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FDS6690AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
五月
2008
FDS6690AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6690AS被设计来取代单一的SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管: DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率,提供了一个低
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。
该FDS6690AS
包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。的性能
该FDS6690AS作为一个低侧开关
同步整流接近的性能
FDS6690A与肖特基二极管并联。
tm
特点
10 A, 30 V
R
DS ( ON)
MAX = 12毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
MAX = 15毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基二极管
低栅极电荷( 16nC典型值)
高性能沟道技术极低
R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
低端笔记本电脑
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
W
10
50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6690AS
设备
FDS6690AS
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6690AS修订版A2 ( X)
FDS6690AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 10毫安,引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
30
典型值
最大
单位
V
开关特性
30
500
±100
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 10毫安,引用至25℃
V
GS
= 10 V,
I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 8.5 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 10A ,T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 15 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 10 A
1
1.6
–4
10
12
15
3
V
毫伏/°C的
12
15
19
m
I
D(上)
g
FS
50
45
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
(注2 )
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时,
V
GS
= 0 V,
910
270
100
pF
pF
pF
F = 1.0 MHz的
2.0
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
( TOT )
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
8
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
5
25
6
11
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
11
15
8
16
V
DD
= 15 V,
I
D
= 10 A
9
2.3
3.0
16
10
40
12
20
20
27
16
23
13
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
FDS6690AS修订版A2 ( X)
FDS6690AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
T
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
F
= 10A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
(注3)
3.5
(注2 )
A
V
nS
nC
I
S
= 3.5 A
0.6
16
9
0.7
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏针。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A) 50 ° / W时,
装在一个1在
2
2盎司纯铜垫
B) 105 ° / W时,
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
三) 125° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDS6690AS修订版A2 ( X)
FDS6690AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
50
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
4.0V
2.2
V
GS
= 4.0V
40
I
D
,漏电流( A)
6.0V
4.5V
1.8
3.5V
30
3.0V
1.4
4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
10V
20
1
10
2.5V
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
,漏源电压(V )
2
0.6
0
10
20
30
I
D
,漏电流( A)
40
50
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.06
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.6
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
1.45
1.3
1.15
1
0.85
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
,结温( C)
125
150
I
D
= 10A
V
GS
= 10V
I
D
= 5A
0.05
0.04
0.03
T
A
= 125 C
0.02
o
0.01
T
A
= 25
o
C
0
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
图3.导通电阻变化与
温度。
50
I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= 5V
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
V
GS
= 0V
I
D
,漏电流( A)
40
1
T
A
= 125
o
C
30
0.1
25
o
C
-55
o
C
20
T
A
= 125 C
o
-55 C
o
0.01
10
25
o
C
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
,门源电压( V)
4
0.001
0
0.2
0.4
0.6
V
SD
,体二极管正向电压( V)
0.8
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6690AS修订版A2 ( X)
FDS6690AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
10
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
=10A
1400
1200
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
电容(pF)
V
DS
= 10V
20V
1000
800
600
C
OSS
C
国际空间站
6
15V
4
400
200
C
RSS
2
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
,栅极电荷( NC)
18
21
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏源极电压( V)
30
图7.栅极电荷特性。
100
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
R
DS ( ON)
极限
100
s
1ms
10ms
100ms
1s
图8.电容特性。
50
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
I
D
,漏电流( A)
40
10
30
1
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θ
JA
= 125℃ / W
T
A
= 25 C
o
10s
20
0.1
10
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏源电压(V )
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θJA
R
θJA
= 125℃ / W
P( PK)
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6690AS修订版A2 ( X)
FDS6690AS
十二月2004
FDS6690AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6690AS被设计来取代单一的SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管: DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率,提供了一个低
和低栅极电荷。
该FDS6690AS
R
DS ( ON)
包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。的性能
该FDS6690AS作为一个低侧开关
同步整流接近的性能
FDS6690A与肖特基二极管并联。
特点
10 A, 30 V
R
DS ( ON)
MAX = 12毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
MAX = 15毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基二极管
低栅极电荷( 16nC典型值)
高性能沟道技术极低
R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
低端笔记本电脑
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
W
10
50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6690AS
FDS6690AS
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS6690AS
FDS6690AS_NL
(注4 )
带尺寸
13’’
13’’
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY
2500台
2500台
FDS6690AS版本A ( X)
FDS6690AS
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安,引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
30
典型值
最大
单位
V
开关特性
28
500
±100
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安,引用至25℃
V
GS
= 10 V,
I
D
= 10 A
I
D
= 8.5 A
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V,I
D
= 10A ,T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 15 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 10 A
1
1.6
–3
10
12
15
3
V
毫伏/°C的
12
15
19
m
I
D(上)
g
FS
50
45
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
(注2 )
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时,
V
GS
= 0 V,
910
270
100
pF
pF
pF
F = 1.0 MHz的
2.0
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
( TOT )
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
8
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
5
25
6
11
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
11
15
8
16
V
DD
= 15 V,
I
D
= 10 A
9
2.3
3.0
16
10
40
12
20
20
27
16
23
13
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
FDS6690AS版本A ( X)
FDS6690AS
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
T
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
F
= 10A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
(注3)
3.5
(注2 )
A
V
nS
nC
I
S
= 3.5 A
0.6
16
9
0.7
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏针。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A) 50 ° / W时,
装在一个1在
2
2盎司纯铜垫
B) 105 ° / W时,
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
三) 125° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
4.
FDS6690AS_NL是无铅产品。该FDS6690AS_NL标志将出现在卷标上。
FDS6690AS版本A ( X)
FDS6690AS
典型特征
50
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
4.0V
2.2
V
GS
= 4.0V
40
I
D
,漏电流( A)
6.0V
4.5V
1.8
3.5V
30
3.0V
1.4
4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
10V
20
1
10
2.5V
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
,漏源电压(V )
2
0.6
0
10
20
30
I
D
,漏电流( A)
40
50
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.06
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.6
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
1.45
1.3
1.15
1
0.85
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
,结温( C)
125
150
I
D
= 10A
V
GS
= 10V
I
D
= 5A
0.05
0.04
0.03
T
A
= 125 C
0.02
o
0.01
T
A
= 25
o
C
0
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
图3.导通电阻变化与
温度。
50
I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= 5V
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
V
GS
= 0V
I
D
,漏电流( A)
40
1
T
A
= 125
o
C
30
0.1
25
o
C
-55
o
C
20
T
A
= 125 C
o
-55 C
o
0.01
10
25
o
C
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
,门源电压( V)
4
0.001
0
0.2
0.4
0.6
V
SD
,体二极管正向电压( V)
0.8
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6690AS版本A ( X)
FDS6690AS
典型特征
10
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
=10A
1400
1200
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
电容(pF)
V
DS
= 10V
20V
1000
800
600
C
OSS
C
国际空间站
6
15V
4
400
200
C
RSS
2
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
,栅极电荷( NC)
18
21
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏源极电压( V)
30
图7.栅极电荷特性。
100
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
R
DS ( ON)
极限
100
s
1ms
10ms
100ms
1s
图8.电容特性。
50
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
I
D
,漏电流( A)
40
10
30
1
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θ
JA
= 125℃ / W
T
A
= 25 C
o
10s
20
0.1
10
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏源电压(V )
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θJA
R
θJA
= 125℃ / W
P( PK)
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6690AS版本A ( X)
TPS51123
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SLUS890 - 2008年12月
双路同步降压型控制器,具有Out的音频操作和100毫安
的LDO用于笔记本系统电源
1
特点
宽输入电压范围: 5.5 V至28 V
输出电压范围: 2 V至5.5 V
内置100毫安5 -V / 3.3 -V LDO与开关
内置1 %, 2 -V参考输出
带/不带出的音频模式可选
轻载和PWM只运行
内部1.6毫秒的电压伺服软启动
自适应导通时间控制架构
四种可选频率设定
4500 PPM / ° C R
DS ( ON)
电流检测
内置输出放电
电源良好输出
内置OVP / UVP / OCP
热关断(非闭锁)
24引脚QFN ( RGE )套餐
应用
笔记本电脑
I / O电源
系统电源
2
描述
该TPS51123是具有成本效益的,双同步
降压控制器针对笔记本系统电源
供应解决方案。它提供5 V和3.3 V LDO和
需要很少的外部元件。该TPS51123
支持高效率,快速瞬态响应和
提供
a
联合
电源良好
信号。
- 对音频输出模式轻载运行实现了低
在高得多的效率比噪声
传统的强制PWM工作模式。自适应
接通时间D- CAP 控制提供了方便,
高效的运行。这款器件的工作电源
输入电压范围为5.5 V至28 V和
支持输出电压从2 V至5.5 V.
TPS51123可在一个24引脚QFN封装,
从-40 °C至85 ° C的环境温度
范围内。
13千瓦
VIN
130千瓦
10
mF
x 2
6
20千瓦
20千瓦
220 nF的
30千瓦
VIN
130千瓦
10
mF
x 2
VIN
5.5 V
to
28 V
5
4
3
2
1
VFB2
TONSEL
TRIP2
VREF
VFB1
7
10
mF
0.1
mF
3.3
mF
VO2
3.3 V
330
mF
5.1
W
8
9
VO2
TRIP1
VO1 24
100千瓦
VREG5
0.1
mF
5.1
W
3.3
mF
VO1
330
mF
5V
VREG3
VBST2
TPS51123RGE
(QFN-24)
使用PowerPad
PGOOD 23
VBST1 22
DRVH1 21
LL1 20
10 DRVH2
11 LL2
12 DRVL2
SKIPSEL
VREG5
17
DRVL1 19
GND
EN0
13
14
15
16
18
VREG5
33
mF
ENC
EN0
VIN
ENC
VIN
UDG-08167
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
外的音频, D- CAP是德州仪器的商标。
2008 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS51123
SLUS890 - 2008年12月
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订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
塑料四方扁平的包
( QFN )
产品型号
TPS51123RGET
TPS51123RGER
24
磁带/卷
引脚
传输介质
最低
QUANTITY
250
3000
环保计划
绿色
( RoHS和
无锑/溴)
有关最新spcifications和封装信息,请参阅
封装选项附录
位于该数据表的末尾或
请参考我们的网站:
http://www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
参数
VBST1 , VBST2
VIN
输入电压范围
(1)
价值
-0.3 36
-0.3 30
-2.0到30
单位
LL1, LL2
VBST1 , VBST2
(2)
V
-0.3 6
-0.3 6
-1.0到36
-0.3 6
-0.3 6
-40至125
-55到150
°C
V
EN0 , ENC , TRIP1 , TRIP2 , VFB1 , VFB2 , VO1 , VO2 , TONSEL , SKIPSEL
DRVH1 , DRVH2
输出电压范围
(1)
DRVH1 , DRVH2
(2)
PGOOD , VREG3 , VREG5 , VREF , DRVL1 , DRVL2
T
J
结温范围
T
英镑
储存温度
(1)
(2)
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备在这些或超出下"recommended操作指示的任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
电压值是相对于所述相应LLX终端。
耗散额定值
2盎司跟踪和铜焊盘与焊料。
24针RGE
(1)
(1)
T
A
< 25℃额定功率
1.85 W
降额因子牛逼以上
A
= 25°C
18.5毫瓦/°C的
T
A
= 85°C额定功率
0.74 W
由3× 3的热导热垫下方孔增强热传导。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
参数
电源电压
输入电压范围
VIN
VBST1 , VBST2
VBST1 , VBST2 ( WRT LLX )
EN0 , ENC , TRIP1 , TRIP2 , VFB1 , VFB2 , VO1 , VO2 ,
TONSEL , SKIPSEL
输出电压范围
DRVH1 , DRVH2
DRVH1 , DRVH2 ( WRT LLX )
LL1, LL2
VREF , VREG3 , VREG5
PGOOD , DRVL1 , DRVL2
T
A
工作自由空气的温度
5.5
-0.1
-0.1
-0.1
-0.8
-0.1
-1.8
-0.1
-0.1
-40
典型值
最大
28
34
5.5
5.5
34
5.5
28
5.5
5.5
85
°C
V
单位
2
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2008 ,德州仪器
TPS51123
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电气特性
在工作自由空气的温度范围, VIN = 12 V (除非另有说明)
参数
电源电流
I
VIN1
VIN电源电流1
VIN电流,T
A
= 25 ℃,无负荷, VO1 = 0V,
VO2 = 0 V , EN0 =开放, ENC = 5 V ,
TRIP1 = TRIP2 = 2 V , VFB1 = VFB2 = 2.05 V
VIN电流,T
A
= 25 ℃,无负荷, VO1 = 5V,
VO2 = 3.3 V , EN0 =开放, ENC = 5 V ,
TRIP1 = TRIP2 = 2 V , VFB1 = VFB2 = 2.05 V
VO1目前,T
A
= 25 ℃,无负荷, VO1 = 5V,
VO2 = 3.3 V , EN0 =开放, ENC = 5 V ,
TRIP1 = TRIP2 = 2 V , VFB1 = VFB2 = 2.05 V
VO2目前,T
A
= 25 ℃,无负荷, VO1 = 5V,
VO2 = 3.3 V , EN0 =开放, ENC = 5 V ,
TRIP1 = TRIP2 = 2 V , VFB1 = VFB2 = 2.05 V
VIN电流,T
A
= 25 ℃,无负荷,
EN0 = 1.2 V, ENC = 0 V
VIN电流,T
A
= 25 ℃,无负荷,
EN0 = ENC = 0 V
I
VREF
= 0 A
–5
A
& LT ;我
VREF
& LT ; 100
A
VO1 = 0 V,I
VREG5
<百毫安,T
A
= 25°C
V
VREG5
VREG5输出电压
VO1 = 0 V,I
VREG5
<百毫安,
6.5 V < VIN < 28 V
VO1 = 0 V,I
VREG5
< 50毫安, 5.5 V < VIN < 28 V
I
VREG5
V
TH5VSW
R
5VSW
VREG5输出电流
切换门限
5 V SW
ON
VO1 = 0 V , VREG5 = 4.5 V
为ON
迟滞
VO1 = 5 V,I
VREG5
= 100毫安
VO2 = 0 V,I
VREG3
<百毫安,T
A
= 25°C
V
VREG3
I
VREG3
V
TH3VSW
R
3VSW
V
IREF
VREG3输出电压
VREG3输出电流
切换门限
3 V SW
ON
内部参考电压
VO2 = 0 V,I
VREG3
<百毫安, 6.5 V < VIN < 28 V
VO2 = 0 V,I
VREG3
< 50毫安, 5.5 V < VIN < 28 V
VO2 = 0 V , VREG3 = 3 V
为ON
迟滞
VO2 = 3.3 V,I
VREG3
= 100毫安
I
VREF
= 0 ,开始对国家
FB电压,I
VREF
= 0 ,跳过模式
V
VFB
VFB调节电压
FB电压,I
VREF
= 0 , OOA模式
(1)
条件
典型值
最大
单位
0.55
1
mA
I
VIN2
VIN电源电流2
4
6.5
A
I
VO1
VO1电流
0.8
1.5
mA
I
VO2
I
VINSTBY
I
VINSDN
目前VO2
VIN待机电流
VIN关断电流
12
95
10
100
250
25
A
VREF输出
V
VREF
VREF输出电压
1.98
1.97
4.8
4.75
4. 75
100
4.55
0.15
2.00
2.00
5
5
5
175
4.7
0.25
1
3.2
3.13
3.13
100
3.05
0.1
3.33
3.33
3.33
175
3.15
0.2
1.5
1.95
1.98
2.00
1.98
2.01
2.035
2.00
-20
10
60
20
nA
mA
2.02
2.03
5.2
5.25
5.25
250
4.85
0.3
3
3.46
3.5
3.5
250
3.25
0.25
4
2.01
2.04
2.07
V
mA
V
V
mA
V
V
V
VREG5输出
VREG3输出
内部参考电压
FB电压,I
VREF
= 0 ,连续导通
模式
(1)
I
VFB
I
Dischg
(1)
VFB输入电流
VOUT放电电流
VFBx = 2.0 V,T
A
= 25°C
ENC = 0 V ,氧化钒= 0.5 V
输出电压V
OUT
放电
由设计保证。未经生产测试。
2008 ,德州仪器
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3
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电气特性(续)
在工作自由空气的温度范围, VIN = 12 V (除非另有说明)
参数
输出驱动器
R
DRVH
R
DRVL
T
D
DRVH性
DRVL性
死区时间
源,V
BSTX - DRVHx
= 100 mV的
水槽,V
DRVHx - LLX
= 100 mV的
源,V
VREG5 - DRVLx
= 100 mV的
水槽,V
DRVLx
= 100 mV的
DRVHx客来DRVLx上
DRVLx客来DRVHx上
V
VREG5-VBSTx
, I
F
= 10毫安,T
A
= 25 °C
VBSTx = 34 V, LLX = 28 V ,T
A
= 25 °C
V
IN
= 12 V , VO1 = 5 V, 200 kHz的设置
V
IN
= 12 V , VO1 = 5 V, 245 kHz的设置
V
IN
= 12 V , VO1 = 5 V, 300 kHz的设置
V
IN
= 12 V , VO1 = 5 V, 365 kHz的设置
V
IN
= 12 V , VO2 = 3.3 V , 250 kHz的设置
V
IN
= 12 V , VO2 = 3.3 V , 305 kHz的设置
V
IN
= 12 V , VO2 = 3.3 V , 375 kHz的设置
V
IN
= 12 V , VO2 = 3.3 V , 460 kHz的设置
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
内部软启动
的PG在较低
V
THPG
I
PGMAX
T
PGDEL
PG门槛
PG灌电流
PG延迟
PG从高
PG滞后
PGOOD = 0.5 V
延迟的PG
关闭
启用
V
EN0
= 0.2 V
关闭
启用
200千赫/ 250千赫
V
TONSEL
TONSEL设定电压
245千赫/ 305千赫
300千赫/ 375千赫
365千赫/ 460千赫
自动跳过
V
SKIPSEL
SKIPSEL设定电压
只有PWM
OOA自动跳转
1.9
2.7
1.9
2.7
4.7
1.5
2.1
V
2
1.5
2.1
3.6
V
2.4
2
3.5
5
0.6
1.1
92.50%
102.50%
2.50%
5
350
0.7
4
1.5
4
1.5
10
30
0.8
0.1
2080
1700
1390
1140
1100
900
730
600
80
300
1.6
95%
105%
5%
12
510
670
0.4
2.1
97.50%
107.50%
7.50%
mA
s
ms
ns
0.9
1
8
4
8
4
ns
条件
典型值
最大
单位
内部BST二极管
V
FBST
I
VBSTLK
T
ON11
T
ON12
T
ON13
T
ON14
T
ON21
T
ON22
T
ON23
T
ON24
T
开(分钟)
T
关( MIN)的
T
SS
正向电压
VBST泄漏电流
CH1上的时间1
CH1时间2
CH1上的时间为3
CH1时间4
CH2时间1
CH2时间2
CH2的时间3
CH2时间4
最小导通时间
最小关断时间
内部SS时间
V
A
占空比和频率的控制
软启动
POWERGOOD
逻辑阈值与设定条件
V
EN0
I
EN0
V
ENC
EN0设定电压
EN0电流
ENC阈值电压
V
A
V
4
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2008 ,德州仪器
TPS51123
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电气特性(续)
在工作自由空气的温度范围, VIN = 12 V (除非另有说明)
参数
保护:电流检测
I
TC
ITRIP
V
OCLoff
V
OCL (最大)
V
ZC
V
V
OVP
T
OVPDEL
V
UVP
T
UVPDEL
T
UVPEN
TRIPx源电流
TRIPx当前温度
系数
OCP比较器的失调
最大OCL设置
零交叉检测
比较器的失调
电流限制阈值
OVP阈值之旅
OVP传播延迟
输出的UVP跳变门限
输出的UVP延迟道具
输出的UVP延迟启用
醒来
迟滞
关闭
(2)
条件
V
TRIPx
= 920毫伏,T
A
= 25°C
在25℃的基础
((V
TRIPx -GND
/ 9 ) -24毫伏-V
GND - LLX
)电压,
V
TRIPx -GND
= 920毫伏
V
TRIPx
= 5 V
V
GND - LLX
电压
V
TRIPx -GND
电压
OVP检测
UVP检测
迟滞
(2)
9.4
典型值
10
4500
-8
0
205
0
最大
10.6
单位
A
PPM /°C的
8
185
-5
0.515
110%
55%
20
1.4
4.1
0.38
225
5
2
mV
V
保护:欠压和过压保护
115%
2
60%
10%
32
2
4.2
0.43
VO2-1
(2)
120%
s
65%
40
2.6
4.3
0.48
V
s
ms
欠压锁定( UVLO )
V
UVVREG5
VREG5 UVLO阈值
V
UVVREG3
VREG3 UVLO阈值
热关断
T
SDN
(2)
热关断阈值
关断温度
迟滞
(2)
150
10
°C
由设计保证。未经生产测试。
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FDS6690AS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
FDS6690AS
ON/安森美
2418+
4500
SOP
正规报关原装现货系列订货技术支持
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
FDS6690AS
FAIRCHILD/仙童
2404+
3300
SOP-8
现货正品原装,假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:664997338 复制

电话:0755-18503085056
联系人:郑小姐
地址:深圳市龙华新区民治丰泽湖山庄15栋
FDS6690AS
FSC
20+
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