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1998年8月
FDT457N
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高生产
细胞密度， DMOS技术。这非常高的密度
过程特别是针对减少通态电阻，
提供出色的开关性能。这些产品是
非常适合于低电压，低电流的应用，如
笔记本电脑电源管理，电池供电
电路和直流电动机的控制。
特点
5 A， 30 V
DS （ ON）
= 0.06
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.090
@ V
GS
= 4.5 V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力的一种广泛使用的
表面贴装封装。
SuperSOT
TM
-3
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
D
D
D
S
D
SOT-223
S
G
D
S
G
SOT-223
*
(J23Z)
G
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
T
A
= 25
o
C除非另有说明
FDT457N
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
5
16
3
1.3
1.1
-65到150
W
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
42
12
° C / W
° C / W
*订购选项J23Z的裁剪中心漏极引线。
1998仙童半导体公司
FDT457N Rev.C
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
=55°C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
30
35
1
10
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25℃
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.8 A
o
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压Temp.Coefficient
静态漏源导通电阻
1
1.6
-4.2
0.043
0.065
0.071
3
V
毫伏/ C
o
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
0.06
0.1
0.09
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意事项：
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 5 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
5
5
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
235
145
50
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10 V，I
D
= 5 A,
V
GS
= 5 V
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
5
12
12
3
4.2
1.3
1.7
10
22
22
8
5.9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.5 A
（注2 ）
2.5
0.85
1.2
A
V
1. R
θ
JA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
通过设计保证，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
漏极引脚。
θ
JC
is
a. 42
o
装在一个1在C / W的时
2
垫
2盎司铜。
b. 95
o
安装在当C / W
在0.066
2
垫2盎司铜。
c. 110
o
安装在0.00123 C / W时，
in
2
垫2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDT457N Rev.C
典型电气特性
10
I
D
，漏源电流（A ）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
归一化
V
GS
= 10V 6.0
5.0
8
4.5
4.0
6
2.5
V
GS
=3.5V
2
4.0
1.5
3.5
4
4.5
5.0
6.0
7.0
2
3.0
1
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压（V ）
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
,
1.6
漏源导通电阻
0.25
I
D
= 5 A
1.4
I
D
= 2A
0.2
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
归一化
1.2
0.15
1
0.1
T = 125°C
A
0.05
0.8
中T = 25℃
A
0
2
4
6
8
10
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T，结温（ ° C）
J
125
150
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
V
DS
= 10V
T
A
= -55°C
25°C
125°C
I
S
，反向漏电流（ A）
14
12
I
D
，漏电流（ A）
10
8
6
4
2
0
10
V
GS
= 0V
1
TJ = 125°C
25°C
-55°C
0.1
0.01
0.001
1
2
3
4
5
6
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDT457N Rev.C
典型电气特性
1000
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 4A
8
电容（pF）
V
DS
= 5V
10V
15V
400
C
国际空间站
科斯
6
200
4
100
2
50
0
0
2
Q
4
6
8
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.3
1
3
C
RSS
30
0.1
10
30
g
，栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
50
20
I
D
，漏电流（ A）
10
5
IT
IM
)L
ON
S(
RD
200
100
1m
s
s
10m
s
功率（W）的
160
1
0.5
100
ms
1s
10s
DC
单脉冲
R
θ
JA
=110°C
T
A
= 25°C
120
80
0.1
0.05
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 110 ° C / W
T
A
= 25°C
A
0.2
0.5
V
DS
40
0.01
0.1
1
2
5
10
20
50
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
，漏源电压（V ）
单脉冲时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
=
110
° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R JA （ T）
θ
占空比D = T
1
/ t
2
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDT457N Rev.C
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