FDT434P
2000年1月
FDT434P
P沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定MOSFET产生
运用
飞兆半导体
安森美半导体
先进
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻，但保持
低栅极电荷为出色的开关性能。
特点
-5.5 A， -20 V.
DS （ ON）
= 0.050
@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.070
@ V
GS
= –2.5 V.
低栅极电荷（典型为13nC ）
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力
广泛使用的表面贴装封装。
应用
低压差稳压器
DC / DC转换器
负荷开关
电机驱动
D
D
D
D
S
D
SOT-223
S
G
G
D
S
SOT-223
*
(J23Z)
G
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
–20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
W
–6
–30
3
1.3
1.1
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
42
12
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
434
设备
FDT434P
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDT434P修订版C 1 （W）的
FDT434P
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，
前锋
门体漏电流，
反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= –16 V,
V
GS
= 8 V,
V
GS
= –8 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
–20
典型值
最大单位
V
开关特性
–28
–1
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= –4.5 V,
V
GS
= –4.5 V,
V
GS
= –2.5 V,
V
GS
= –4.5 V,
V
DS
= –10 V,
I
D
= –6 A
I
D
= –6 A
T
J
=125°C
I
D
= –4 A
V
DS
= –5 V
I
D
= –6 A
–0.4
–0.6
2
0.040
0.067
0.050
–1
V
毫伏/°C的
0.050
0.083
0.070
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
–20
6.5
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= –10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1240
270
100
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –5 V,
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
8
15
45
30
16
25
65
50
19
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –6 A,
13
1.8
3
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= –2.1 A
（注2 ）
–1.3
–0.75
–1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 42 ° C / W时，
2
安装在一个1英寸
2盎司纯铜垫
B）安装时， 95℃ / W
2
上的焊盘上的0.0066
2盎司铜
三） 110℃ / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDT434P修订版C 1 （W）的
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