【FDD6682/FDU66822004年6月FDD6682/FDU668230V N沟道的Power】,IC型号FDU6682,FDU6682 PDF资料,FDU6682经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDD6682/FDU6682

2004年6月

FDD6682/FDU6682

30V N沟道的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道MOSFET的设计

具体而言，以提高直流/直流整体效率

使用同步或传统转换器

开关PWM控制器。它已被优化为

低栅极电荷，低R

DS （ ON）

和快速的开关速度。

特点

75 A， 30 V

R

DS （ ON）

= 6.2毫欧@ V

GS

= 10 V

R

DS （ ON）

= 8.0毫欧@ V

GS

= 4.5 V

低栅电荷

快速开关

应用

DC / DC转换器

电机驱动

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

D

G

S

I- PAK

(TO-251AA)

摹 S

G

D- PAK

TO-252

(TO-252)

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

T

A

= 25°C除非另有说明

o

参数

评级

30

±20

（注3）

（注1A ）

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

单位

V

A

W

75

100

71

3.8

1.6

-55到+175

功率消耗单操作

T

J

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

R

θJC

R

θJA

R

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

2.1

40

96

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDD6682

FDU6682

设备

FDD6682

FDU6682

包

D- PAK （TO- 252）

Ⅰ- PAK （TO- 251 ）

带尺寸

13’’

管

胶带宽度

12mm

不适用

QUANTITY

2500台

75

2004

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDD6682 / FDU6682冯H（ W）

FDD6682/FDU6682

电气特性

符号

W

DSS

I

AR

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源雪崩能源

漏源雪崩电流

测试条件

单脉冲，V

DD

= 15 V，I

D

= 17 A

民

典型值

最大

240

17

单位

mJ

A

漏源雪崩额定值

（注2 ）

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏

（注2 ）

V

GS

= 0 V,

I

D

= 250

A

30

20

1

±100

V

毫伏/°C的

A

nA

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 24 V,

V

GS

=

±20

V,

V

GS

= 0 V

V

DS

= 0 V

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

I

D

= 250

A

V

DS

= V

GS

,

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

GS

= 10 V,

I

D

= 17 A

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 15 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 17 A，T

J

=125°C

V

GS

= 10 V,

V

DS

= 5 V,

V

DS

= 5 V

I

D

= 17 A

1

1.9

–7

5.2

6.4

8.0

3

V

毫伏/°C的

6.2

8

11.9

m

I

D（上）

g

FS

50

65

A

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

（注2 ）

2400

V

DS

= 15 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 15 mV时，

V

GS

= 0 V,

577

258

F = 1.0 MHz的

1.4

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

14

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

12

38

18

24

V

DS

= 15V,

V

GS

= 5 V

I

D

= 17 A,

6.5

8.1

20

37

64

32

31

ns

nC

FDD6682 / FDU6682冯H（ W）

FDD6682/FDU6682

电气特性

（续）

符号

I

S

V

SD

t

rr

Q

rr

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

测试条件

民

典型值

最大

3.2

单位

A

V

nS

nC

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

V

GS

= 0 V,

I

F

= 17 A,

I

S

= 3.2 A

（注2 ）

0.7

32

20

1.2

d

iF

/d

t

= 100 A / μs的

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一）R

θJA

= 40 ℃/安装在当W

2

2盎司纯铜1英寸垫

B ）R

θJA

= 96 ° C / W安装时

上的最小垫。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

P

D

R

DS （ ON）

3.

最大电流的计算公式为：

其中，P

D

最大功耗在T

C

= 25℃和R

DS （ ON）

是在T

J（下最大）

和V

GS

= 10V 。封装电流限制为21A

FDD6682 / FDU6682冯H（ W）

FDD6682/FDU6682

典型特征

100

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

2

V

GS

=10V

I

D

，漏电流（ A）

80

6.0V

V

GS

= 3.5V

4.0V

1.8

4.5V

60

3.5V

1.6

4.0V

1.4

4.5V

1.2

40

5.0V

20

3.0V

1

10V

0

1

2

3

V

DS

，漏源电压（V ）

0.8

0

20

40

60

80

100

I

D

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.02

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

2

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

o

I

D

= 17A

V

GS

= 10V

I

D

= 8.5A

0.015

T

A

= 125

o

C

0.01

T

A

= 25

o

C

0.005

0

125

150

175

2

4

6

8

10

T

J

，结温（ C）

V

GS

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化与

温度。

80

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

V

GS

= 0V

I

S

，反向漏电流（ A）

V

DS

= 5V

I

D

，漏电流（ A）

60

10

1

0.1

0.01

0.001

T

A

= 125

o

C

25

o

C

-55

o

C

40

20

T

A

=125

o

C

25

o

C

-55

o

C

3

4

0

1

2

V

GS

，门源电压（ V）

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

1.2

图5.传输特性

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

FDD6682 / FDU6682冯H（ W）

FDD6682/FDU6682

典型特征

10

V

GS

，栅源电压（V ）

3500

I

D

= 17A

8

V

DS

= 10V

15V

20V

3000

电容（pF）

2500

2000

1500

1000

C

国际空间站

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

6

4

C

OSS

2

C

RSS

500

0

10

20

30

Q

g

，栅极电荷（ NC）

40

50

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

图7.栅极电荷特性

1000

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

100

图8.电容特性

I

D

，漏电流（ A）

100

R

DS （ ON）

极限

10

10s

DC

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θJA

= 96

o

C / W

T

A

= 25

o

C

0.01

100s

1ms

10ms

100ms

1s

80

单脉冲

R

θJA

= 96 ° C / W

T

A

= 25°C

60

1

40

0.1

20

0.1

1

10

100

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏源电压（V ）

t

1

，时间（秒）

图9.最高安全工作区

图10.单脉冲最大

功耗

1

R（T ），规范有效的瞬变

热阻

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 96 ° C / W

P（ PK）

t

1

t

2

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

单脉冲

0.01

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线

热特性进行使用注1b中描述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDD6682 / FDU6682冯H（ W）

FDD6682/FDU6682

2004年6月

FDD6682/FDU6682

30V N沟道的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道MOSFET的设计

具体而言，以提高直流/直流整体效率

使用同步或传统转换器

开关PWM控制器。它已被优化为

低栅极电荷，低R

DS （ ON）

和快速的开关速度。

特点

75 A， 30 V

R

DS （ ON）

= 6.2毫欧@ V

GS

= 10 V

R

DS （ ON）

= 8.0毫欧@ V

GS

= 4.5 V

低栅电荷

快速开关

应用

DC / DC转换器

电机驱动

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

D

G

S

I- PAK

(TO-251AA)

摹 S

G

D- PAK

TO-252

(TO-252)

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

T

A

= 25°C除非另有说明

o

参数

评级

30

±20

（注3）

（注1A ）

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

单位

V

A

W

75

100

71

3.8

1.6

-55到+175

功率消耗单操作

T

J

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

R

θJC

R

θJA

R

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

2.1

40

96

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDD6682

FDU6682

设备

FDD6682

FDU6682

包

D- PAK （TO- 252）

Ⅰ- PAK （TO- 251 ）

带尺寸

13’’

管

胶带宽度

12mm

不适用

QUANTITY

2500台

75

2004

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDD6682 / FDU6682冯H（ W）

FDD6682/FDU6682

电气特性

符号

W

DSS

I

AR

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源雪崩能源

漏源雪崩电流

测试条件

单脉冲，V

DD

= 15 V，I

D

= 17 A

民

典型值

最大

240

17

单位

mJ

A

漏源雪崩额定值

（注2 ）

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏

（注2 ）

V

GS

= 0 V,

I

D

= 250

A

30

20

1

±100

V

毫伏/°C的

A

nA

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 24 V,

V

GS

=

±20

V,

V

GS

= 0 V

V

DS

= 0 V

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

I

D

= 250

A

V

DS

= V

GS

,

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

GS

= 10 V,

I

D

= 17 A

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 15 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 17 A，T

J

=125°C

V

GS

= 10 V,

V

DS

= 5 V,

V

DS

= 5 V

I

D

= 17 A

1

1.9

–7

5.2

6.4

8.0

3

V

毫伏/°C的

6.2

8

11.9

m

I

D（上）

g

FS

50

65

A

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

（注2 ）

2400

V

DS

= 15 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 15 mV时，

V

GS

= 0 V,

577

258

F = 1.0 MHz的

1.4

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

14

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

12

38

18

24

V

DS

= 15V,

V

GS

= 5 V

I

D

= 17 A,

6.5

8.1

20

37

64

32

31

ns

nC

FDD6682 / FDU6682冯H（ W）

FDD6682/FDU6682

电气特性

（续）

符号

I

S

V

SD

t

rr

Q

rr

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

测试条件

民

典型值

最大

3.2

单位

A

V

nS

nC

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

V

GS

= 0 V,

I

F

= 17 A,

I

S

= 3.2 A

（注2 ）

0.7

32

20

1.2

d

iF

/d

t

= 100 A / μs的

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一）R

θJA

= 40 ℃/安装在当W

2

2盎司纯铜1英寸垫

B ）R

θJA

= 96 ° C / W安装时

上的最小垫。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

P

D

R

DS （ ON）

3.

最大电流的计算公式为：

其中，P

D

最大功耗在T

C

= 25℃和R

DS （ ON）

是在T

J（下最大）

和V

GS

= 10V 。封装电流限制为21A

FDD6682 / FDU6682冯H（ W）

FDD6682/FDU6682

典型特征

100

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

2

V

GS

=10V

I

D

，漏电流（ A）

80

6.0V

V

GS

= 3.5V

4.0V

1.8

4.5V

60

3.5V

1.6

4.0V

1.4

4.5V

1.2

40

5.0V

20

3.0V

1

10V

0

1

2

3

V

DS

，漏源电压（V ）

0.8

0

20

40

60

80

100

I

D

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.02

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

2

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

o

I

D

= 17A

V

GS

= 10V

I

D

= 8.5A

0.015

T

A

= 125

o

C

0.01

T

A

= 25

o

C

0.005

0

125

150

175

2

4

6

8

10

T

J

，结温（ C）

V

GS

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化与

温度。

80

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

V

GS

= 0V

I

S

，反向漏电流（ A）

V

DS

= 5V

I

D

，漏电流（ A）

60

10

1

0.1

0.01

0.001

T

A

= 125

o

C

25

o

C

-55

o

C

40

20

T

A

=125

o

C

25

o

C

-55

o

C

3

4

0

1

2

V

GS

，门源电压（ V）

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

1.2

图5.传输特性

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

FDD6682 / FDU6682冯H（ W）

FDD6682/FDU6682

典型特征

10

V

GS

，栅源电压（V ）

3500

I

D

= 17A

8

V

DS

= 10V

15V

20V

3000

电容（pF）

2500

2000

1500

1000

C

国际空间站

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

6

4

C

OSS

2

C

RSS

500

0

10

20

30

Q

g

，栅极电荷（ NC）

40

50

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

图7.栅极电荷特性

1000

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

100

图8.电容特性

I

D

，漏电流（ A）

100

R

DS （ ON）

极限

10

10s

DC

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θJA

= 96

o

C / W

T

A

= 25

o

C

0.01

100s

1ms

10ms

100ms

1s

80

单脉冲

R

θJA

= 96 ° C / W

T

A

= 25°C

60

1

40

0.1

20

0.1

1

10

100

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏源电压（V ）

t

1

，时间（秒）

图9.最高安全工作区

图10.单脉冲最大

功耗

1

R（T ），规范有效的瞬变

热阻

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 96 ° C / W

P（ PK）

t

1

t

2

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

单脉冲

0.01

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线

热特性进行使用注1b中描述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDD6682 / FDU6682冯H（ W）