FDS6688AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
2008年11月
FDS6688AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6688AS被设计来取代单一的SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管: DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率,提供了一个低
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。
该FDS6688AS
包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。
tm
特点
14.5 A, 30 V.
R
DS ( ON)
最大= 6.0毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
最大= 7.3毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷( 45nC典型值)
高性能沟道技术极低
R
DS ( ON)
和快速开关
高功率和电流处理能力
符合RoHS
应用
DC / DC转换器
低端笔记本
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
W
14.5
50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6688AS
设备
FDS6688AS
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6688AS版本
C
FDS6688AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
电气特性
符号
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
测试条件
V
GS
= 0 V,I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V,I
S
= 7 A
I
F
= 14.5A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
民
典型值
0.4
0.5
27
1.9
26
最大单位
0.7
V
nS
A
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
(注2 )
(注2 )
(注3)
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A) 50 ° / W时,
2
装在一个1在
2盎司纯铜垫
B) 105 ° / W时,
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
FDS6688AS版本
C