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FDS5672的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2005年7月

FDS5672

N沟道的PowerTrench

MOSFET

60V ，12A ，为10mΩ

特点

r

DS （ ON）

=为10mΩ V

GS

= 10V ，我

D

= 12A

,

r

DS （ ON）

= 14mΩ V

GS

= 6V ，我

D

= 10A

,

高性能沟道技术极低

r

DS （ ON）

低栅电荷

高功率和电流处理能力

概述

这N沟道MOSFET的设计专门为

使用改进的DC / DC变换器的整体效率

同步或传统开关PWM

控制器。它已被优化的低门电荷，低

r

DS （ ON）

和快速的开关速度。

应用

DC / DC转换器

BRANDING DASH

5

5

4

3

2

1

6

7

1

2

3

4

8

SO-8

2005仙童半导体公司

FDS5672版本A

1

www.fairchildsemi.com

FDS5672

N沟道的PowerTrench

MOSFET

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GS

I

D

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

连续（T

C

= 25

o

C，V

GS

= 10V ，R

θJA

= 50

o

C / W ）

连续（T

C

= 25℃ ，V

GS

= 6V ，R

θJA

= 50℃ / W）

脉冲

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量（注1 ）

功耗

减免上述25℃

工作和存储温度

o

o

o

参数

评级

60

±20

12

10

图4

245

2.5

20

-55到150

单位

V

V

A

A

mJ

W

毫瓦/

o

C

o

C

热特性

R

θJC

R

θJA

R

θJA

热阻结到外壳（注2 ）

热阻结到环境为10秒（注3 ）

热阻结到环境在1000秒（注3 ）

25

50

85

o

C / W

o

C / W

o

C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS5672

设备

FDS5672

包

SO-8

带尺寸

330mm

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

电气特性

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

B

VDSS

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

V

DS

= 50V

V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V

T

C

=

150

o

C

60

-

-

-

-

-

-

-

-

1

250

±100

V

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

门源阈值电压

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

I

D

= 12A ，V

GS

= 10V

r

DS （ ON）

漏极至源极导通电阻

I

D

= 10A ，V

GS

= 6V,

I

D

= 12A ，V

GS

= 10V,

T

C

= 150

o

C

2

-

-

-

-

0.0088

0.012

0.016

4

0.010

0.014

0.023

V

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gs2

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷，在10V

阈值的栅极电荷

门源栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏“米勒”充电

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

V

GS

= 0.5V ， F = 1MHz的

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至2V

V

DD

= 30V

I

D

= 12A

I

g

= 1.0毫安

-

-

-

-

-

-

-

-

-

2200

410

130

1.4

34

4.2

9.4

5.2

9.3

-

-

-

-

45

5.5

-

-

-

pF

pF

pF

nC

nC

nC

nC

nC

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FDS5672版本A

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FDS5672

N沟道的PowerTrench

MOSFET

电阻开关特性

(V

GS

= 10V)

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

V

DD

= 30V ，我

D

= 12A

V

GS

= 10V ，R

GS

= 9.1

-

-

-

-

-

-

-

13

20

35

14

-

50

-

-

-

-

64

ns

ns

ns

ns

ns

ns

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

RR

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SD

= 12A

I

SD

= 6A

I

SD

= 12A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

I

SD

= 12A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

-

-

-

-

-

-

-

-

1.25

1.0

39

40

V

V

ns

nC

注意事项：

1:

起始物为

J

= 25℃时，L = 1MH ，我

AS

= 22A ，V

DD

= 60V, V

GS

= 10V.

2:

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏针。

θJC

由设计而

θJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

3:

R

θJA

度用1.0中

2

铜在FR - 4电路板。

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FDS5672

N沟道的PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

15

功耗乘法器

1.0

I

D

，漏电流（ A）

12

V

GS

= 10V

9

0.8

0.6

6

0.4

0.2

3

0

0

25

50

75

100

(

o

C)

125

150

T

A

，环境温度

0

25

50

75

100

125

150

T

A

，环境温度（

o

C)

图1.归功耗与

环境温度

2

1

占空比 - 降序排列

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

图2.最大连续漏极电流VS

环境温度

Z

θJA

归一化

热阻抗

0.1

P

DM

0.01

单脉冲

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJA

个R

θJA

+ T

A

0.001

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

图3.归一化最大瞬态热阻抗

1100

跨

可能限流

在这个区域

I

DM

峰值电流（ A）

T

A

= 25

o

C

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

I = I

25

150 - T

A

125

100

V

GS

= 10V

10

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

T，脉冲宽度（ S）

10

0

10

1

10

2

10

3

图4.峰值电流容量

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FDS5672版本A

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N沟道的PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

400

100s

I

AS

，雪崩电流（ A）

100

I

D

，漏电流（ A）

1ms

10

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

单脉冲

T

J

=最大额定

T

A

= 25

o

C

0.1

0.1

1

10

70

V

DS

，漏源极电压（ V）

50

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

10

起始物为

J

= 25

o

C

10ms

1

起始物为

J

= 150

o

C

1

0.1

1

10

100

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

图5中。

正向偏置安全工作区

注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515

图6 。

非钳位感应开关

能力

25

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DD

= 15V

I

D

，漏电流（ A）

25

V

GS

= 6V

20

V

GS

= 5V

20

I

D

，漏电流（ A）

15

T

J

= 150

o

C

10

T

J

=

5

25

o

C

T

J

= -55

o

C

15

V

GS

= 10V

10

V

GS

= 4.5V

5

0

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

V

GS

，门源电压（ V）

0

0

0.2

0.4

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

T

A

= 25

o

C

0.6

0.8

1.0

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.传热特性

15.0

归一漏极至源极

抗性

图8.饱和特性

2.0

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

漏极至源极导通电阻（M

)

V

GS

= 6V

12.5

1.5

10.0

V

GS

= 10V

7.5

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

5.0

0

3

6

I

D

，漏电流（ A）

9

12

1.0

V

GS

= 10V ，我

D

= 12A

0.5

-80

-40

0

40

80

(

o

C)

120

160

T

J

，结温

图9.漏极至源极导通电阻VS漏

当前

图10.归一漏极至源极ON

电阻与结温

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