FDS3580
1999年4月
初步
FDS3580
80V N沟道的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计专门
用，以提高直流/直流转换器的总效率
同步或传统开关PWM
控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的栅极
收费比其他的MOSFET具有可比性
DS （ ON）
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶
（即使是在非常高的频率） ，和DC / DC电源
设计具有更高的整体效率。
特点
7.6 A， 80 V.
DS （上
)
= 0.027
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.031
@ V
GS
= 6 V.
低栅极电荷（ 34nC典型值） 。
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
T
A
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
80
（注1A ）
单位
V
V
A
W
±
20
7.6
50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°
C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
°
C / W
°
C / W
包装纲要和订货信息
器件标识
FDS3580
设备
FDS3580
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS3580版本B
FDS3580
电气特性
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A，参考25
°
C
V
DS
= 64 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
民
典型值
最大单位
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
（注2 ）
80
81
1
100
-100
V
毫伏/
°
C
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A，参考25
°
C
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.6 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.6 A，T
J
=125
°
C
V
GS
= 6 V，I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 7.6 A
2
2.5
-7
0.022
0.037
0.024
4
V
毫伏/
°
C
0.027
0.055
0.031
I
D（上）
g
FS
30
28
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
1800
180
90
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 40 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
13
8
34
16
26
20
60
30
46
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 40 V，I
D
= 7.6 A,
V
GS
= 10 V
34
6.1
6.9
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A
（注2 ）
2.1
0.74
1.2
A
V
注意事项：
1:
R
θJA
是的总和结点到外壳和外壳至环境性，其中热的情况下引用定义为焊接安装面
漏针。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃ / W的时
装在一个1在
2
垫的2盎司铜。
B） 105 ° C / W时，
安装在一个0.04
2
垫的2盎司铜。
C） 125 ° C / W时，
安装在一个最小
垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2:
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
FDS3580版本B
SO- 8磁带和卷轴数据和封装尺寸
SOIC （ 8lds ）包装
CON组fi guration ：
图1.0
包装说明：
EL ECT ROST AT IC
SEN SIT IVE器件
DO不要选丁字施P或STO RE EAR ST RO吴EL ECT ROST AT IC
EL ECT RO M AGN ETI C，M AG NET IC ORR ADIO ACT IVE FI ELD S
TNR ATE
PT NUMB ER
PEEL STREN GTH MIN ___ __ ____ __ ___gms
MAX ___ ___ ___ ___ _克
防静电盖带
防静电标签
SOIC - 8零件运胶带。载带是
从耗散取得（碳填写）聚碳酸酯
树脂。盖带是一种多层膜（热激活
粘合剂的性质） ，主要由聚酯薄膜，
粘合剂层，密封剂和防静电喷洒剂。
在标准选项，这些摇摇晃晃的部分是随
2500个单位13"或330厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色，是由聚苯乙烯塑料（抗
静电涂层） 。其他选项来在500个单位或7"
177厘米卷筒直径。这与一些其他选项是
在包装信息表中进一步描述。
这些完整卷轴是单独的条码标签和
放置在一个标准的中间框（示于
图1.0 ）制成的可回收瓦楞纸牛皮纸。
一箱最多包含两个卷轴。而这些盒子
放在里面的条形码标签包装箱其中
有不同的大小取决于零件的数量
出货。
静电消散
压纹载带
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
F852
NDS
9959
F852
NDS
9959
F852
NDS
9959
F852
NDS
9959
SOIC （ 8lds ）包装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸（mm ）
每箱数量最多
每单位重量（克）
每卷重量（kg ）
注/评论
标准
（无流量代码）
TNR
2,500
13"迪亚
343x64x343
5,000
0.0774
0.6060
L86Z
铁路/地铁
95
-
530x130x83
30,000
0.0774
-
F011
TNR
4,000
13"迪亚
343x64x343
8,000
0.0774
0.9696
D84Z
TNR
500
7"迪亚
184x187x47
1,000
0.0774
0.1182
F852
NDS
9959
销1
SOIC - 8单元定位
343毫米X 342毫米X 64毫米
标准的中级箱
防静电标签
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： FDS9953A
数量： 2500
产品规格：
F63TNLabel
F63TN标签
防静电标签
(F63TNR)3
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
SOIC （ 8lds ）带片头和片尾
CON组fi guration ：
图2.0
载带
盖带
组件
拖车带
640毫米最小或
80皆空
引导带
1680毫米最小或
210皆空
1999年7月，修订版A
FDS3580
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大单位
245
7.6
mJ
A
漏源雪崩额定值
（注2 ）
单脉冲漏源
V
DD
= 40 V，I
D
= 7.6 A
雪崩能量
最大漏源雪崩电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A，参考25
°
C
V
DS
= 64 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A，参考25
°
C
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.6 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.6 A，T
J
=125
°
C
V
GS
= 6 V，I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 7.6 A
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
80
81
1
100
-100
V
毫伏/
°
C
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
2
2.5
-7
0.022
0.037
0.024
4
V
毫伏/
°
C
0.029
0.055
0.033
I
D（上）
g
FS
30
28
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
1800
180
90
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 40 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
13
8
34
16
26
20
60
30
46
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 40 V，I
D
= 7.6 A,
V
GS
= 10 V
34
6.1
6.9
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A
（注2 ）
2.1
0.74
1.2
A
V
注意事项：
1:
R
θJA
是的总和结点到外壳和外壳至环境性，其中热的情况下引用定义为焊接安装面
漏针。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃ / W的时
装在一个1在
2
垫的2盎司铜。
B） 105 ° C / W时，
安装在一个0.04
2
垫的2盎司铜。
C） 125 ° C / W时，
安装在一个最小
垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2:
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
FDS3580版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
启摹
QQ：2880707522 复制
