FDS6894AZ
2001年10月
FDS6894AZ
双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench
MOSFET
概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET产生
运用
飞兆半导体
安森美半导体
先进
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻，但保持
出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
8 A， 20 V.
R
DS （ ON）
= 17毫欧@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= 2.5 V
R
DS （ ON）
= 30毫欧@ V
GS
= 1.8 V
低栅极电荷（ 14 NC典型值）
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
D2
D
D2
D
D
D1
D1
D
5
6
G1
S1
G
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
销1
SO-8
G2
S2
S
7
8
S
S
1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
20
±
8
（注1A ）
单位
V
V
A
W
8
32
2
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
1.6
1.0
0.9
-55到+150
°C
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6894AZ
设备
FDS6894AZ
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6894AZ版本C （ W）
FDS6894AZ
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55°C
V
GS
= 8 V,
V
DS
= 0 V
V
GS
= – 8 V,
V
DS
= 0 V
民
20
典型值
最大单位
V
毫伏/°C的
1
10
10
–10
A
A
A
开关特性
13
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 7 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,
I
D
= 8 A
0.6
0.7
–3
12
14
18
17
1.5
V
毫伏/°C的
m
17
20
30
26
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
16
45
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1455
297
151
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
9
14
33
13
18
24
53
23
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 8 A,
14
2
3
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 1.3 A
（注2 ）
1.3
0.6
1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
2
安装在0.5英寸
2盎司纯铜垫
B） 125 ° C / W时，
安装在0.02
2
在2盎司垫
铜
C） 135 ° C / W安装在一个时
最小的安装盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。
FDS6894AZ版本C （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
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