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1998年8月
FDT457N
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的,高生产
细胞密度, DMOS技术。这非常高的密度
过程特别是针对减少通态电阻,
提供出色的开关性能。这些产品是
非常适合于低电压,低电流的应用,如
笔记本电脑电源管理,电池供电
电路和直流电动机的控制。
特点
5 A, 30 V
DS ( ON)
= 0.06
@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 0.090
@ V
GS
= 4.5 V.
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力的一种广泛使用的
表面贴装封装。
SuperSOT
TM
-3
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
D
D
D
S
D
SOT-223
S
G
D
S
G
SOT-223
*
(J23Z)
G
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
T
A
= 25
o
C除非另有说明
FDT457N
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
(注1A )
(注1B )
(注1C )
5
16
3
1.3
1.1
-65到150
W
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
42
12
° C / W
° C / W
*订购选项J23Z的裁剪中心漏极引线。
1998仙童半导体公司
FDT457N Rev.C
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ,参考25
o
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
=55°C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
门 - 体泄漏,正向
门 - 体泄漏,反向
(注2 )
30
35
1
10
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ,参考25℃
V
GS
= 10 V,I
D
= 5 A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 3.8 A
o
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压Temp.Coefficient
静态漏源导通电阻
1
1.6
-4.2
0.043
0.065
0.071
3
V
毫伏/ C
o
V
GS ( TH)
/
T
J
R
DS ( ON)
0.06
0.1
0.09
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意事项:
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 5 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
5
5
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
235
145
50
pF
pF
pF
开关特性
(注2 )
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10 V,I
D
= 5 A,
V
GS
= 5 V
V
DD
= 10 V,I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ,R
= 6
5
12
12
3
4.2
1.3
1.7
10
22
22
8
5.9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V,I
S
= 2.5 A
(注2 )
2.5
0.85
1.2
A
V
1. R
θ
JA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
通过设计保证,同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
漏极引脚。
θ
JC
is
a. 42
o
装在一个1在C / W的时
2
2盎司铜。
b. 95
o
安装在当C / W
在0.066
2
垫2盎司铜。
c. 110
o
安装在0.00123 C / W时,
in
2
垫2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
FDT457N Rev.C
典型电气特性
10
I
D
,漏源电流(A )
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
归一化
V
GS
= 10V 6.0
5.0
8
4.5
4.0
6
2.5
V
GS
=3.5V
2
4.0
1.5
3.5
4
4.5
5.0
6.0
7.0
2
3.0
1
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
V
DS
,漏源电压(V )
I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
R
DS ( ON)
漏源导通电阻
,
1.6
漏源导通电阻
0.25
I
D
= 5 A
1.4
I
D
= 2A
0.2
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
归一化
1.2
0.15
1
0.1
T = 125°C
A
0.05
0.8
中T = 25℃
A
0
2
4
6
8
10
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T,结温( ° C)
J
125
150
V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
V
DS
= 10V
T
A
= -55°C
25°C
125°C
I
S
,反向漏电流( A)
14
12
I
D
,漏电流( A)
10
8
6
4
2
0
10
V
GS
= 0V
1
TJ = 125°C
25°C
-55°C
0.1
0.01
0.001
1
2
3
4
5
6
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
GS
,门源电压( V)
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDT457N Rev.C
典型电气特性
1000
10
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= 4A
8
电容(pF)
V
DS
= 5V
10V
15V
400
C
国际空间站
科斯
6
200
4
100
2
50
0
0
2
Q
4
6
8
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.3
1
3
C
RSS
30
0.1
10
30
g
,栅极电荷( NC)
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
50
20
I
D
,漏电流( A)
10
5
IT
IM
)L
ON
S(
RD
200
100
1m
s
s
10m
s
功率(W)的
160
1
0.5
100
ms
1s
10s
DC
单脉冲
R
θ
JA
=110°C
T
A
= 25°C
120
80
0.1
0.05
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 110 ° C / W
T
A
= 25°C
A
0.2
0.5
V
DS
40
0.01
0.1
1
2
5
10
20
50
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
,漏源电压(V )
单脉冲时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
=
110
° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R JA ( T)
θ
占空比D = T
1
/ t
2
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDT457N Rev.C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统,其故障执行能
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时,按照正确使用
支持设备或系统,或影响其安全性或
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    FDT457NJ23Z
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    FDT457NJ23Z
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:19166203057
联系人:周
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
FDT457NJ23Z
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
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电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
FDT457NJ23Z
MINI
2322+
1175
射频微波器件
mini原装正品!
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电话:0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人:何
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区501栋1109-1110室
FDT457NJ23Z
M/A-COM
24+
2000
十五年专营 金牌供应商
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
FDT457NJ23Z
M/A-COM
19+
15000
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-28013727
联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
FDT457NJ23Z
M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货,实单可谈!
QQ: 点击这里给我发消息
电话:0755-83051566
联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
FDT457NJ23Z
MACOM
22+
32570
SOP16
进口原装公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
FDT457NJ23Z
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000¥/片,普通
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
FDT457NJ23Z
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
9673
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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联系人:刘经理
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MACOM
22+
32570
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