS
= 10V.
FDD8778 / FDU8778版本A
2
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FDD8778 / FDU8778的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
70
60
I
D
，漏电流（ A）
归
漏极至源极导通电阻
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V
V
GS
= 5.0V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 4.0V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 3.5V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
V
GS
= 3V
2.0
2.5
3.0
3.5
0
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
60
70
图1.地区特点
图2.归一导通电阻与漏
电流和栅极电压
50
r
DS （ ON）
，沥去
源导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
I
D
= 35A
V
GS
= 10V
I
D
= 35A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
40
30
T
J
= 175
o
C
20
10
0
3.0
T
J
= 25
o
C
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温
(
o
C
)
200
4.5
6.0
7.5
9.0
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.归一通电阻VS结
温度
70
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
1.0
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= - 55
o
C
V
DD
= 5V
图4.导通电阻与栅极至源极
电压
100
I
S
，反向漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 0V
10
1
0.1
0.01
1E-3
0.0
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
5.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管正向
VS电压源电流
3
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FDD8778 / FDU8778版本A
FDD8778 / FDU8778的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
电容（pF）
2000
1000
C
国际空间站
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
6
4
2
0
V
DD
= 10V
V
DD
= 13V
C
OSS
V
DD
= 16V
C
RSS
100
0
3
6
9
Q
g
，栅极电荷（ NC）
12
15
40
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
50
图8.电容VS漏源极电压
50
I
D
，漏电流（ A）
40
V
GS
=10V
I
AS
，雪崩电流
(
A
)
10
T
J
= 25
o
C
30
20
V
GS
=4.5V
T
J
= 125
o
C
T
J
= 150
o
C
10
R
θ
JC
= 3.8 C / W
o
1
1E-3
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
0
25
50
75
100
125
o
150
175
T
C
，外壳温度
(
C
)
图9.松开电感开关
能力
400
100
I
D
，漏电流（ A）
10us
图10.最大连续漏极电流与
外壳温度
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
5000
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175
–
T
C
----------------------
-
150
1000
100us
10
受
包
100
1ms
10ms
单脉冲
TJ =最大额定
TC = 25
O
C
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
DC
单脉冲
0.1
1
10
-5
10
10
-4
10
V
DS
，漏源电压（V ）
50
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
图11.正向偏置安全工作区
图12.单脉冲最大功率
耗散
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FDD8778 / FDU8778的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
占空比，降序排列
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
归热
阻抗Z
θ
JC
P
DM
0.1
t
1
t
2
单脉冲
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
0.01
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
FDD8778 / FDU8778版本A
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