FDS6984AS
2005年6月
FDS6984AS
概述
双笔记本电源n沟道PowerTrench
SyncFET
特点
Q2:
优化，以最大限度地减少传导损耗
包括SyncFET肖特基二极管
R
DS （ ON）
MAX = 20毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
MAX = 28毫欧@ V
GS
= 4.5V
Q1:
优化的低开关损耗
低栅极电荷（ 8nC典型值）
R
DS （ ON）
MAX = 31毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
MAX = 40毫欧@ V
GS
= 4.5V
该FDS6984AS被设计来取代两个单
SO- 8 MOSFET和同步肖特基二极管
DC：直流电源，可提供各种外设
电压为笔记本电脑和其它电池
供电的电子设备。 FDS6984AS包含两个
独特30V， N沟道，逻辑电平，的PowerTrench
MOSFET的设计，最大限度地提高电源转换
EF网络效率。
高侧开关（Q1）被设计具有特定
强调减少开关损耗，而低
侧开关（Q2 ）被优化，以减少传导
损失。 Q2还包括一个专利组合
单片MOSFET与肖特基综合
二极管。
8.5A ， 30V
5.5A ， 30V
D1
D1
D2
D2
S1
G1
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
S2
8
1
G2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q2
30
±20
（注1A ）
Q1
30
±20
5.5
20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
漏电流
8.5
30
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6984AS
FDS6984AS
2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS6984AS
FDS6984AS_NL
（注4 ）
带尺寸
13”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY
2500台
2500台
FDS6984AS版本A （ X）
FDS6984AS
电气特性
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
（注2 ）
测试条件
输入最小值典型值最大值单位
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
8
9
5
6
23
22
4
2
9
10
7
11
13
13
4
3
10
8
5
4
1.5
1.3
1.9
1.5
16
18
10
12
37
35
8
4
18
19
14
20
24
24
8
6
14
11
8
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
V
DD
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6
总栅极电荷， VGS = 10V
总栅极电荷， VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q2:
V
DS
= 15 V，I
D
= 8.5 A
Q1:
V
DS
= 15 V，I
D
= 5.5 A
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
漏源二极管正向
电压
I
F
= 10A,
dI
F
/ DT = 300 A / μs的
I
F
= 5.5A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
3.0
1.3
13
6
17
6
0.6
0.8
0.7
1.2
A
ns
nC
ns
nC
V
（注3）
（注3）
（注2 ）
（注2 ）
Q2
Q1
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一
0.5in
2
2垫
盎司铜
b)
125 ° C / W时，
安装在一
在0.02
2
垫
2盎司铜
c)
135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
3.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
4.
FDS6984AS_NL是无铅产品。该FDS6984AS_NL标志将出现在卷标上。
FDS6984AS版本A （ X）
FDS6984AS
J
2008年5月
FDS6984AS
概述
双笔记本电源n沟道PowerTrench
SyncFET
特点
Q2:
优化，以最大限度地减少传导损耗
包括SyncFET肖特基二极管
R
DS （ ON）
MAX = 20毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
MAX = 28毫欧@ V
GS
= 4.5V
Q1:
优化的低开关损耗
低栅极电荷（ 8nC典型值）
R
DS （ ON）
MAX = 31毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
MAX = 40毫欧@ V
GS
= 4.5V
符合RoHS
该FDS6984AS被设计来取代两个单
SO- 8 MOSFET和同步肖特基二极管
DC：直流电源，可提供各种外设
电压为笔记本电脑和其它电池
供电的电子设备。 FDS6984AS包含两个
独特30V， N沟道，逻辑电平，的PowerTrench
MOSFET的设计，最大限度地提高电源转换
EF网络效率。
高侧开关（Q1）被设计具有特定
强调减少开关损耗，而低
侧开关（Q2 ）被优化，以减少传导
损失。 Q2还包括一个专利组合
单片MOSFET与肖特基综合
二极管。
8.5A ， 30V
5.5A ， 30V
D1
D1
D2
D2
S1
G1
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
S2
8
1
G2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q2
30
±20
（注1A ）
Q1
30
±20
5.5
20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
漏电流
8.5
30
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6984AS
设备
FDS6984AS
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6984AS版本A1 （ X）
FDS6984AS
电气特性
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
（注2 ）
测试条件
输入最小值典型值最大值单位
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
8
9
5
6
23
22
4
2
9
10
7
11
13
13
4
3
10
8
5
4
1.5
1.3
1.9
1.5
16
18
10
12
37
35
8
4
18
19
14
20
24
24
8
6
14
11
8
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
V
DD
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6
总栅极电荷， VGS = 10V
总栅极电荷， VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q2:
V
DS
= 15 V，I
D
= 8.5 A
Q1:
V
DS
= 15 V，I
D
= 5.5 A
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
漏源二极管正向
电压
I
F
= 10A,
dI
F
/ DT = 300 A / μs的
I
F
= 5.5A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
3.0
1.3
13
6
17
6
0.6
0.8
0.7
1.2
A
ns
nC
ns
nC
V
（注3）
（注3）
（注2 ）
（注2 ）
Q2
Q1
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一
0.5in
2
2垫
盎司铜
b)
125 ° C / W时，
安装在一
在0.02
2
垫
2盎司铜
c)
135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
3.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS6984AS版本A
1(X)
QQ：2880707522 复制
