1998年6月
FDR4420A
单N沟道逻辑电平的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
该SuperSOT - 8系列N沟道逻辑电平MOSFET的
已设计为提供一种薄型，小型脚印尺寸
替代工业标准的SO- 8小的脚型产品。
这些MOSFET采用飞兆半导体的出品
已针对先进的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻，但保持优异
开关性能。
这些装置非常适用于低电压和电池
供电应用的小封装尺寸要求
不影响功率处理和快速切换。
特点
11 A， 30 V
DS （ ON）
= 0.009
@ V
GS
= 10 V,
R
DS （ ON）
= 0.013
@ V
GS
= 4.5 V.
快速开关速度。
低栅极电荷。
占用空间小，比标准的SO - 8小38 ％ 。
薄型封装（ 1mm厚） 。
功率处理能力类似SO- 8 。
SOT-23
SuperSOT -6
TM
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
D
S
S
5
4
3
2
1
2
44
0A
G
6
7
8
针
1
SuperSOT -8
TM
D
D
D
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
栅源电压
Draint电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25
o
C除非另有说明
FDR4420A
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
11
40
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
1.8
1
0.9
-55到150
W
T
J
,T
英镑
R
θJA
R
θJC
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
70
20
° C / W
° C / W
1998仙童半导体公司
FDR4420 Rev.D
电气特性
符号
参数
开关特性
BV
DSS
(T
A
= 25
O
C除非另有说明）
条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
I
D
= 250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 11A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9 A
30
20
1
10
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
毫伏/
o
C
3
0.009
0.016
0.013
A
25
S
V
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
I
GSS
门 - 体泄漏电流
门 - 体泄漏，反向
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
/
T
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压Temp.Coefficient
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
-6
1
1.4
0.0075
0.0125
0.01
30
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 11 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
2560
560
280
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V，I
D
= 9.3 A,
V
GS
= 5 V
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 1
11
15
25
21
23
7
11
20
27
40
34
33
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
由设计
而
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
θ
JA
在静止空气中显示如下的FR-4板单个设备的操作。
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.5 A
（注2 ）
1.5
0.7
1.2
A
V
一。在1中2盎司的垫70℃ / W的
铜。
O
2
b. 125
O
在一0.026 C / W
2
垫
的2盎司覆铜。
c. 135
O
在0.005 C / W
2
垫
的2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDR4420 Rev.D
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
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