FDS4141_F085 P沟道PowerTrench
MOSFET
2009年5月
FDS4141_F085
P沟道PowerTrench MOSFET
-40V ， -10.8A ， 19.0mΩ
特点
典型
DS （ ON）
= 10.5mΩ在V
GS
= -10V ，我
D
= -10.5A
典型
DS （ ON）
= 14.8mΩ在V
GS
= -4.5V ，我
D
= -8.4A
典型Q
G（ TOT ）
= 35nC在V
GS
= -10V
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
符合RoHS
符合AEC Q101
应用
同步&非同步降压控制开关
负荷开关
逆变器
D
D
D
D
D
D
SO-8
S
销1
S
G
S
D
8
1
S
6
7
3
2
S
S
D
5
4
G
2009
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS4141_F085版本A
1
www.fairchildsemi.com
FDS4141_F085 P沟道PowerTrench
MOSFET
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
漏源极电压
V
GS
I
D
E
AS
P
D
栅极至源极电压
漏电流连续（V
GS
= 10V)
脉冲
单脉冲雪崩能量
功耗
参数
评级
-40
±20
-10.8
-36
229
1.6
-55到+150
单位
V
V
A
mJ
W
o
C
T
J
, T
英镑
工作和存储温度
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳
热阻结到环境SO- 8 ， 1英寸
2
铜层的面积
30
81
o
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4141
设备
FDS4141_F085
包
SO-8
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= -32V,
V
GS
= ±20V,
-40
-
-
-
-
-
-
-1
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
I
D
= -10.5A ，V
GS
= -10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= -8.4A ，V
GS
= -4.5V
I
D
= -10.5A ，V
GS
= -10V,
T
J
= 125
o
C
I
D
= -10.5A ，V
DD
= -5V
-1.0
-
-
-
-1.7
10.5
14.8
15.3
34
-3.0
13.0
19.0
19.0
S
m
V
g
FS
正向跨导
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
G（ TOT ）
Q
g(-5)
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷为-10V
总栅极电荷为-5V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
GS
= 0至-10V
V
GS
= 0 -5V
V
DD
= -20V
I
D
= -10.5A
-
-
-
-
-
-
-
-
2005
355
190
5.0
35
18.6
5.2
6.6
-
-
-
-
45
24.2
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
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MOSFET
电气特性
T
A
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
t
on
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= -20V ，我
D
= -10.5A
V
GS
= -10V ，R
根
= 6
-
-
-
-
-
-
-
9.7
4.4
41
11.6
-
25
-
-
-
-
84
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1:
起始物为
J
= 25
o
C，L = 6.2mH ，我
AS
= -8.6A
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= -10.5A
I
SD
= -2.1A
I
F
= -10.5A ，D
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-0.8
-0.7
26
13.4
-1.3
-1.2
34
17.4
V
ns
nC
该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。为
的要求的副本，请参阅AEC Q101在： http://www.aecouncil.com/
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试
认证。
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MOSFET
典型特征
功耗乘法器
1.2
-I
D
，漏电流（ A）
9
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
o
C
)
T
A
，外壳温度
(
150
V
GS
=
-
10V
6
V
GS
=
-
4.5V
3
R
θ
JA
= 81 C / W
o
0
25
50
75
100
125
T
A
，外壳温度
(
o
C
)
150
图1.归功耗与
环境温度
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比 - 降序排列
图2.最大连续漏极电流VS
环境温度
0.1
0.01
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
单脉冲
o
R
θ
JA
= 81 C / W
0.001
-3
10
10
-2
图3.归一化最大瞬态热阻抗
1000
V
GS
=
-
10V
跨
可能限流
在这个区域
T
A
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
10
1
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-1
10
2
10
3
-I
DM
,
峰值电流（ A）
100
I = I
25
150 - T
A
125
10
单脉冲
o
R
θ
JA
= 81 C / W
1
-3
10
10
-2
10
1
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-1
10
2
10
3
图4.峰值电流容量
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典型特征
100
-I
D
，漏电流（ A）
60
-I
AS
，雪崩电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
10
1ms
10
1
起始物为
J
= 25
o
C
10ms
100ms
0.1
操作在此
区域可以
限制根据RDS （ ON）
单脉冲
TJ =最大额定
o
TA = 25℃
1s
DC
起始物为
J
= 150
o
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100 300
-V
DS
，漏源极电压（ V）
1
0.01
0.1
1
10
100
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
注意：
参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
36
-I
D
，漏电流（ A）
36
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
=
-
5V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
=
-
10V
V
GS
=
-
4.5V
V
GS
=
-
4V
V
GS
=
-
3.5V
V
GS
=
-
3V
-I
D
，漏电流（ A）
27
27
18
T
J
= 150 C
o
18
9
T
J
= 25 C
o
T
J
= -55
o
C
9
0
0
1
2
3
-V
GS
，门源电压（ V）
4
0
0
1
2
-V
DS
，漏源极电压（ V）
3
图7.传热特性
图8.饱和特性
归
漏极至源极导通电阻
50
r
DS （ ON）
，漏极到源极
导通电阻
(
m
)
I
D
=
-
10.5A脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
=
-
10.5A
V
GS
=
-
10V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
40
30
T
J
= 150
o
C
20
10
0
2
4
6
8
-V
GS
，门源电压（ V）
10
T
J
= 25
o
C
-50
-25 0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温
(
o
C
)
图9.漏极至源极导通电阻
变异VS门源电压
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
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FDS4141 P沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
DS
= -32V,
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
-40
-33
-1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
GS
= -10V ，我
D
= -10.5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -8.4A
V
GS
= -10V ，我
D
= -10.5A ，T
J
= 125°C
V
DD
= -5V ，我
D
= -10.5A
-1.0
-1.6
5.3
11.0
15.2
16.8
37
13.0
19.0
19.9
S
m
-3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
2005
355
190
5
2670
475
285
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至-10V
V
GS
= 0V至-5V
V
DD
= -20V,
I
D
= -10.5A
V
DD
= -20V ，我
D
= -10.5A,
V
GS
= -10V ，R
根
= 6
10
5
42
12
35
19
6
7
20
10
68
22
49
27
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= -10.5A
V
GS
= 0V时，我
S
= -2.1A
（注2 ）
（注2 ）
-0.8
-0.7
26
14
-1.3
-1.2
42
26
V
ns
nC
I
F
= -10.5A ，的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
1. R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一个），安装在一个时50℃ / W的
1in
2
垫2盎司纯铜。
二）安装在当125° C / W的
最小焊盘。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
3. UIL条件：起始物为
J
= 25℃时，L = 3MH ，我
AS
= -14A ，V
DD
= -40V, V
GS
= -10V.
2007仙童半导体公司
FDS4141 Rev.C
2
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