FDS6676AS 30V N沟道的PowerTrench SyncFET
十一月
2005
FDS6676AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6676AS被设计来取代单一的SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管： DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低
和低栅极电荷。
该FDS6676AS
R
DS （ ON）
包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。
特点
14.5 A， 30 V.
R
DS （ ON）
最大= 6.0毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
最大= 7.25毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷（ 45nC典型值）
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
和快速开关
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
低端笔记本
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
14.5
50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6676AS
FDS6676AS
设备
FDS6676AS
FDS6676AS_NL
（注3）
带尺寸
13’’
13’’
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY
2500台
2500台
FDS6676AS版本B
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6676AS 30V N沟道的PowerTrench SyncFET
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1毫安
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
28
500
±100
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 1毫安
1
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
GS
= 10 V,
I
D
= 14.5 A
I
D
= 13.2 A
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.5A ，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 14.5 A
50
1.5
–3.3
4.5
5.9
6.7
66
3
V
毫伏/°C的
6.0
7.25
8.5
m
I
D（上）
g
FS
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时，
V
GS
= 0 V,
2510
710
270
pF
pF
pF
2.8
F = 1.0 MHz的
1.6
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
10
12
43
29
20
22
69
46
31
35
54
46
63
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
17
22
34
29
45
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V,
I
D
= 14.5 A,
25
7
8
FDS6676AS版本B
FDS6676AS 30V N沟道的PowerTrench SyncFET
电气特性
符号
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
测试条件
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 7 A
I
F
= 14.5A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
民
典型值
0.4
0.5
27
1.9
26
最大单位
0.7
V
nS
A
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
（注2 ）
（注2 ）
（注3）
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A） 50 ° / W时，
2
装在一个1在
2盎司纯铜垫
B） 105 ° / W时，
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
三） 125° / W安装在一个时
最小焊盘。
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管
特色“的
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
FDS6676AS_NL是无铅产品。该FDS6676AS_NL标志将出现在卷标上。
FDS6676AS版本B
FDS6676AS 30V N沟道的PowerTrench SyncFET
典型特征
50
V
GS
= 10V
3.5V
2.4
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2.2
2
1.8
1.6
3.5V
V
GS
= 3.0V
I
D
，漏电流（ A）
40
6.0V
4.5V
3.0V
30
20
1.4
1.2
1
0.8
4.0V
4.5V
6.0V
10V
10
2.5V
0
0
0.25
0.5
0.75
V
DS
，漏源电压（V ）
1
0
10
20
30
I
D
，漏电流（ A）
40
50
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.016
1.4
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
I
D
= 14.5A
V
GS
=10V
I
D
= 7.3 A
0.014
1.2
0.012
1
0.01
T
A
= 125 C
0.008
o
0.8
0.006
T
A
= 25
o
C
0.6
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
o
T
J
，结温（ C）
105
125
0.004
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
50
V
DS
= 5V
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
10
o
40
I
D
，漏电流（ A）
30
T
A
= 125
o
C
20
25 C
10
o
1
T
A
= 125 C
-55
o
C
25
o
C
0.1
-55
o
C
0.01
0
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
0.001
0
0.2
0.4
0.6
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
0.8
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6676AS版本B
FDS6676AS 30V N沟道的PowerTrench SyncFET
典型特征
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 14.5A
3500
3000
20V
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
电容（pF）
V
DS
= 10V
2500
C
国际空间站
6
15V
2000
1500
C
OSS
4
1000
500
C
RSS
2
0
0
10
20
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
40
50
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS （ ON）
极限
100us
1ms
10ms
100ms
1s
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
50
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
10
40
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
30
1
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θ
JA
= 125℃ / W
T
A
= 25 C
o
20
0.1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJC
R
θJC
= 125℃ / W
0.1
0.1
0.05
0.02
P（ PK
0.01
0.01
t
1
t
2
T
J
- T
C
= P * R
θJC
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6676AS版本B
FDS6676AS 30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
2005年4月
FDS6676AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
特点
■
14.5 A， 30 V
DS （ ON）
最大= 6.0米
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
最大= 7.25米
@ V
GS
= 4.5 V
■
包括SyncFET肖特基体二极管
■
低栅极电荷（ 45nC典型值）
■
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
和快速开关
■
高功率和电流处理能力
概述
该FDS6676AS被设计来取代单一的SO- 8 MOSFET
和肖特基二极管同步DC ：直流电源。
该30V MOSFET的设计最大限度地提高电源转换
EF网络效率，提供了低R
DS （ ON）
和低栅极电荷。该
FDS6676AS包括使用Fair-集成肖特基二极管
孩子的单片SyncFET技术。
应用
■
DC / DC转换器
■
低端笔记本
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储结温范围
（注1A ）
参数
评级
30
±
20
14.5
50
2.5
1.2
1
-55到+150
单位
V
V
A
W
°
C
°
C / W
°
C / W
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6676AS
FDS6676AS
设备
FDS6676AS
FDS6676AS_NL
（注3）
带尺寸
13’’
13’’
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY
2500台
2500台
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDS6676AS版本A （ X）
FDS6676AS 30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
击穿电压温度
COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，被引用到25
°
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，被引用到25
°
C
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 13.2 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.5A ，T
J
= 125
°
C
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 14.5 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
50
66
1
1.5
–3.3
4.9
5.9
6.7
6.0
7.25
8.5
30
28
500
±
100
3
V
毫伏/
°
C
A
nA
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
毫伏/
°
C
m
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
V
DD
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
2510
710
270
1.6
pF
pF
pF
20
22
69
46
31
35
54
46
63
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V，I
D
= 14.5 A,
V
DD
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
10
12
43
29
17
22
34
29
45
25
7
8
2
FDS6676AS版本A （ X）
www.fairchildsemi.com
FDS6676AS 30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
电气特性
T
A
= 25°C除非另有说明（续）
符号
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
注意事项：
1.
R
θ
JA
是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。
R
θ
JC
由设计而
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
安装时） 50 ° / W
在1中
2
的2盎司垫
铜
B） 105 ° / W安装时
就在0.04
2
的2盎司垫
铜
C） 125 ° / W安装时
上的最小垫。
请参阅“ SyncFET
肖特基体二极管
特色“的
参数
漏源二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
测试条件
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 7 A
I
F
= 14.5A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
民
典型值
0.4
0.5
27
最大
0.7
单位
V
nS
A
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
（注3）
1.9
26
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
3.
脉冲测试：脉冲宽度< 300
S，占空比< 2.0 ％
FDS6676AS_NL是无铅产品。该FDS6676AS_NL标志将出现在卷标上。
3
FDS6676AS版本A （ X）
www.fairchildsemi.com
FDS6676AS 30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
50
V
GS
= 10V
3.5V
2.4
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2.2
2
1.8
1.6
40
V
GS
= 3.0V
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
4.5V
3.0V
30
3.5V
1.4
4.0V
1.2
1
0.8
4.5V
6.0V
10V
20
10
2.5V
0
0
0.25
0.5
0.75
V
DS
，漏源电压（V ）
1
0
10
20
30
I
D
，漏电流（ A）
40
50
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.016
1.4
I
D
= 14.5A
V
GS
=10V
1.2
I
D
= 7.3 A
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.014
0.012
1
0.01
T
A
= 125° C
0.008
0.8
0.006
T
A
= 25°C
0.6
-55
0.004
-35
-15
5
25
45
65
o
85
C)
105
125
2
T
J
，结温（
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
50
V
DS
= 5V
100
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
V
GS
= 0V
I
S
，反向漏电流（ A）
40
10
I
D
，漏电流（ A）
30
T
A
= 125° C
20
25°C
10
-55°C
1
T
A
= 125°C
25°C
0.1
-55°C
0.01
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
4
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FDS6676AS 30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
10
I
D
= 14.5A
3500
3000
V
DS
= 10V
20V
6
15V
4
2500
C
国际空间站
2000
1500
C
OSS
1000
500
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
30
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
V
GS
，栅源电压（V ）
8
2
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
R
DS （ ON）
极限
100s
1ms
10ms
100ms
1s
50
电容（pF）
图8.电容特性。
40
I
D
，漏电流（ A）
10
单脉冲
R
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
30
1
10s
DC
20
0.1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
D = 0.5
0.2
R
JC
（吨） = R （t）的R *
JC
R
JC
= 125
° C / W
0.1
0.1
0.05
0.02
P（ PK）
0.01
0.01
单脉冲
t
1
t
2
T
J
- T
C
= P * R
JC
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
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