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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第322页 > FDS8947A
1998年3月
FDS8947A
双P沟道增强型场效应晶体管
概述
SO- 8 P沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻，提供
出色的开关性能。这些器件特别
适用于低电压应用，如笔记本电脑
功率管理和其它电池供电的电路，其中
快速开关，低线的功率损耗，以及电阻
需要瞬变。
特点
-4.0 A， -30 V.
DS （ ON）
= 0.052
@ V
GS
= -10 V
R
DS （ ON）
= 0.080
@ V
GS
= -4.5 V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力的广泛
常用的表面贴装封装。
表面双MOSFET贴装封装。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D2
D1
D1
D2
5
4
3
2
1
DS中的
F 7
4
89
针
1
6
SO-8
S1
G1
S2
G2
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDS8947A
-30
-20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
- 4.0
-20
2
1.6
1
0.9
-55到150
78
40
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储温度范围
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
°C
° C / W
° C / W
热特性
（注1A ）
（注1 ）
1998仙童半导体公司
FDS8947A Rev.B的
电气特性
(
T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
条件
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
GS
= -10 V，I
D
= -4 A
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -3.2 A
民
-30
典型值
最大
单位
V
开关特性
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
-23
-1
-100
-100
-1
-1.5
4
0.044
0.06
0.067
-20
8
730
400
90
0.052
0.085
0.08
-3
毫伏/
o
C
A
nA
nA
V
毫伏/
o
C
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
I
rr
注意事项：
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
GS
= -10 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -4 A
V
DS
= -15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
A
S
pF
pF
pF
20
18
110
80
27
nC
ns
动态CH物性比较
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -10 V，I
D
= -1 A
V
GS
= -10 V ，R
根
= 6
11
10
90
55
V
DS
= -10 V，I
D
= -4 A,
V
GS
= -10 V
19
3.5
3.6
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
V
GS
= 0 V，I
F
= -1.3 A
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注2 ）
-1.3
-0.75
48
0.8
-1.2
100
A
V
ns
A
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
O
在一个0.5℃ / W的
2
垫2盎司覆铜。
b. 125
O
在0.02 C / W
2
垫2盎司覆铜。
c. 135
O
在一0.003 C / W
2
垫2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDS8947A Rev.B的
典型电气特性
20
-I
D
，漏源电流（A ）
漏源导通电阻
V
GS
=-10V
3
R
DS （ ON）
归一化
15
-6.0V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
2.5
V
GS
=-3.5V
-4.0V
-4.5V
-5.0V
-6.0V
2
10
-3.5V
5
1.5
-3.0V
0
1
-10V
0
1
2
3
4
5
0.5
0
4
8
12
16
20
-V
DS
，漏源电压（V ）
-I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征
.
图2.导通电阻变化与
漏电流和门
电压。
0.3
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
漏源导通电阻
I
D
= -4.0A
1.4
I
D
= -2A
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
归一化
1.2
1
T
A
= 125°C
T
A
= 25°C
2
4
6
8
10
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
温度。
同
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
20
20
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5V
TJ = -55°C
25°C
5
1
V
GS
= 0V
-I
D
，漏电流（ A）
15
125°C
10
TJ = 125°C
25°C
-55°C
0.1
0.01
5
0.001
0.0001
0
1
2
3
4
5
6
-V
GS
，门源电压（ V）
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
.
图6 。体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDS8947A Rev.B的
典型电气特性
（续）
10
-V
GS
，栅源电压（V ）
2000
I
D
= -4.0A
8
电容（pF）
V
DS
= -5V
-10V
-15V
1000
C
国际空间站
500
300
200
100
6
科斯
4
2
0
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.2
0.5
1
2
5
C
RSS
0
5
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
15
20
50
0.1
10
20
30
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
50
20
-I
D
，漏电流（ A）
5
2
1
0.5
IT
LIM
N)
S（O
RD
30
1m
s
10m
s
10
0m
s
1s
10s
DC
100
us
25
20
15
10
5
0
0.01
0.1
0.05
-V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
A
0.2
0.5
1
2
0.01
0.1
功率（W）的
单脉冲
R
θ
JA
=见注释1℃
T
A
= 25°C
5
10
20 30
50
0.1
0.5
1
10
50 100
300
-V
DS
，漏源电压（V ）
单脉冲时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 135 ° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA （T ）
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
注意：
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS8947A Rev.B的
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
牧师I1
1998年3月
FDS8947A
双P沟道增强型场效应晶体管
概述
SO- 8 P沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻，提供
出色的开关性能。这些器件特别
适用于低电压应用，如笔记本电脑
功率管理和其它电池供电的电路，其中
快速开关，低线的功率损耗，以及电阻
需要瞬变。
特点
-4.0 A， -30 V.
DS （ ON）
= 0.052
@ V
GS
= -10 V
R
DS （ ON）
= 0.080
@ V
GS
= -4.5 V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力的广泛
常用的表面贴装封装。
表面双MOSFET贴装封装。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D2
D1
D1
D2
5
4
3
2
1
DS中的
F 7
4
89
针
1
6
SO-8
S1
G1
S2
G2
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDS8947A
-30
-20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
- 4.0
-20
2
1.6
1
0.9
-55到150
78
40
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储温度范围
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
°C
° C / W
° C / W
热特性
（注1A ）
（注1 ）
1998仙童半导体公司
FDS8947A Rev.B的
电气特性
(
T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
条件
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
GS
= -10 V，I
D
= -4 A
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -3.2 A
民
-30
典型值
最大
单位
V
开关特性
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
-23
-1
-100
-100
-1
-1.5
4
0.044
0.06
0.067
-20
8
730
400
90
0.052
0.085
0.08
-3
毫伏/
o
C
A
nA
nA
V
毫伏/
o
C
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
I
rr
注意事项：
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
GS
= -10 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -4 A
V
DS
= -15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
A
S
pF
pF
pF
20
18
110
80
27
nC
ns
动态CH物性比较
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -10 V，I
D
= -1 A
V
GS
= -10 V ，R
根
= 6
11
10
90
55
V
DS
= -10 V，I
D
= -4 A,
V
GS
= -10 V
19
3.5
3.6
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
V
GS
= 0 V，I
F
= -1.3 A
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注2 ）
-1.3
-0.75
48
0.8
-1.2
100
A
V
ns
A
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
O
在一个0.5℃ / W的
2
垫2盎司覆铜。
b. 125
O
在0.02 C / W
2
垫2盎司覆铜。
c. 135
O
在一0.003 C / W
2
垫2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDS8947A Rev.B的
典型电气特性
20
-I
D
，漏源电流（A ）
漏源导通电阻
V
GS
=-10V
3
R
DS （ ON）
归一化
15
-6.0V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
2.5
V
GS
=-3.5V
-4.0V
-4.5V
-5.0V
-6.0V
2
10
-3.5V
5
1.5
-3.0V
0
1
-10V
0
1
2
3
4
5
0.5
0
4
8
12
16
20
-V
DS
，漏源电压（V ）
-I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征
.
图2.导通电阻变化与
漏电流和门
电压。
0.3
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
漏源导通电阻
I
D
= -4.0A
1.4
I
D
= -2A
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
归一化
1.2
1
T
A
= 125°C
T
A
= 25°C
2
4
6
8
10
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
温度。
同
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
20
20
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5V
TJ = -55°C
25°C
5
1
V
GS
= 0V
-I
D
，漏电流（ A）
15
125°C
10
TJ = 125°C
25°C
-55°C
0.1
0.01
5
0.001
0.0001
0
1
2
3
4
5
6
-V
GS
，门源电压（ V）
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
.
图6 。体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDS8947A Rev.B的
典型电气特性
（续）
10
-V
GS
，栅源电压（V ）
2000
I
D
= -4.0A
8
电容（pF）
V
DS
= -5V
-10V
-15V
1000
C
国际空间站
500
300
200
100
6
科斯
4
2
0
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.2
0.5
1
2
5
C
RSS
0
5
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
15
20
50
0.1
10
20
30
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
50
20
-I
D
，漏电流（ A）
5
2
1
0.5
IT
LIM
N)
S（O
RD
30
1m
s
10m
s
10
0m
s
1s
10s
DC
100
us
25
20
15
10
5
0
0.01
0.1
0.05
-V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
A
0.2
0.5
1
2
0.01
0.1
功率（W）的
单脉冲
R
θ
JA
=见注释1℃
T
A
= 25°C
5
10
20 30
50
0.1
0.5
1
10
50 100
300
-V
DS
，漏源电压（V ）
单脉冲时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 135 ° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA （T ）
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
注意：
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS8947A Rev.B的
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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