【FDS4072N72004年2月FDS4072N740V N沟道的PowerTrenchMOSFET】,IC型号FDS4072N7,FDS4072N7 PDF资料,FDS4072N7经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDS4072N7

2004年2月

FDS4072N7

40V N沟道的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道MOSFET的设计

具体而言，以提高直流/直流整体效率

使用同步或传统转换器

开关PWM控制器。它已被优化为

“低侧”同步整流器的操作，提供了一个

非常低R

DS （ ON）

在小包装。

特点

12.4 A， 40 V

R

DS （ ON）

= 11毫欧@ V

GS

= 4.5 V

R

DS （ ON）

= 9毫欧@ V

GS

= 10 V

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力

快速开关

FLMP SO- 8封装：增强热

在业界标准的封装尺寸性能

应用

同步整流器器

DC / DC转换器

5

6

7

8

底侧

漏接触

4

3

2

1

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

J

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

功耗

T

A

= 25°C除非另有说明

o

参数

评级

40

±

12

（注1A ）

单位

V

A

W

°C

12.4

60

3.0

1.5

-55到+150

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

40

0.5

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS4072N7

设备

FDS4072N7

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

2004

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS4072N7版本C2 （ W）

FDS4072N7

电气特性

符号

E

AS

I

AS

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源雪崩能源

漏源雪崩电流

测试条件

单脉冲，V

DD

= 20V ，我

D

=12.4 A

民

典型值

最大单位

200

12.4

mJ

A

漏源雪崩额定值

（注2 ）

开关特性

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体泄漏，正向

门体泄漏，反向

（注2 ）

I

D

= 250

A

V

GS

= 0 V,

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 32 V,

V

GS

= 12 V,

V

GS

= –12 V ,

V

GS

= 0 V

V

DS

= 0 V

V

DS

= 0 V

40

38

1

100

–100

V

毫伏/°C的

A

nA

基本特征

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

正向跨导

I

D

= 250

A

V

DS

= V

GS

,

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 12.4 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 13.7 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 12.4 A，T

J

= 125°C

V

DS

= 10 V,

I

D

= 12.4 A

1

1.3

–4.5

9

8

14

84

3

V

毫伏/°C的

11

9

18

m

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

V

SD

t

rr

Q

rr

S

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注2 ）

V

DS

= 20 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 0 V,

4299

351

149

pF

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DD

= 20 V,

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

20

12

52

18

36

22

83

32

46

ns

nC

V

DS

= 20 V,

V

GS

= 4.5 V

I

D

= 12.4 A,

33

7.8

8.1

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

V

GS

= 0 V，I

S

= 2.5 A

电压

I

F

= 12.4 A,

二极管的反向恢复时间

d

iF

/d

t

= 100 A / μs的

二极管的反向恢复电荷

2.5

（注2 ）

A

V

nS

nC

0.7

30

90

1.2

FDS4072N7版本C2 （ W）

FDS4072N7

电气特性

注意事项：

T

A

= 25 ° C除非另有说明

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

a)

当安装时40℃ / W的

2

对2盎司1英寸垫

铜

b)

安装在85 ° C / W

2盎司最小焊盘

铜

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

FDS4072N7版本C2 （ W）

FDS4072N7

典型特征

80

4.5V

I

D

，漏电流（ A）

60

2.5V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

V

GS

=10V

1.6

3.0V

1.4

V

GS

= 2.5V

1.2

40

3.0V

3.5V

4.5V

10V

20

1

0

1

2

3

4

V

DS

，漏源电压（V ）

0.8

0

20

40

I

D

，漏电流（ A）

60

80

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.025

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.9

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 12.4A

V

GS

= 4.5V

1.6

I

D

= 6.2A

0.02

1.3

T

A

= 125

o

C

0.015

1

0.01

0.7

T

A

= 25

o

C

0.005

0.4

-50

-25

0

25

50

75

100

o

125

150

1

4

7

10

T

J

，结温（ C）

V

GS

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化

withTemperature 。

80

I

S

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

V

DS

= 5V

I

D

，漏电流（ A）

60

V

GS

= 0V

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

T

A

= 125 C

o

40

25 C

o

20

-55 C

o

T

A

=125 C

25 C

0

1

1.5

2

o

-55 C

2.5

3

o

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

V

GS

，门源电压（ V）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDS4072N7版本C2 （ W）

FDS4072N7

典型特征

10

V

GS

，栅源电压（V ）

6000

I

D

= 12.4A

8

V

DS

= 10V

20V

电容（pF）

5000

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

C

国际空间站

30V

6

4000

3000

2000

1000

4

2

C

OSS

C

RSS

0

20

40

Q

g

，栅极电荷（ NC）

60

80

0

10

20

30

40

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

1000

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

图8.电容特性。

50

I

D

，漏电流（ A）

100

R

DS （ ON）

极限

10

1

0.1

V

GS

= 4.5V

单脉冲

o

R

θ

JA

= 85℃ / W

T

A

= 25 C

o

100s

1ms

10ms

100ms

1s

10s

DC

40

单脉冲

R

θ

JA

= 85°C / W

T

A

= 25°C

30

20

10

0.01

0.1

1

10

100

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏源电压（V ）

t

1

，时间（秒）

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

1

R（T ），规范有效的瞬变

热阻

D = 0.5

0.2

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 85°C / W

P（ PK）

t

1

t

2

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，时间（秒）

1

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1b中描述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDS4072N7版本C2 （ W）

FDS4072N7

2003年5月

FDS4072N7

40V N沟道的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道MOSFET的设计

具体而言，以提高直流/直流整体效率

使用同步或传统转换器

开关PWM控制器。它已被优化为

“低侧”同步整流器的操作，提供了一个

非常低R

DS （ ON）

在小包装。

特点

12.4 A， 40 V

R

DS （ ON）

= 11毫欧@ V

GS

= 4.5 V

R

DS （ ON）

= 9毫欧@ V

GS

= 10 V

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力

快速开关

FLMP SO- 8封装：增强热

在业界标准的封装尺寸性能

应用

同步整流器器

DC / DC转换器

5

6

7

8

底侧

漏接触

4

3

2

1

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

J

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

功耗

T

A

= 25°C除非另有说明

o

参数

评级

40

±

12

（注1A ）

单位

V

A

W

°C

12.4

60

3.0

1.5

-55到+150

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

40

0.5

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS4072N7

设备

FDS4072N7

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

2002

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS4072N7冯C1 （ W）

FDS4072N7

电气特性

符号

E

AS

I

AS

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源雪崩能源

漏源雪崩电流

测试条件

单脉冲，V

DD

= 20V ，我

D

=12.4 A

民

典型值

最大单位

200

12.4

mJ

A

漏源雪崩额定值

（注2 ）

开关特性

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体泄漏，正向

门体泄漏，反向

（注2 ）

I

D

= 250

A

V

GS

= 0 V,

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 32 V,

V

GS

= 12 V,

V

GS

= –12 V ,

V

GS

= 0 V

V

DS

= 0 V

V

DS

= 0 V

40

38

1

100

–100

V

毫伏/°C的

A

nA

基本特征

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

I

D

= 250

A

V

DS

= V

GS

,

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 12.4 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 13.7 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 12.4 A，T

J

= 125°C

V

GS

= 5 V,

V

DS

= 5 V

V

DS

= 10 V,

I

D

= 12.4 A

1

1.3

–4.5

9

8

14

3

V

毫伏/°C的

11

9

18

m

I

D（上）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

V

SD

t

rr

Q

rr

30

84

A

S

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注2 ）

V

DS

= 20 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 0 V,

4299

351

149

pF

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DD

= 20 V,

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

20

12

52

18

36

22

83

32

46

ns

nC

V

DS

= 20 V,

V

GS

= 4.5 V

I

D

= 12.4 A,

33

7.8

8.1

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

V

GS

= 0 V，I

S

= 2.5 A

电压

二极管的反向恢复时间

I

F

= 12.4 A,

d

iF

/d

t

= 100 A / μs的

二极管的反向恢复电荷

2.5

（注2 ）

A

V

nS

nC

0.7

30

90

1.2

FDS4072N7冯C1 （ W）

FDS4072N7

电气特性

注意事项：

T

A

= 25 ° C除非另有说明

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

a)

当安装时40℃ / W的

2

对2盎司1英寸垫

铜

b)

安装在85 ° C / W

2盎司最小焊盘

铜

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

FDS4072N7冯C1 （ W）

FDS4072N7

典型特征

80

4.5V

I

D

，漏电流（ A）

60

2.5V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

V

GS

=10V

1.6

3.0V

1.4

V

GS

= 2.5V

1.2

40

3.0V

3.5V

4.5V

10V

20

1

0

1

2

3

4

V

DS

，漏源电压（V ）

0.8

0

20

40

I

D

，漏电流（ A）

60

80

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.025

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.9

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 12.4A

V

GS

= 4.5V

1.6

I

D

= 6.2A

0.02

1.3

T

A

= 125

o

C

0.015

1

0.01

0.7

T

A

= 25

o

C

0.005

0.4

-50

-25

0

25

50

75

100

o

125

150

1

4

7

10

T

J

，结温（ C）

V

GS

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化

withTemperature 。

80

I

S

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

V

DS

= 5V

I

D

，漏电流（ A）

60

V

GS

= 0V

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

T

A

= 125 C

o

40

25 C

o

20

-55 C

o

T

A

=125 C

25 C

0

1

1.5

2

o

-55 C

2.5

3

o

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

V

GS

，门源电压（ V）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDS4072N7冯C1 （ W）

FDS4072N7

典型特征

10

V

GS

，栅源电压（V ）

6000

I

D

= 12.4A

8

V

DS

= 10V

20V

电容（pF）

5000

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

C

国际空间站

30V

6

4000

3000

2000

1000

4

2

C

OSS

C

RSS

0

20

40

Q

g

，栅极电荷（ NC）

60

80

0

10

20

30

40

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

1000

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

图8.电容特性。

50

I

D

，漏电流（ A）

100

R

DS （ ON）

极限

10

1

0.1

V

GS

= 4.5V

单脉冲

o

R

θ

JA

= 85℃ / W

T

A

= 25 C

o

100s

1ms

10ms

100ms

1s

10s

DC

40

单脉冲

R

θ

JA

= 85°C / W

T

A

= 25°C

30

20

10

0.01

0.1

1

10

100

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏源电压（V ）

t

1

，时间（秒）

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

1

R（T ），规范有效的瞬变

热阻

D = 0.5

0.2

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 85°C / W

P（ PK）

t

1

t

2

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，时间（秒）

1

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1b中描述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDS4072N7冯C1 （ W）