【FDS6900AS2005年5月FDS6900AS概述双N沟道的PowerTrenchSyncFET】,IC型号FDS6900AS_NL,FDS6900AS_NL PDF资料,FDS6900AS

FDS6900AS

2005年5月

FDS6900AS

概述

双N沟道的PowerTrench

SyncFET

特点

Q2:

优化，以最大限度地减少传导损耗

包括SyncFET肖特基体二极管

R

DS （ ON）

= 22MΩ @ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

= 28mΩ @ V

GS

= 4.5V

Q1:

优化的低开关损耗

低栅极电荷（ 11nC典型值）

R

DS （ ON）

= 27mΩ @ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

= 34mΩ @ V

GS

= 4.5V

100% R

G

（栅极电阻）测试

该FDS6900AS被设计来取代两个单SO-

8 MOSFET和同步DC肖特基二极管： DC

电源，可提供各种外围电压

用于笔记本电脑和其它电池供电

电子设备。 FDS6900AS包含了两个独特的

30V， N沟道，逻辑电平，的PowerTrench MOSFET的

旨在最大限度地提高功率转换效率。

高侧开关（Q1）被设计具有特定

强调减少开关损耗，而低

侧开关（Q2 ）被优化，以减少传导

损失。 Q2还包括一个集成的肖特基二极管

利用飞兆半导体的整体SyncFET技术。

8.2A ， 30V

6.9A ， 30V

S1D2

D

S1D2

D

S1D2

D

G1

D

1

2

3

Q2

Q1

8

7

6

5

双N沟道SyncFet

SO-8

销1

SO-

D1

S

S2

G2

G

4

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

漏源电压

栅源电压

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

Q2

30

（注1A ）

Q1

30

±20

6.9

20

2

1.6

1

0.9

-55到+150

单位

V

A

W

- 连续

- 脉冲

功耗双操作

功率消耗单操作

漏电流

±20

8.2

30

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

T

J

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

78

40

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS6900AS

设备

FDS6900AS

FDS6900AS_NL

（注4 ）

带尺寸

13”

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FDS6900AS版本

B（ X）

2005

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS6900AS

电气特性

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿

电压

击穿电压

温度COEF网络cient

零栅压漏

当前

门体漏

（注2 ）

测试条件

V

GS

= 0 V,

I

D

= 1毫安

I

D

= 250微安

V

GS

= 0 V,

I

D

= 10毫安，引用至25℃

I

D

= 250μA ，引用至25℃

V

DS

= 24 V,

V

GS

= 0 V

V

GS

=

±20

V,

V

DS

= 0 V

输入最小值典型值最大值单位

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

30

27

22

500

1

±100

V

毫伏/°C的

A

nA

开关特性

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

V

DS

= V

GS

,

V

DS

= V

GS

,

I

D

= 1毫安

I

D

= 250 A

1

1.9

–3.2

–4.2

17

23

21

22

30

27

3

V

毫伏/°C的

I

D

= 10毫安，引用至25℃

I

D

= 250微安，引用至25℃

V

GS

= 10 V,

I

D

= 8.2 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 8.2 A，T

J

= 125°C

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 7.6 A

I

D

= 6.9 A

V

GS

= 10 V,

V

GS

= 10 V，I

D

= 6.9 A，T

J

= 125°C

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 6.2 A

V

GS

= 10 V,

V

DS

= 5 V

V

DS

= 5 V,

V

DS

= 5 V,

V

DS

= 15 V,

F = 1.0 MHz的

I

D

= 8.2 A

I

D

= 6.9 A

V

GS

= 0 V,

Q1

22

36

28

27

38

34

m

I

D（上）

g

FS

通态漏电流

正向跨导

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

30

20

25

21

570

600

180

150

70

2.8

2.2

A

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

pF

4.9

3.8

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

（注2 ）

V

DD

= 15 V，I

D

= 1 A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 6

V

DD

= 15 V，I

D

= 1 A,

V

GS

= 4.5 V ，R

根

= 6

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

10

9

5

4

26

23

3

11

10

15

9

16

14

6

4

19

18

10

8

42

32

6

20

19

27

18

29

25

12

8

ns

FDS6900AS版本

B

(X)

FDS6900AS

电气特性

符号

参数

（续）

T

A

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

（注2 ）

输入最小值典型值最大值单位

开关特性

Q

g

（ TOT ）

Q

g

Q

gs

Q

gd

总栅极电荷在VGS = 10V

总栅极电荷在VGS = 5V

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

Q2:

V

DS

= 15 V，I

D

= 8.2A

Q1:

V

DS

= 15 V，I

D

= 6.9A

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

（注3）

（注2 ）

10

11

5.8

6.1

1.6

1.7

2.1

2.2

15

8.2

8.5

nC

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

T

rr

Q

rr

T

rr

Q

rr

V

SD

最大连续漏源二极管的正向电流

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复时间

反向恢复电荷

漏源二极管正向

电压

I

F

= 8.2 A,

d

iF

/d

t

= 300 A / μs的

I

F

= 6.9 A,

d

iF

/d

t

= 100 A / μs的

V

GS

= 0 V，I

S

= 2.3 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 5 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 1.3 A

2.3

1.3

15

6

19

10

0.6

0.7

1.0

1.2

A

ns

nC

ns

nC

V

（注3）

Q2

Q1

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

a)

78 ° C / W时，

安装在一

2

2个0.5英寸盘

盎司铜

b)

125 ° C / W时，

安装在一

2

在垫0.02

2盎司铜

c)

135 ° C / W时，

安装在一

最小焊盘。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

3.

请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。

4.

FDS6900AS_NL是无铅产品。该FDS6900AS_NL标志将出现在卷标上。

FDS6900AS版本

B

(X)

FDS6900AS

典型特征： Q2

30

V

GS

= 10V

4.0V

3.5V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

2.4

V

GS

= 3.0V

2.2

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

6.0V

10V

I

D

，漏电流（ A）

6.0V

4.5V

20

3.0V

10

2.5V

0

0.5

1

1.5

2

V

DS

，漏源电压（V ）

2.5

3

0

5

10

15

20

I

D

，漏电流（ A）

25

30

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.06

1.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 8.2A

V

GS

= 10V

I

D

= 4A

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

0.05

1.4

1.2

0.04

1

0.03

T

A

= 125 C

o

0.8

0.02

T

A

= 25

o

C

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

o

T

J

，结温（ C）

125

150

0.01

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

图3.导通电阻变化与

温度。

30

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

V

DS

= 5V

25

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= 0V

I

S

，反向漏电流（ A）

10

20

1

T

A

= 125 C

o

15

T

A

= 125 C

10

o

0.1

25

o

C

-55 C

o

5

0.01

-55

o

C

25 C

0

1.5

2

2.5

3

3.5

V

GS

，门源电压（ V）

4

o

0.001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

1

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDS6900AS版本

B

(X)

FDS6900AS

典型特征： Q2

10

V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

=8.2A

800

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

电容（pF）

V

DS

= 10V

20V

600

C

国际空间站

400

8

6

15V

4

C

OSS

200

2

C

RSS

0

3

6

Q

g

，栅极电荷（ NC）

9

12

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

图7.栅极电荷特性。

100

R

DS （ ON）

极限

I

D

，漏电流（ A）

10

1ms

10ms

100ms

1s

1

DC

V

GS

= 10V

单脉冲

o

R

θ

JA

= 135℃ / W

T

A

= 25 C

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏源电压（V ）

100

o

图8.电容特性。

50

100

s

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

40

单脉冲

R

θ

JA

= 135 ° C / W

T

A

= 25°C

30

10s

20

0.1

10

0

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

R（T ），规范有效的瞬变

热阻

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 135 ° C / W

P（ PK）

t

1

t

2

单脉冲

0.01

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，时间（秒）

1

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1c中所述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDS6900AS版本

B

(X)