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FDS7088SN3

2004年8月

FDS7088SN3

30V N沟道的PowerTrench

SyncFET

概述

该FDS7088SN3被设计来取代单一的SO- 8

FLMP MOSFET和同步肖特基二极管

DC：直流电源。该30V MOSFET设计

以最大化功率转换效率，提供了一个

低R

DS （ ON）

和低栅极电荷。该FDS7088SN3

包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体

单片SyncFET技术。的性能

该FDS7088SN3作为一个低侧开关

同步整流接近的性能

FDS7088N3与肖特基二极管并联。

特点

21 A， 30 V

DS （ ON）

= 4.0毫欧@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 4.9毫欧@ V

= 4.5 V

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力

快速开关

FLMP SO- 8封装：增强热

在业界标准的封装尺寸性能

应用

DC / DC转换器

电机驱动

底侧

漏接触

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

= 25°C除非另有说明

参数

评级

±20

（注1A ）

单位

°C

3.0

1.7

-55到+150

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

0.5

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS7088SN3

设备

FDS7088SN3

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

2004

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS7088SN3版本B （ W）

FDS7088SN3

电气特性

符号

参数

漏源击穿

电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏

（注2 ）

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

最小典型最大单位

开关特性

DSS

ΔBV

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

= 0 V，I

= 1毫安

= 15毫安，引用至25℃

= 24 V, V

= 0 V

±20

V, V

= 0 V

= V

, I

= 1毫安

= 15毫安，引用至25℃

= 10 V,

= 4.5 V,

= 10 V,

= 21 A

= 19 A

= 21 A，T

= 125°C

= 21 A

1.5

–3

3.4

4.0

4.9

500

±100

毫伏/°C的

基本特征

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

正向跨导

毫伏/°C的

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ TOT ）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

（注2 ）

= 15 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

= 15 mV时， F = 1.0 MHz的

= 15 V，I

= 1 A,

= 10 V ，R

根

= 6

3230

890

300

1.6

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷在V

=10V

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 15 V,

= 5 V

= 10 A

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源肖特基二极管的正向电流

漏极 - 源极肖特基二极管

= 0 V，I

= 4.3 A

（注2 ）

正向电压

= 21 A

反向恢复时间

DIF / DT = 300 A /美

反向恢复电荷

4.3

0.4

0.7

注意事项：

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

40 ° C / W时，

安装在一个1英寸

PAD

2盎司纯铜

安装在85 ° C / W

2盎司最小焊盘

铜

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

FDS7088SN3版本B （ W）

FDS7088SN3

典型特征

= 10V

6.0V

3.5V

3.0V

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

6.0V

10V

= 3.5V

，漏电流（ A）

4.5V

2.5V

0.25

0.5

0.75

，漏源电压（V ）

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.012

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.6

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

= 21A

= 10V

1.4

= 10.5A

0.01

1.2

0.008

= 125 C

0.006

0.8

0.004

= 25 C

0.6

-50

-25

，结温（ C）

100

125

0.002

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化

withTemperature 。

= 5V

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

0.1

0.01

0.001

0.0001

= 125 C

25 C

-55 C

，漏电流（ A）

=125 C

1.5

1.75

-55 C

2.25

2.5

2.75

，门源电压（ V）

0.2

0.4

0.6

0.8

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDS7088SN3版本B （ W）

FDS7088SN3

典型特征

，栅源电压（V ）

= 21A

20V

电容（pF）

= 10V

15V

4000

5000

F = 1MHz的

= 0 V

3000

国际空间站

2000

OSS

1000

RSS

，栅极电荷（ NC）

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

1000

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

图8.电容特性。

DS （ ON）

极限

，漏电流（ A）

100

1ms

10ms

100ms

10s

= 10V

单脉冲

= 85

C / W

= 25 C

100s

单脉冲

= 85°C / W

= 25°C

0.1

0.01

0.1

，漏源电压（V ）

100

0.01

0.1

，时间（秒）

100

1000

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

1.00

R（T ），规范有效的瞬变

热阻

D = 0.5

0.2

0.10

0.1

0.05

0.02

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

= 85°C / W

P（ PK）

- T

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

/ t

0.01

单脉冲

0.00

0.0001

0.001

0.01

0.1

，时间（秒）

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1b中描述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDS7088SN3版本B （ W）

FDS7088SN3

典型特征

（续）

SyncFET肖特基体二极管

特征

飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入一个肖特基二极管

用的PowerTrench MOSFET并联。该二极管的展品

相似的特性的离散外部肖特基二极管

在与MOSFET并联。图12显示了相反的

在FDS7088SN3的恢复特性。

肖特基势垒二极管具有显著泄漏高

温度和高的反向电压。这将增加

在该装置的功率。

0.1

DSS

，反向漏电流（ A）

= 125 C

0.01

0.001

= 100

0.08A/div

0.0001

= 25

0.00001

，反向电压（V）的

12.5 ns /格

图14. SyncFET体二极管反向漏

相对于漏 - 源电压和温度

图12. FDS7088SN3 SyncFET体

二极管的反向恢复特性。

为了便于比较，图13显示了相反的

一个等效的体二极管的恢复特性

无SyncFET （ FDS7088N3 ）生产规模MOSFET。

0.08A/div

12.5 ns /格

图13.非SyncFET （ FDS7088N3 ）体

二极管的反向恢复特性。

FDS7088SN3版本B （ W）