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1998年4月

FDS6680

单N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道逻辑电平MOSFET的设计

具体而言，以提高直流/直流整体效率

使用同步或传统转换器

开关PWM控制器。

MOSFET的功能切换速度和更低的栅极

收费比其他的MOSFET具有可比性

DS （ ON）

特定连接的阳离子。

其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶（甚至

在非常高的频率），和DC / DC电源设计

具有较高的整体效率。

特点

11.5 A， 30 V

DS （ ON）

= 0.010

@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 0.015

@ V

= 4.5 V.

在开关型DC / DC转换器的优化使用

PWM控制器。

非常快速的切换。

低栅极电荷（典型的Qg = 19 NC ）。

SOT-23

SuperSOT

-6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

绝对最大额定值

符号

参数

= 25

C除非其他明智的注意

FDS6680

单位

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

（注1A ）

±20

11.5

2.5

1.2

-55到150

英镑

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

FDS6680 Rev.E1

1998仙童半导体公司

电气特性

(

= 25

C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

漏源击穿电压

击穿电压温度。系数

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

= 250 A

= 250 μA ，参考25

= 24 V, V

= 0 V

= 55°C

= 20 V, V

= 0 V

= -20 V, V

= 0 V

= V

, I

= 250 A

= 250 μA ，参考25℃

= 10 V，I

= 11.5 A

=125°C

= 4.5 V，I

= 9.5 A

100

-100

毫伏/

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

（注2 ）

基本特征

栅极阈值电压

栅极阈值电压Temp.Coefficient

静态漏源导通电阻

1.7

-5

0.0085

0.014

0.0125

毫伏/

GS （ TH）

DS （ ON）

0.01

0.017

0.015

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

注意事项：

通态漏电流

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注2 ）

= 10 V, V

= 5 V

= 15 V，I

= 11.5 A

= 15 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

2070

510

235

2.1

动态特性

开关特性

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 15 V，I

= 1 A

= 10 V ，R

根

= 15 V，I

= 11.5 A,

= 5 V

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

= 2.1 A

（注2 ）

1.2

1. R

在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。

被担保

设计，同时

是通过用户的电路板的设计来确定。

a. 50

在1 C / W

PAD

的2盎司覆铜。

b. 105

在0.04 C / W

垫2盎司覆铜。

c. 125

在一0.006 C / W

PAD

的2盎司覆铜。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

FDS6680 Rev.E1

典型电气特性

，漏源电流（A ）

DS （ ON）

归一化

6.0

5.0

4.0

漏源导通电阻

= 10V

4.5

2.5

= 3.5V

4.0

4.5

3.5

1.5

5.0

6.0

3.0

0.5

1.5

2.5

，漏源电压（V ）

0.5

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

1.8

漏源导通电阻

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

-50

漏源导通电阻

= 11.5A

=10V

0.04

= 11.5A

0.03

DS （ ON）

归一化

DS （ ON）

（ OHM ）

0.02

= 125

0.01

= 25

-25

100

125

150

，结温（ ° C）

，栅源电压（V ）

图3.导通电阻变化

温度。

同

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

25°C

125°C

，反向漏电流（ A）

= 10V

，漏电流（ A）

= -55°C

=0V

TJ = 125°C

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.2

25°C

-55°C

，门源电压（ V）

0.4

0.6

0.8

1.2

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度。

FDS6680 Rev.E1

典型的电气和热特性

，栅源电压（V ）

3000

= 11.5A

= 10V

15V

电容（pF）

2000

国际空间站

20V

1000

500

OSS

RSS

200

，栅极电荷（ NC）

F = 1 MHz的

= 0V

0.2

0.5

100

0.1

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

100

，漏电流（ A）

图8.电容特性。

S（O

麻省理工学院

100

功率（W）的

10m

100

= 10V

单脉冲

=见注释1℃

= 25°C

0.2

0.5

单脉冲

=见注释1℃

= 25°C

0.1

0.01

0.1

0.001

0.01

0.1

100

300

单脉冲时间（秒）

，漏源电压（V ）

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大功率

耗散。

R（T ），规范有效

瞬态热阻

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

0.002

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，时间（秒）

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

P（ PK）

0.02

0.01

单脉冲

（吨） = R （t）的R *

=见注释1℃

- T

= P * R

JA （T ）

占空比D = T

100

300

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1c中所述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDS6680 Rev.E1

SO- 8磁带和卷轴数据和封装尺寸

SOIC （ 8lds ）包装

CON组fi guration ：

图1.0

包装说明：

EL ECT ROST AT IC

SEN SIT IVE器件

DO不要选丁字施P或STO RE EAR ST RO吴EL ECT ROST AT IC

EL ECT RO M AGN ETI C，M AG NET IC ORR ADIO ACT IVE FI ELD S

TNR ATE

PT NUMB ER

PEEL STREN GTH MIN ___ __ ____ __ ___gms

MAX ___ ___ ___ ___ _克

防静电盖带

防静电标签

SOIC - 8零件运胶带。载带是

从耗散取得（碳填写）聚碳酸酯

树脂。盖带是一种多层膜（热激活

粘合剂的性质），主要由聚酯薄膜，

粘合剂层，密封剂和防静电喷洒剂。

在标准选项，这些摇摇晃晃的部分是随

2500个单位13"或330厘米卷筒直径。卷轴是

深蓝色的颜色，是由聚苯乙烯塑料（抗

静电涂层）。其他选项来在500个单位或7"

177厘米卷筒直径。这与一些其他选项是

在包装信息表中进一步描述。

这些完整卷轴是单独的条码标签和

放置在一个标准的中间框（示于

图1.0 ）制成的可回收瓦楞纸牛皮纸。

一箱最多包含两个卷轴。而这些盒子

放在里面的条形码标签包装箱其中

有不同的大小取决于零件的数量

出货。

静电消散

压纹载带

F63TNR

LABEL

定制

LABEL

F852

NDS

9959

F852

NDS

9959

F852

NDS

9959

F852

NDS

9959

SOIC （ 8lds ）包装信息

包装选项

包装类型

每卷/管材/袋数量

带尺寸

箱尺寸（mm ）

每箱数量最多

每单位重量（克）

每卷重量（kg ）

注/评论

标准

（无流量代码）

TNR

2,500

13"迪亚

343x64x343

5,000

0.0774

0.6060

L86Z

铁路/地铁

530x130x83

30,000

0.0774

F011

TNR

4,000

13"迪亚

343x64x343

8,000

0.0774

0.9696

D84Z

TNR

500

7"迪亚

184x187x47

1,000

0.0774

0.1182

F852

NDS

9959

销1

SOIC - 8单元定位

343毫米X 342毫米X 64毫米

标准的中级箱

防静电标签

F63TNR标签样本

LOT ： CBVK741B019

FSID ： FDS9953A

数量： 2500

产品规格：

F63TNLabel

F63TN标签

防静电标签

(F63TNR)3

D / C1 ： D9842

D / C2 ：

QTY1 ：

QTY2 ：

SPEC REV ：

CPN ：

N / F： F

SOIC （ 8lds ）带片头和片尾

CON组fi guration ：

图2.0

载带

盖带

组件

拖车带

640毫米最小或

80皆空

引导带

1680毫米最小或

210皆空

1999年7月，修订版A