电气特性
(
T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
I
D
= 250 μA ，参考25
o
C
V
GS
= -10 V，I
D
= -11 A
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -9 A
o
-30
-22
-1
-10
100
-100
-1
-1.7
4.3
0.011
0.016
0.015
-50
32
3000
870
360
0.014
0.023
0.02
-3
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
V
毫伏/
o
C
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意事项：
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
GS
= -10 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -11 A
V
DS
= -15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
A
S
pF
pF
pF
22
27
80
140
42
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
-2.1
A
V
动态特性
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -15 V，I
D
= -1 A
V
根
= -10 V ，R
根
= 6
12
16
50
100
V
DS
= -15 V，I
D
= -11 A,
V
GS
= -5 V
30
9
11
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -2.1 A
（注2 ）
-0.72
-1.2
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
is
通过设计保证，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 50
O
在1 C / W
2
PAD
的2盎司覆铜。
b. 105
O
在0.04 C / W
2
垫2盎司覆铜。
c. 125
O
在一0.006 C / W
2
PAD
的2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDS6675 Rev.C2
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此处为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担OUT的任何责任
应用或使用任何产品和电路本文描述的;它也没有传达任何许可在其
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全球条款和条件，特别是THEREIN保证，其中包括这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件
没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，或
（二）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I22
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
FDS6675 Rev.C2
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