【FDS6680AS2005年3月FDS6680AS30V N沟道的PowerTrenchSyncFE】,IC型号FDS6680AS,FDS6680AS PDF资料,FDS6680AS经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDS6680AS

2005年3月

FDS6680AS

30V N沟道的PowerTrench

SyncFET

概述

该FDS6680AS被设计来取代单一的SO- 8

MOSFET和同步DC肖特基二极管： DC

电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成

最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低

和低栅极电荷。

该FDS6680AS

R

DS （ ON）

包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体

单片SyncFET技术。的性能

该FDS6680AS作为一个低侧开关

同步整流器是从区分

该FDS6680的并联性能与肖特基

二极管。

特点

11.5 A， 30 V.

R

DS （ ON）

最大= 10.0毫欧@ V

GS

= 10 V

R

DS （ ON）

最大= 12.5毫欧@ V

GS

= 4.5 V

包括SyncFET肖特基体二极管

低栅极电荷（ 22nC典型值）

高性能沟道技术极低

R

DS （ ON）

和快速开关

高功率和电流处理能力

应用

DC / DC转换器

低端笔记本电脑

D

5

6

4

3

2

1

SO-8

S

G

7

8

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

T

A

=25

o

C除非另有说明

参数

评级

30

±20

（注1A ）

单位

V

A

W

11.5

50

2.5

1.2

1

-55到+150

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

T

J

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

50

25

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS6680AS

2005

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

设备

FDS6680AS

FDS6680AS_NL （注4 ）

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FDS6680AS版本B （ X）

FDS6680AS

电气特性

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏

（注2 ）

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 1毫安，引用至25℃

V

DS

= 24 V,

V

GS

=

±20

V,

V

GS

= 0 V

V

DS

= 0 V

民

30

典型值

最大

单位

V

开关特性

29

500

±100

毫伏/°C的

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

V

DS

= V

GS

, I

D

= 1毫安

I

D

= 1毫安，引用至25℃

V

GS

= 10 V,

I

D

= 11.5 A

I

D

= 9.5 A

V

GS

= 4.5 V,

V

GS

= 10 V，I

D

= 11.5A ，T

J

=125°C

V

GS

= 10 V,

V

DS

= 15 V,

V

DS

= 5 V

I

D

= 11.5 A

1

1.5

–3

8.4

10.3

12.3

3

V

毫伏/°C的

10.0

12.5

15.5

m

I

D（上）

g

FS

50

48

A

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

（注2 ）

V

DS

= 15 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 15 mV时，

V

GS

= 0 V,

1240

350

120

pF

F = 1.0 MHz的

1.4

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

（ TOT ）

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

9

V

DS

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

5

27

11

V

DS

= 15 V,

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

12

18

11

22

V

DD

= 15 V,

I

D

= 11.5 A,

12

3.5

3.4

18

10

42

21

20

22

32

20

30

16

ns

nC

总栅极电荷在VGS = 10V

总栅极电荷在VGS = 5V

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

FDS6680AS版本B （ X）

FDS6680AS

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

V

SD

T

rr

Q

rr

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

V

GS

= 0 V,

V

GS

= 0 V,

I

F

= 11.5A,

I

S

= 3.5 A

I

S

= 7 A

（注2 ）

3.5

0.5

0.6

18

12

0.7

A

V

nS

nC

d

iF

/d

t

= 300 A / μs的

（注3）

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏针。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

A） 50 ° / W时，

装在一个1在

2

2盎司纯铜垫

B） 105 ° / W时，

安装在一个0.04

2

2盎司纯铜垫

三） 125° / W安装在一个时

最小焊盘。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

3.

请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。

4.

FDS6680AS_NL是无铅产品。该FDS6680AS_NL标志将出现在卷标上。

FDS6680AS版本B （ X）

FDS6680AS

典型特征

50

V

GS

= 10V

4.0V

3.5V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

2

V

GS

= 3.0V

40

I

D

，漏电流（ A）

6.0V

4.5V

3.0V

1.8

1.6

3.5V

4.0V

1.2

4.5V

5.0V

6.0V

1

10.0V

30

1.4

20

10

2.5V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

V

DS

，漏源电压（V ）

2

0.8

0

10

20

30

I

D

，漏电流（ A）

40

50

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.05

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.4

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 11.5A

V

GS

= 10V

I

D

= 6A

0.04

1.2

0.03

1

0.02

T

A

= 125 C

o

0.8

0.01

T

A

= 25 C

0

o

0.6

-50

-25

0

25

50

o

T

J

，结温（ C）

75

100

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

图3.导通电阻变化与

温度。

50

V

DS

= 5V

I

S

，反向漏电流（ A）

40

I

D

，漏电流（ A）

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

10

V

GS

= 0V

1

T

A

= 125

o

C

0.1

25

o

C

0.01

-55 C

0.001

o

30

o

20

T

A

= 125 C

-55

o

C

10

25 C

0

1

1.5

2

2.5

3

3.5

V

GS

，门源电压（ V）

4

o

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

0.8

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDS6680AS版本B （ X）

FDS6680AS

典型特征

（续）

10

V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

=11.5A

8

V

DS

= 10V

20V

6

15V

4

电容（pF）

1800

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

1500

1200

C

国际空间站

900

600

C

OSS

2

300

C

RSS

0

5

10

15

Q

g

，栅极电荷（ NC）

20

25

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

图7.栅极电荷特性。

1000

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

50

图8.电容特性。

100

I

D

，漏电流（ A）

R

DS （ ON）

极限

100

s

1ms

40

单脉冲

R

θ

JA

= 125°C / W

T

A

= 25°C

10

1s

1

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θ

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25 C

0.01

0.1

o

10ms

100ms

10s

DC

30

20

0.1

10

1

10

V

DS

，漏源电压（V ）

100

0

0.01

0.1

1

10

t

1

，时间（秒）

100

1000

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

R（T ），规范有效

瞬态热阻

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 125℃ / W

P（ PK）

0.01

单脉冲

t

1

t

2

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，时间（秒）

1

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1c中所述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDS6680AS版本B （ X）

FDS6680AS

30V N沟道的PowerTrench

SyncFET

五月

2008

FDS6680AS

30V N沟道的PowerTrench

SyncFET

概述

该FDS6680AS被设计来取代单一的SO- 8

MOSFET和同步DC肖特基二极管： DC

电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成

最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低

R

DS （ ON）

和低栅极电荷。

该FDS6680AS

包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体

单片SyncFET技术。的性能

该FDS6680AS作为一个低侧开关

同步整流器是从区分

该FDS6680的并联性能与肖特基

二极管。

tm

特点

11.5 A， 30 V.

R

DS （ ON）

最大= 10.0毫欧@ V

GS

= 10 V

R

DS （ ON）

最大= 12.5毫欧@ V

GS

= 4.5 V

包括SyncFET肖特基体二极管

低栅极电荷（ 22nC典型值）

高性能沟道技术极低

R

DS （ ON）

和快速开关

高功率和电流处理能力

应用

DC / DC转换器

低端笔记本电脑

D

5

6

4

3

2

1

SO-8

S

G

7

8

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

T

A

=25

o

C除非另有说明

参数

评级

30

±20

（注1A ）

单位

V

A

W

11.5

50

2.5

1.2

1

-55到+150

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

T

J

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

50

25

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS6680AS

设备

FDS6680AS

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

2008

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS6680AS冯B2 （ X）

FDS6680AS

30V N沟道的PowerTrench

SyncFET

电气特性

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏

（注2 ）

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 10毫安，引用至25℃

V

DS

= 24 V,

V

GS

=

±20

V,

V

GS

= 0 V

V

DS

= 0 V

民

30

典型值

最大

单位

V

开关特性

26

500

±100

毫伏/°C的

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

V

DS

= V

GS

, I

D

= 1毫安

I

D

= 10毫安，引用至25℃

V

GS

= 10 V,

I

D

= 11.5 A

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 9.5 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 11.5A ，T

J

=125°C

V

GS

= 10 V,

V

DS

= 15 V,

V

DS

= 5 V

I

D

= 11.5 A

1

1.5

–4

8.4

10.3

12.3

3

V

毫伏/°C的

10.0

12.5

15.5

m

I

D（上）

g

FS

50

48

A

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

（注2 ）

V

DS

= 15 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 15 mV时，

V

GS

= 0 V,

1240

350

120

pF

F = 1.0 MHz的

1.4

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

（ TOT ）

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

9

V

DS

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

5

27

11

V

DS

= 15 V,

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

12

18

11

22

V

DD

= 15 V,

I

D

= 11.5 A,

12

3.5

3.4

18

10

42

21

20

22

32

20

30

16

ns

nC

总栅极电荷在VGS = 10V

总栅极电荷在VGS = 5V

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

FDS6680AS冯B2 （ X）

FDS6680AS

30V N沟道的PowerTrench

SyncFET

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

V

SD

T

rr

Q

rr

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

V

GS

= 0 V,

V

GS

= 0 V,

I

F

= 11.5A,

I

S

= 3.5 A

I

S

= 7 A

（注2 ）

3.5

0.5

0.6

18

12

0.7

A

V

nS

nC

d

iF

/d

t

= 300 A / μs的

（注3）

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏针。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

A） 50 ° / W时，

装在一个1在

2

2盎司纯铜垫

B） 105 ° / W时，

安装在一个0.04

2

2盎司纯铜垫

三） 125° / W安装在一个时

最小焊盘。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

3.

请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。

FDS6680AS冯B2 （ X）

FDS6680AS

30V N沟道的PowerTrench

SyncFET

典型特征

50

V

GS

= 10V

4.0V

3.5V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

2

V

GS

= 3.0V

40

I

D

，漏电流（ A）

6.0V

4.5V

3.0V

1.8

1.6

3.5V

4.0V

1.2

4.5V

5.0V

6.0V

1

10.0V

30

1.4

20

10

2.5V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

V

DS

，漏源电压（V ）

2

0.8

0

10

20

30

I

D

，漏电流（ A）

40

50

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.05

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.4

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 11.5A

V

GS

= 10V

I

D

= 6A

0.04

1.2

0.03

1

0.02

T

A

= 125 C

o

0.8

0.01

T

A

= 25 C

0

o

0.6

-50

-25

0

25

50

o

T

J

，结温（ C）

75

100

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

图3.导通电阻变化与

温度。

50

V

DS

= 5V

I

S

，反向漏电流（ A）

40

I

D

，漏电流（ A）

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

10

V

GS

= 0V

1

T

A

= 125

o

C

0.1

25

o

C

0.01

-55 C

0.001

o

30

o

20

T

A

= 125 C

-55

o

C

10

25 C

0

1

1.5

2

2.5

3

3.5

V

GS

，门源电压（ V）

4

o

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

0.8

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDS6680AS冯B2 （ X）

FDS6680AS

30V N沟道的PowerTrench

SyncFET

典型特征

（续）

10

V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

=11.5A

8

V

DS

= 10V

20V

6

15V

4

电容（pF）

1800

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

1500

1200

C

国际空间站

900

600

C

OSS

2

300

C

RSS

0

5

10

15

Q

g

，栅极电荷（ NC）

20

25

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

图7.栅极电荷特性。

1000

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

50

图8.电容特性。

100

I

D

，漏电流（ A）

R

DS （ ON）

极限

100

s

1ms

40

单脉冲

R

θ

JA

= 125°C / W

T

A

= 25°C

10

1s

1

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θ

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25 C

0.01

0.1

o

10ms

100ms

10s

DC

30

20

0.1

10

1

10

V

DS

，漏源电压（V ）

100

0

0.01

0.1

1

10

t

1

，时间（秒）

100

1000

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

R（T ），规范有效

瞬态热阻

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 125℃ / W

P（ PK）

0.01

单脉冲

t

1

t

2

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，时间（秒）

1

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1c中所述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDS6680AS冯B2 （ X）