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FDS6982S

2000年3月

初步

FDS6982S

双笔记本电源n沟道PowerTrench

SyncFET

概述

该FDS6982S被设计来取代两个单SO- 8

MOSFET和同步DC肖特基二极管： DC

电源，可提供各种外围电压

用于笔记本电脑和其它电池供电

电子设备。 FDS6982S包含了两个独特的

30V， N沟道，逻辑电平，的PowerTrench MOSFET的

旨在最大限度地提高功率转换效率。

高侧开关（Q1）被设计具有特定

强调减少开关损耗，而低

侧开关（Q2 ）被优化，以减少传导

损失。 Q2还包括一个集成的肖特基二极管

利用飞兆半导体的整体SyncFET技术。

特点

Q2:

优化，以最大限度地减少传导损耗

包括SyncFET肖特基体二极管

R

DS （ ON）

= 0.016 @ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

= 0.021 @ V

GS

= 4.5V

Q1:

优化的低开关损耗

低栅极电荷（ 8.5 NC典型值）

R

DS （ ON）

= 0.028 @ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

= 0.035 @ V

GS

= 4.5V

8.6A ， 30V

6.3A ， 30V

D1

D2

S1

G1

5

6

7

Q1

4

3

2

Q2

SO-8

S2

8

1

G2

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

漏源电压

栅源电压

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

Q2

30

（注1A ）

Q1

30

±20

6.3

20

2

1.6

1

0.9

-55到+150

单位

V

A

W

- 连续

- 脉冲

功耗双操作

功率消耗单操作

漏电流

±20

8.6

30

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

T

J

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

78

40

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS6982S

设备

FDS6982S

带尺寸

13”

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

1999

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS6982S版本B （ W）

FDS6982S

电气特性

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿

电压

击穿电压

温度COEF网络cient

零栅压漏

当前

门体泄漏，正向

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 1毫安

V

GS

= 0 V，I

D

= 250微安

I

D

= 1毫安，引用至25℃

I

D

= 250μA ，引用至25℃

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= 20 V, V

DS

= 0 V

输入最小值典型值最大值单位

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

所有

30

20

26

1000

1

100

-100

V

毫伏/°C的

A

nA

开关特性

门体泄漏，反向V

GS

= -20 V, V

DS

= 0 V

（注2 ）

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

I

D（上）

g

FS

通态漏电流

正向跨导

V

DS

= V

GS

, I

D

= 1毫安

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A

I

D

= 1毫安，引用至25℃

I

D

= 250μA ，引用至25℃

V

GS

= 10 V，I

D

= 8.6 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 8.6 A，T

J

= 125°C

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 7.5 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 6.3 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 6.3 A，T

J

= 125°C

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 5.6 A

V

GS

= 10 V, V

DS

= 5 V

V

DS

= 5 V，I

D

= 8.6 A

V

DS

= 5 V，I

D

= 6.3 A

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

1

-3.5

-5

0.013

0.020

0.017

0.021

0.038

0.028

30

20

38

18

2040

815

615

186

216

66

3

V

毫伏/°C的

Q1

0.016

0.027

0.021

0.028

0.047

0.035

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

A

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

pF

FDS6982S版本B （ W）

电气特性

符号

参数

（续）

T

A

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

（注2 ）

键入敏

典型值

最大单位

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DD

= 15 V，I

D

= 1 A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 6

Q2

V

DS

= 15 V，I

D

= 11.5 A，V

GS

= 5 V

Q1

V

DS

= 15 V，I

D

= 6.3 A，V

GS

= 5 V

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

10

14

34

21

14

7

17.5

8.5

6.3

2.4

5.4

3.1

18

25

55

34

23

14

26

12

ns

nC

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

t

RR

Q

RR

V

SD

最大连续漏源二极管的正向电流

反向恢复时间

I

F

= 11.5A,

d

iF

/d

t

= 300 A / μs的

3.0

1.3

20

19.7

0.42

0.56

0.70

.7

1.2

A

ns

nC

V

反向恢复电荷

漏源二极管正向V

GS

= 0 V，I

S

= 3 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 6 A

电压

V

GS

= 0 V，I

S

= 1.3 A

（注3）

（注2 ）

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

A） 78℃ / W时，

安装在一

2

在2盎司垫0.5

铜

B） 125 ° / W时，

2

安装在一个0.02

2盎司纯铜垫

三） 135° / W安装在一个时

最小焊盘。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

3.

请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。

FDS6982S版本B （ W）

FDS6982S

典型特征： Q2

50

6.0V

4.5V

5.0V

30

3.5V

20

4.0V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

V

GS

= 10V

I

D

，漏电流（ A）

40

2.5

2

V

GS

= 3.0V

1.5

3.5V

4.0V

4.5V

6.0V

10V

1

10

3.0V

0

0.5

1

1.5

2

2.5

V

DS

，漏源电压（V ）

0.5

0

10

20

30

40

50

I

D

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.04

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

2

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

-50

-25

0

25

50

75

100

o

I

D

= 11.5A

V

GS

= 10V

I

D

= 11.5 A

0.035

0.03

0.025

T

A

= 125

o

C

0.02

0.015

T

A

= 25 C

o

125

150

0.01

2

4

6

8

10

V

GS

，门源电压（ V）

T

J

，结温（ C）

图3.导通电阻变化与

温度。

50

V

DS

= 5V

I

D

，漏电流（ A）

40

T

A

= -55

o

C

25

o

C

100

o

30

I

S

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

10

V

GS

= 0V

1

T

A

= 100

o

C

25

o

C

-55 C

o

20

0.1

10

0

1

2

3

4

5

V

GS

，门源电压（ V）

0.01

0

0.2

0.4

0.6

0.8

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDS6982S版本B （ W）

FDS6982S

典型特征： Q2

10

V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

= 11.5A

8

电容（pF）

15V

6

V

DS

= 5V

10V

3000

2500

C

国际空间站

2000

1500

1000

C

OSS

500

C

RSS

0

10

20

Q

g

，栅极电荷（ NC）

30

40

0

5

10

15

20

25

30

V

DS

，漏源极电压（ V）

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

4

2

0

图7.栅极电荷特性。

100

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

R

DS （ ON）

极限

100s

I

D

，漏电流（ A）

10

1ms

10ms

100ms

1s

10s

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θJA

= 135

o

C / W

T

A

= 25

o

C

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

，漏源电压（V ）

DC

50

图8.电容特性。

40

单脉冲

R

θJA

= 135 ° C / W

T

A

= 25°C

30

1

20

0.1

10

0

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

FDS6982S版本B （ W）