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FDS6688AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
2008年11月
FDS6688AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6688AS被设计来取代单一的SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管: DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率,提供了一个低
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。
该FDS6688AS
包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。
tm
特点
14.5 A, 30 V.
R
DS ( ON)
最大= 6.0毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
最大= 7.3毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷( 45nC典型值)
高性能沟道技术极低
R
DS ( ON)
和快速开关
高功率和电流处理能力
符合RoHS
应用
DC / DC转换器
低端笔记本
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
W
14.5
50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6688AS
设备
FDS6688AS
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6688AS版本
C
FDS6688AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1毫安
30
典型值
最大单位
V
开关特性
I
D
= 10毫安,引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
20
500
±100
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 1毫安
1
I
D
= 10毫安,引用至25℃
V
GS
= 10 V,
I
D
= 14.5 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 13.2 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 14.5A ,T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 14.5 A
50
1.5
–4
4.5
5.9
6.7
66
3
V
毫伏/°C的
6.0
7.3
8.5
m
I
D(上)
g
FS
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
(注2 )
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时,
V
GS
= 0 V,
2510
710
270
pF
pF
pF
2.8
F = 1.0 MHz的
1.6
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
( TOT )
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
10
12
43
29
20
22
69
46
31
35
54
46
63
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
17
22
34
29
45
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V,
I
D
= 14.5 A,
25
7
8
FDS6688AS版本
C
FDS6688AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
电气特性
符号
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
测试条件
V
GS
= 0 V,I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V,I
S
= 7 A
I
F
= 14.5A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
典型值
0.4
0.5
27
1.9
26
最大单位
0.7
V
nS
A
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
(注2 )
(注2 )
(注3)
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A) 50 ° / W时,
2
装在一个1在
2盎司纯铜垫
B) 105 ° / W时,
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
FDS6688AS版本
C
FDS6688AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
50
V
GS
= 10V
3.5V
2.4
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
2.2
2
1.8
1.6
3.5V
V
GS
= 3.0V
I
D
,漏电流( A)
40
6.0V
4.5V
3.0V
30
20
1.4
1.2
1
0.8
4.0V
4.5V
6.0V
10V
10
2.5V
0
0
0.25
0.5
0.75
V
DS
,漏源电压(V )
1
0
10
20
30
I
D
,漏电流( A)
40
50
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.016
1.4
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= 14.5A
V
GS
=10V
I
D
= 7.3 A
0.014
1.2
0.012
1
0.01
T
A
= 125 C
0.008
o
0.8
0.006
T
A
= 25
o
C
0.6
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
o
T
J
,结温( C)
105
125
0.004
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
图3.导通电阻变化与
温度。
50
V
DS
= 5V
I
S
,反向漏电流( A)
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
10
o
40
I
D
,漏电流( A)
30
T
A
= 125
o
C
20
25 C
10
o
1
T
A
= 125 C
-55
o
C
25
o
C
0.1
-55
o
C
0.01
0
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
,门源电压( V)
3.5
0.001
0
0.2
0.4
0.6
V
SD
,体二极管正向电压( V)
0.8
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6688AS版本
C
FDS6688AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
(续)
10
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= 14.5A
3500
3000
20V
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
电容(pF)
V
DS
= 10V
2500
C
国际空间站
6
15V
2000
1500
C
OSS
4
1000
500
C
RSS
2
0
0
10
20
30
Q
g
,栅极电荷( NC)
40
50
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏源极电压( V)
30
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS ( ON)
极限
100us
1ms
10ms
100ms
1s
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
50
图8.电容特性。
I
D
,漏电流( A)
10
40
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
30
1
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θ
JA
= 125℃ / W
T
A
= 25 C
o
20
0.1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏源电压(V )
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJC
(吨) = R (t)的R *
θJC
R
θJC
= 125℃ / W
0.1
0.1
0.05
0.02
P( PK
0.01
0.01
t
1
t
2
T
J
- T
C
= P * R
θJC
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6688AS版本
C
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    FDS6688AS
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