FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ N沟道MOSFET
的UniFET -II
TM
FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ
N沟道MOSFET
600V ， 4.5A ， 2.0Ω
特点
R
DS （ ON）
= 1.65Ω （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 2.25A
低栅极电荷（典型值10NC ）
低C
RSS
（典型的5pF ）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
ESD性能改进
符合RoHS
2011年3月
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品
条纹， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
摹 S
TO-220
FDP系列
o
GDS
TO-220F
FDPF系列
（灌封）
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25°C除非另有说明
*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
=
25
o
C)
o
C
参数
FDP5N60NZ
FDPF5N60NZ
600
±25
4.5*
2.7*
18*
175
4.5
10
10
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
- 连续（T
C
=
- 连续（T
C
=
- 脉冲
25
o
C)
100
o
C)
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
4.5
2.7
18
单脉冲雪崩能量
100
0.8
-55到+150
300
33
0.27
W
W/
o
C
o
C
o
C
- 减免上述25
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
* DRAN电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，案例典型下沉
热阻，结到环境
FDP5N60NZ
1.25
0.5
62.5
FDPF5N60NZ
3.75
-
62.5
o
单位
C / W
2011仙童半导体公司
FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ版本A
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FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDP5N60NZ
FDPF5N60NZ
设备
FDP5N60NZ
FDPF5N60NZ
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
= 125
o
C
V
GS
= ±25V, V
DS
= 0V
600
-
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
-
1
10
±10
V
V/
o
C
μA
μA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.25A
V
DS
= 20V ，我
D
=2.25A
3.0
-
-
-
1.65
5
5.0
2.0
-
V
Ω
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DS
= 480V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= 10V
-
-
-
-
-
-
450
50
5
10
2.5
4
600
65
7.5
13
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 300V ，我
D
= 4.5A
R
G
= 25Ω
-
-
-
-
15
20
35
20
40
50
80
50
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 4.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 4.5A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
230
0.9
4.5
18
1.4
-
-
A
A
V
ns
μC
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 17.3mH ，我
AS
= 4.5A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
4.5A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤ 300μS ，占空比
周期
≤ 2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ版本A
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FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
10
V
GS
= 15.0V
10.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
图2.传输特性
20
10
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
150 C
25 C
o
o
1
1
-55 C
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
μ
s脉冲测试
o
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
0.1
0.1
0.1
1
V
DS
，漏源电压[V]
10
20
2
4
6
8
V
GS
，栅源电压[V]
10
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
4
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
40
R
DS （ ON）
[
Ω
]
,
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
10
150 C
o
3
V
GS
= 10V
25 C
o
1
2
V
GS
= 20V
1
0
2
*注：t
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s脉冲测试
4
6
I
D
，漏电流[ A]
8
10
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.4
图5.电容特性
1000
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
C
国际空间站
8
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
电容[ pF的]
100
C
OSS
6
C
RSS
4
10
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
2
*注：我
D
= 4.5A
1
-1
10
0
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0
2
4
6
8
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
10
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FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.12
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
1.08
1.04
1.00
0.96
0.92
0.88
-80
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
图8.导通电阻变化
与温度的关系
2.8
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
-80
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 2.25A
-40
0
40
80
120
o
T
J
，结温
[
C
]
160
-40
0
40
80
120
o
T
J
，结温
[
C
]
160
图9.最高安全工作区
-FDP5N60NZ
50
30
μ
s
图10.最大安全工作区
-FDPF5N60NZ
30
10
I
D
，漏电流[ A]
30
μ
s
100
μ
s
I
D
，漏电流[ A]
10
100
μ
s
1ms
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10ms
DC
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1ms
10ms
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
DC
0.01
0.1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1
1000
0.01
0.1
1
10
100
1000 3000
V
DS
，漏源电压[V]
图11.最大漏极电流 -
外壳温度
5
图12.非钳位感应
交换能力
8
I
AS
，雪崩电流（ A）
4
I
D
，漏电流[ A]
3
T
J
= 25
o
C
2
T
J
= 125
o
C
1
0
25
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度[C]
150
1
0.01
0.1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
1
2
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FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图13.瞬态热响应曲线-FDP5N60NZ
2
热响应
[
Z
θ
JC
]
1
0.5
0.2
P
DM
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
t
1
t
2
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 1.25 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
o
0.01
-5
10
10
-4
10
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
10
-1
1
图14.瞬态热响应曲线-FDPF5N60NZ
10
热响应
[
Z
θ
JC
]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.02
0.01
单脉冲
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 3.75 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
-4
o
0.01
-5
10
10
10
10
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
-1
10
10
2
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QQ：2881677436 复制
