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FDS6670AS
2005年3月
FDS6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6670AS被设计来取代单一的SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管： DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低
和低栅极电荷。
该FDS6670AS
R
DS （ ON）
包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。
特点
13.5 A， 30 V.
R
DS （ ON）
最大= 9.0毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
最大= 11.5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷（ 27nC典型值）
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
和快速开关
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
低端笔记本
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
13.5
50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6670AS
FDS6670AS
设备
FDS6670AS
FDS6670AS_NL
（注4 ）
带尺寸
13’’
13’’
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY
2500台
2500台
FDS6670AS版本A （ X）
2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6670AS
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
31
500
±100
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
GS
= 10 V,
I
D
= 13.5 A
I
D
= 11.2 A
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 13.5A ，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 13.5 A
1
1.7
–3.3
7.5
9
10
3
V
毫伏/°C的
9
11.5
12.5
m
I
D（上）
g
FS
50
66
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1540
440
160
2.1
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
d
(
关闭
)
t
f
t
D（上）
t
r
t
d
(
关闭
)
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
10
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
5
27
18
13
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
15
24
13
27
V
DD
= 15 V,
I
D
= 13.5 A,
16
4.2
5.1
20
10
44
32
23
27
38
23
38
22
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
FDS6670AS版本A （ X）
FDS6670AS
电气特性
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
注：1 。
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
测试条件
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 7 A
I
F
= 13.5A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
民
典型值
0.5
0.6
20
15
最大单位
0.7
V
nS
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
（注2 ）
（注2 ）
（注3）
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料
安装的漏极引脚表面。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃ / W的时
装在一个1在
2
2盎司纯铜垫
B） 105 ° C / W时，
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
C） 125°C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
4.
FDS6670AS_NL是无铅产品。该FDS6670AS_NL标志将出现在卷标上。
FDS6670AS版本A （ X）
FDS6670AS
典型特征
50
V
GS
= 10V
40
6.0V
30
4.5V
3.0V
3.5V
4.0V
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2.6
2.2
V
GS
= 3.0V
1.8
3.5V
1.4
20
4.0V
4.5V
6.0V
10V
10
2.5V
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
，漏源电压（V ）
2
1
0.6
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.025
1.4
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 13.5A
V
GS
= 10V
1.2
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
I
D
= 6.75A
0.02
1
0.015
T
A
= 125 C
o
0.8
0.01
T
A
= 25 C
o
0.6
-50
-25
0
25
50
75
o
T
J
，结温（ C）
100
125
0.005
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
50
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
40
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 0V
1
T
A
= 125
o
C
25 C
o
30
0.1
-55 C
0.01
o
20
T
A
= 125
o
C
-55 C
o
10
25
o
C
0
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
0.6
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6670AS版本A （ X）
FDS6670AS
典型特征
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
=13.5A
V
DS
= 10V
20V
2400
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
15V
电容（pF）
1800
C
国际空间站
6
1200
4
C
OSS
600
2
C
RSS
0
0
5
10
15
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
25
30
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
R
DS （ ON）
极限
100
s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
图8.电容特性。
50
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
40
10
30
1
DC
20
0.1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25 C
o
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 125℃ / W
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6670AS版本A （ X）
FDS6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
五月
2008
tm
FDS6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6670AS被设计来取代单一的SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管： DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低
R
DS （ ON）
和低栅极电荷。
该FDS6670AS
包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。
特点
13.5 A， 30 V.
R
DS （ ON）
最大= 9.0毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
最大= 11.5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷（ 27nC典型值）
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
和快速开关
高功率和电流处理能力
符合RoHS
应用
DC / DC转换器
低端笔记本
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
13.5
50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6670AS
设备
FDS6670AS
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6670AS版本A
2
(X)
FDS6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
27
500
±100
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
GS
= 10 V,
I
D
= 13.5 A
I
D
= 11.2 A
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 13.5A ，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 13.5 A
1
1.7
–4
7.5
9
10
3
V
毫伏/°C的
9
11.5
12.5
m
I
D（上）
g
FS
50
66
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1540
440
160
2.1
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
d
(
关闭
)
t
f
t
D（上）
t
r
t
d
(
关闭
)
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
10
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
5
27
18
13
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
15
24
13
27
V
DD
= 15 V,
I
D
= 13.5 A,
16
4.2
5.1
20
10
44
32
23
27
38
23
38
22
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
FDS6670AS修订版A2 （ X）
FDS6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
电气特性
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
注：1 。
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
测试条件
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 7 A
I
F
= 13.5A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
民
典型值
0.5
0.6
20
15
最大单位
0.7
V
nS
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
（注2 ）
（注2 ）
（注3）
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料
安装的漏极引脚表面。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃ / W的时
装在一个1在
2
2盎司纯铜垫
B） 105 ° C / W时，
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
C） 125°C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDS6670AS修订版A2 （ X）
FDS6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
50
V
GS
= 10V
40
6.0V
30
4.5V
3.0V
3.5V
4.0V
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2.6
2.2
V
GS
= 3.0V
1.8
3.5V
1.4
20
4.0V
4.5V
6.0V
10V
10
2.5V
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
，漏源电压（V ）
2
1
0.6
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.025
1.4
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 13.5A
V
GS
= 10V
1.2
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
I
D
= 6.75A
0.02
1
0.015
T
A
= 125 C
o
0.8
0.01
T
A
= 25 C
o
0.6
-50
-25
0
25
50
75
o
T
J
，结温（ C）
100
125
0.005
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
50
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
40
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 0V
1
T
A
= 125
o
C
25 C
o
30
0.1
-55 C
0.01
o
20
T
A
= 125
o
C
-55 C
o
10
25
o
C
0
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
0.6
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6670AS修订版A2 （ X）
FDS6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
=13.5A
V
DS
= 10V
20V
2400
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
15V
电容（pF）
1800
C
国际空间站
6
1200
4
C
OSS
600
2
C
RSS
0
0
5
10
15
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
25
30
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
R
DS （ ON）
极限
100
s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
图8.电容特性。
50
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
40
10
30
1
DC
20
0.1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25 C
o
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 125℃ / W
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6670AS修订版A2 （ X）
RT8298
6A ， 24V ， 600kHz的降压转换器与同步
栅极驱动器
概述
该RT8298是一款同步降压型DC / DC转换器
具有集成高侧内部功率MOSFET和
用于低侧外部功率MOSFET的栅极驱动器。它
可以提供高达6A的输出电流在4.5V至24V
输入电源。该RT8298的电流模式架构
允许瞬态响应进行优化在更宽
输入电压和负载范围内。逐周期电流限制
提供保护，防止短路输出和软启动
消除了启动期间的输入浪涌电流。该RT8298
可同步至频率与外部时钟
从300kHz至1.5MHz的。
该RT8298是WDFN - 14L 4x3的和SOP- 8可
（裸露焊盘）封装。
特点
4.5V至24V输入电压范围
6A输出电流
45mΩ内部高压侧N-MOSFET
Ω
电流模式控制
600kHz的开关频率
可调输出0.8V至15V
高达95％的英法fi效率
内部补偿
稳定与陶瓷电容器
同步外部时钟： 300kHz至1.5MHz的
逐周期电流限制
输入欠压锁定
输出欠压保护
电源良好指示器
热关断保护
符合RoHS和无卤素
应用
负载调节器在分布式电源系统点
数字机顶盒
个人数字录像机
宽带通信
平板电视和显示器
简化应用电路
RT8298
BOOT
C
BOOT
SW
VCC
C
VCC
电源良好
芯片使能
EN / SYNC
GND
PGOOD
FB
R2
BG
Q1
R1
C
OUT
L
V
OUT
V
IN
C
IN
VIN
版权
2011立锜科技股份有限公司。版权所有。
是立锜科技股份有限公司的注册商标。
DS8298-01
2011年11月
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1
RT8298
订购信息
RT8298
套餐类型
QW ： WDFN - 14L的4x3 （W型）
SP ： SOP - 8 （裸露焊盘选项2 ）
铅电镀系统
Z： ECO （生态元素与
无卤素和无铅）
注意：
立锜产品有：
符合RoHS标准，电流要求兼容
IPC / JEDEC J- STD- 020的求。
适用于锡铅或无铅焊接工艺。
标识信息
RT8298ZQW
04 ：产品代码
04 YM
DNN
YMDNN ：日期代码
RT8298ZSP
RT8298ZSP ：产品编号
RT8298
ZSPYMDNN
YMDNN ：日期代码
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
FB
PGOOD
EN / SYNC
VIN
VIN
VIN
NC
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
GND
15
11
10
9
8
GND
BG
VCC
BOOT
SW
SW
SW
SW
BOOT
VCC
BG
2
3
4
8
VIN
EN / SYNC
FB
GND
GND
9
7
6
5
WDFN - 14L 4x3的
SOP- 8 （裸露焊盘）
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2
DS8298-01
2011年11月
RT8298
功能引脚说明
PIN号
WDFN - 14L 4x3的
SOP-8
（裸露焊盘）
6
引脚名称
引脚功能
反馈输入。该引脚被连接到转换器的输出。它
用于设定转换器的输出来调节到
通过外部电阻分压器所希望的值。反馈
参考电压为0.808V典型。
电源良好指示器漏极开路。 （仅适用于RT8298ZQW ）
是需要一个100kΩ的上拉电阻。该引脚的输出是
被拉至低电平时， FB小于0.75V低;否则它是
高阻抗。
启用或外部频率同步输入。一
逻辑高电平（ 2V < EN < 5.5V ），使转换器;一个逻辑低电平
强制IC进入关断模式，以降低电源电流
比小于3μA 。对于外部频率同步运行，
可用的频率范围是在300kHz至1.5MHz 。
电源输入。可用的输入电压范围为4.5V至
24V 。一个22μF或更大的输入电容是必要的，以减少
尖峰电压输入端。
无内部连接。
开关节点。输出内部高边MOSFET 。
该引脚连接到外部低端N -MOSFET ，电感和
自举电容器。
引导高侧栅极驱动器。连接一个1μF的陶瓷
之间的BOOT引脚和SW引脚电容。
BG驱动偏置电源。脱钩与1μF X5R / X7R陶瓷
之间的VCC引脚和GND电容。
栅极驱动器输出。该引脚连接到外部的门
低端N -MOSFET 。
地面上。裸露焊盘必须焊接到PCB大和
连接到GND最大散热。
1
FB
2
--
PGOOD
3
7
EN / SYNC
4, 5, 6
7
8, 9, 10
11
12
13
8
--
1
2
3
4
VIN
NC
SW
BOOT
VCC
BG
14,
5,
GND
15 （裸露焊盘） 9 （裸露焊盘）
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2011立锜科技股份有限公司。版权所有。
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3
RT8298
功能块图
VIN
VCC
V
CC
国内
调节器
OSC
坡
电流检测
补偿放大器
+
-
启用
比较
+
1.7V
EN / SYNC
5k
3V
-
R
SENSE
折返
控制
OTP
V
CC
BOOT
紫外线比较
V
CC
6nA
0.808V
V
SS
15pF
FB
54pF
+
+
EA
-
0.4V
+
-
开关
调节器
当前
信号
COMP
+
-
45m
SW
当前
比较
BG
司机
BG
300k
1pF
PGOOD
比较
0.75V
+
-
PGOOD
GND
手术
该RT8298是一款同步高压降压转换器
可支持的输入电压范围为4.5V至24V
和输出电流可高达6A 。该RT8298用途
恒定频率，电流模式架构。在正常
操作时，高侧N-MOSFET导通时
所述开关控制器由振荡器（ OSC）的设置，并且
关断时电流比较器复位开关
控制器。而N - MOSFET关断时，外部
低端N - MOSFET导通时由BG驱动器，具有5V
从内部稳压器（V驱动电压
CC
），直到下一个
周期开始。
高边MOSFET的峰值电流由内部测
R
SENSE
。电流信号就是坡补偿
带有R的感应电压一起工作
SENSE
。错误
放大器EA通过比较调整COMP电压
反馈信号（V
FB
）从所述输出电压与
内部的0.808V参考。当负载电流
增加时，它会导致在反馈电压相对下降
对于参考， COMP电压然后升高，以允许
更高的电感器电流，以匹配负载电流。
紫外线比较：如果反馈电压（V
FB
）较低
比门限电压0.4V ，紫外线比较器的输出
会高开关控制器将关闭高
版权
2011立锜科技股份有限公司。版权所有。
侧MOSFET 。欠压保护的输出是
设计在打嗝模式操作。
振荡器（ OSC ） ：内部振荡器运行在标称
频率600kHz的，并且可以通过一个外部同步
在为300kHz和1.5MHz的从EN之间的范围内时钟/
SYNC引脚。
PGOOD比较：该功能可用于
RT8298ZQW而已。当反馈电压（V
FB
）是
超过阈值电压0.75V越高， PGOOD开
漏极输出将是高阻抗。
使比较器：内部5kΩ的电阻和齐纳二极管
用于夹紧所述输入信号为3V 。在1.7V参考
电压是EN逻辑高阈值电压。 EN引脚
可以通过一个100kΩ的电阻连接至VIN
自动启动。
折返控制：当V
FB
比0.7V低，则
振荡频率将正比于反馈
电压。
软启动（ SS ） ：一个内部电流源（ 6nA ）收费
内部电容（ 15pF的）打造的软启动斜坡
电压（V
SS
） 。在V
FB
电压跟踪内部斜坡
软启动期间电压。典型的软启动时间
为2ms 。
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4
DS8298-01
2011年11月
RT8298
绝对最大额定值
（注1 ）
电源输入电压，V
IN
------------------------------------------------------------------------------------------
–0.3V
至26V
开关电压， SW ---------------------------------------------- ----------------------------------------------
–0.3V
到（Ⅴ
IN
+ 0.3V)
启动到SW ---------------------------------------------------------------------------------------------------------
–0.3V
至6V
所有其它电压----------------------------------------------- -------------------------------------------------- ---
0.3V
至6V
功耗，P
D
@ T
A
= 25°C
WDFN - 14L 4x3的------------------------------------------------------------------------------------------------------- 1.667W
SOP- 8 （裸露焊盘） ------------------------------------------- -------------------------------------------------- 1.333W
封装热阻（注2 ）
WDFN - 14L 4x3的，
θ
JA
-------------------------------------------------- ----------------------------------------------- 60℃ / W
WDFN - 14L 4x3的，
θ
JC
-------------------------------------------------- ----------------------------------------------- 7.5 ℃， / W
SOP- 8 （裸露焊盘）
θ
JA
-------------------------------------------------- -------------------------------------- 75 ° C / W
SOP- 8 （裸露焊盘）
θ
JC
-------------------------------------------------- ------------------------------------- 15 ° C / W
引线温度（焊接， 10秒） ----------------------------------------- -------------------------------- 260℃
结温------------------------------------------------ ----------------------------------------------- 150℃
存储温度范围----------------------------------------------- ---------------------------------------
–65°C
至150℃
ESD易感性（注3 ）
HBM （人体模式） -------------------------------------------- -------------------------------------------- 2kV的
MM （机器模式） --------------------------------------------- -------------------------------------------------- - 200V
推荐工作条件
（注4 ）
电源输入电压，V
IN
-------------------------------------------------- ---------------------------------------- 4.5V至24V
结温范围----------------------------------------------- ---------------------------------------
40 ° C至125°C
环境温度范围----------------------------------------------- ---------------------------------------
40 ° C至85°C
电气特性
(V
IN
= 12V ，T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
关断电源电流
电源电流
反馈参考电压
反馈电流
高侧开关导通电阻
高边开关电流限制
振荡频率
短路振荡频率
最大占空比
最小导通时间
输入欠压锁定阈值
输入欠压锁定阈值
迟滞
EN阈值
电压
逻辑高
逻辑低电平
符号
测试条件
V
EN
= 0V
V
EN
= 3V, V
FB
= 1V
民
--
--
--
--
--
--
--
--
--
4
--
2
--
典型值
1
0.9
10
45
10
600
190
90
100
4.2
400
--
--
最大
--
--
0.82
--
--
--
--
--
--
--
4.4
--
5.5
0.4
单位
μA
mA
V
nA
mΩ
A
千赫
千赫
%
ns
V
mV
V
V
REF
I
FB
R
DS （ ON）
4.5V
≤
V
IN
≤
24V
V
FB
= 0.8V
BOOT
SW = 4.8V
0.796 0.808
f
OSC1
f
OSC2
D
最大
t
ON
V
UVLO
ΔV
UVLO
V
IH
V
IL
V
FB
= 0V
V
FB
= 0.6V
V
FB
= 1V
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F921D155MAA
FFAF10U120DN
FSDH0265RN_05
FTR-1621-57
FEC40-24S15
FBMH3225HM102NT
FC134
FX009
FX5545G0065V6T2
FAN2106
FAIDM220G
FF1N30HS60DD
FS8856-15CL
FM3264-G
FU-319SPP-CV6
F1100BB10
FTLX3811M343
FQU20N06
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