【FDD6644/FDU66442001年4月FDD6644/FDU664430V N沟道的Power】,IC型号FDU6644,FDU6644 PDF资料,FDU6644经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDD6644/FDU6644

2001年4月

FDD6644/FDU6644

30V N沟道的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道MOSFET的设计

具体而言，以提高直流/直流整体效率

使用同步或传统转换器

开关PWM控制器。它已被优化为

低栅极电荷，低R

DS （ ON）

和快速的开关速度。

特点

67 A， 30 V

DS （ ON）

= 8.5毫欧@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 10.5毫欧@ V

= 4.5 V

应用

DC / DC转换器

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

低栅极电荷（ 25 NC典型值）

高功率和电流处理能力

I- PAK

(TO-251AA)

摹 S

D- PAK

TO-252

(TO-252)

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

最大功率耗散

=25

C除非另有说明

参数

评级

±16

（注1A ）

单位

100

3.8

1.6

-55到+175

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

θJC

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1 ）

（注1B ）

2.2

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDD6644

FDU6644

设备

FDD6644

FDU6644

包

D- PAK （TO- 252）

Ⅰ- PAK （TO- 251 ）

带尺寸

13’’

管

胶带宽度

12mm

不适用

QUANTITY

2500台

2001

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDD / FDU6644版本C （ W）

FDD6644/FDU6644

电气特性

符号

DSS

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源雪崩能源

漏源雪崩电流

测试条件

单脉冲，V

= 15 V，I

=17A

民

典型值

最大单位

240

漏源雪崩额定值

（注2 ）

开关特性

DSS

ΔBV

DSS

GSSF

GSSR

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体泄漏，正向

门体泄漏，反向

（注2 ）

= 0 V，I

= 250

参考25 ℃下

= 24 V, V

= 0 V

= 16 V, V

= 0 V

= –16 V, V

= 0 V

= V

, I

= 250

参考25 ℃下

= 10 V，I

= 16 A

= 4.5 V，I

= 15 A

= 10 V，I

= 16.5A ，T

=125°C

= 10 V, V

= 5 V

= 5 V,

= 16 A

100

–100

毫伏/°C的

基本特征

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

1.5

–5

6.5

7.5

毫伏/°C的

8.5

10.5

D（上）

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注2 ）

= 15 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

3087

489

185

开关特性

D（上）

D（关闭）

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 15 V，I

= 1 A,

= 10 V ，R

根

= 6

= 15 V，I

= 16 A,

= 5 V

7.5

6.5

FDD / FDU6644版本C （ W）

FDD6644/FDU6644

电气特性

（续）

= 25 ° C除非另有说明

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

= 0 V，I

= 2.7 A

电压

3.2

（注2 ）

0.7

1.2

注意事项：

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一）R

θJA

= 40 ℃/安装在当W

1in

2盎司纯铜垫

B ）R

θJA

= 96 ° C / W安装时

上的最小垫。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

最大电流的计算公式为：

DS （ ON）

其中，P

最大功耗在T

= 25℃和R

DS （ ON）

是在T

J（下最大）

和V

= 10V 。封装电流限制为21A

FDD / FDU6644版本C （ W）

FDD6644/FDU6644

典型特征

3.0V

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

= 10V

6.0V

，漏电流（ A）

3.5V

1.75

= 3.0V

1.5

3.5V

1.25

4.0V

4.5V

6.0V

10V

4.5V

2.5V

0.5

1.5

，漏源电压（V ）

0.75

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.024

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.8

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

-50

-25

100

= 16A

= 10V

= 8 A

0.02

0.016

= 125

0.012

0.008

= 25

0.004

，门源电压（ V）

125

150

175

，结温（ C）

图3.导通电阻变化与

温度。

，反向漏电流（ A）

= 5V

，漏电流（ A）

1.5

2.5

3.5

，门源电压（ V）

= -55

125

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

= 0V

= 125

0.1

-55

0.01

0.001

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDD / FDU6644版本C （ W）

FDD6644/FDU6644

典型特征

，栅源电压（V ）

= 16A

15V

= 5V

10V

4000

3500

国际空间站

电容（pF）

3000

2500

2000

1500

1000

OSS

500

RSS

F = 1MHz的

= 0 V

，栅极电荷（ NC）

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

100

100s

，漏电流（ A）

DS （ ON）

极限

10s

1ms

10ms

100ms

图8.电容特性。

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

单脉冲

= 96 ° C / W

= 25°C

0.1

= 10V

单脉冲

θJA

= 96℃ / W

= 25 C

0.01

0.1

100

，漏源电压（V ）

0.1

，时间（秒）

100

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

R（T ），规范有效

瞬态热阻

D = 0.5

0.2

θJA

（吨） = R（T） + R

θJA

= 96 ° C / W

P（ PK）

0.01

0.1

0.05

0.02

- T

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

/ t

0.01

单脉冲

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，时间（秒）

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

使用注意事项1b中描述的条件热特性进行

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDD / FDU6644版本C （ W）