添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第20页 > FDPF5N50NZU
FDPF5N50NZU N沟道的UniFET
TM
II超FRFET
TM
MOSFET
2013年3月
FDPF5N50NZU
N沟道的UniFET
TM
II超FRFET
TM
MOSFET
500 V , 3.9 A, 2.0
特点
R
DS ( ON)
= 1.7
( TYP 。 ) @ V
GS
= 10 V,I
D
= 1.95 A
低栅极电荷(典型值9 NC )
低C
RSS
(典型值4 PF )
100 %雪崩测试
改进dv / dt能力
ESD Imoroved能力
符合RoHS
描述
的UniFET
TM
II MOSFET是飞兆半导体
的高电压
年龄MOSFET系列基于先进的平面条形和
DMOS技术。这种先进的MOSFET系列拥有
间的平面型MOSFET最小的导通电阻,并且
还提供了出色的开关性能和更高的ava-
拦车的能量强度。此外,内部栅极 - 源极ESD
二极管允许的UniFET II MOSFET能承受超过2kV的HBM
激增的压力。的UniFET II超FRFET
TM
MOSFET具有多少
优越的体二极管的反向恢复性能。它的T
rr
比50nsec和反向的dv / dt抗扰性为20V / ns的同时,
正常的平面MOSFET的过200nsec和4.5V /纳秒
分别。因此的UniFET II超FRFET MOSFET能够
除去额外的组件,提高了系统的可靠性
需要的性能改进某些应用
MOSFET的体二极管。该系列器件适用于开关
荷兰国际集团的功率转换器的应用,如功率因数校正
(PFC) ,平板显示器(FPD)电视电源, ATX和电子
灯镇流器。
应用
LCD / LED电视
- 照明
·不间断电源
AC- DC电源供应器
D
G
G
D
S
TO-220F
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
参数
FDPF5N50NZU
500
±25
o
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
o
- 连续(T
C
= 25 C)
- 连续(T
C
= 100 C)
- 脉冲
(注1 )
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注1 )
o
3.9*
2.3*
15*
135
3.9
7.8
20
30
0.24
-55到+150
300
单脉冲雪崩能量
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
1/8 ?从案例5秒
C
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻,结到外壳,马克斯。
热阻,结到环境,马克斯。
1
FDPF5N50NZU
4.1
62.5
单位
o
C / W
2012仙童半导体公司
FDPF5N50NZU版本C0
www.fairchildsemi.com
FDPF5N50NZU N沟道的UniFET
TM
II超FRFET
TM
MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDPF5N50NZU
设备
FDPF5N50NZU
TO-220F
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
50
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
C
= 25
o
C
I
D
= 250μA ,参考25
o
C
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ,T
C
=
V
GS
= ±25V, V
DS
= 0V
125
o
C
500
-
-
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
25
250
±10
V
V/
o
C
A
A
基本特征
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 1.95A
V
DS
= 20V ,我
D
= 1.95A
3.0
-
-
-
1.7
4.2
5.0
2.0
-
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷,在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 400V我
D
= 3.9A
V
GS
= 10V
(注4 )
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
365
50
4
9
2
4
485
65
8
12
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 250V ,我
D
= 3.9A
V
GS
= 10V ,R
= 25
(注4 )
-
-
-
-
12
19
31
22
35
50
70
55
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时,我
SD
= 3.9A
V
GS
= 0V时,我
SD
= 3.9A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
45
33
3.9
15
1.6
-
-
A
A
V
ns
nC
注意事项:
1.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 18mH ,我
AS
= 3.9A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
= 25C
3. I
SD
3.9A,
的di / dt
200A / μs的,V
DD
BV
DSS
,起始物为
J
= 25C
4.基本上是独立的工作温度典型特征
2012仙童半导体公司
FDPF5N50NZU版本C0
2
www.fairchildsemi.com
FDPF5N50NZU N沟道的UniFET
TM
II超FRFET
TM
MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
10
V
GS
=
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
图2.传输特性
10
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
1
150 C
o
-55 C
o
1
25 C
o
0.1
*注意:
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
*注意:
1. V
DS
= 20V
2. 250
s脉冲测试
0.03
0.1
0.1
25
1
10
V
DS
,漏源电压[V]
3
4
5
6
7
V
GS
,栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
3.6
3.2
2.8
2.4
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
50
R
DS ( ON)
[
]
,
漏源导通电阻
I
S
,反向漏电流[ A]
10
150 C
o
25 C
o
2.0
1.6
1.2
0
2
*注:t
C
= 25 C
o
*注意:
1. V
GS
= 0V
4
6
I
D
,漏电流[ A]
8
10
1
0.4
2. 250
s脉冲测试
0.8
1.2
V
SD
,体二极管正向电压[ V]
1.6
图5.电容特性
800
V
GS
,栅源电压[V]
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
图6.栅极电荷特性
10
V
DS
= 100V
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
8
600
电容[ pF的]
C
国际空间站
6
400
*注意:
1. V
GS
= 0V
2, F = 1MHz的
C
OSS
4
200
C
RSS
2
*注:我
D
= 3.9A
0
0.1
0
1
10
V
DS
,漏源电压[V]
30
0
2
4
6
8
Q
g
,总栅极电荷[ NC ]
10
2012仙童半导体公司
FDPF5N50NZU版本C0
3
www.fairchildsemi.com
FDPF5N50NZU N沟道的UniFET
TM
II超FRFET
TM
MOSFET
典型性能特性
(续)
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.15
BV
DSS
, [归]
漏源击穿电压
图8.最大安全工作区
与外壳温度, FDPF5N50NZU
1.10
I
D
,漏电流[ A]
10
1
100
s
1毫秒
10毫秒
1.05
10
0
100毫秒
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
DC
1.00
10
-1
0.95
*注意:
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
A
?注意事项:
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-2
0.90
-75 -50
10
0
10
1
10
2
10
3
0
50
100
o
T
J
,结温
[
C
]
150
V
DS
,漏源电压[V]
图9.最大漏极电流
5
4
I
D
,漏电流[ A]
3
2
1
0
25
50
75
100
T
C
,外壳温度[C]
o
125
150
图10.瞬态热响应曲线, FDPF5N50NZU
D = 0 .5
Z
JC
(T ) ,热响应
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
P
DM
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
t
1
t
2
N 2 O TE S:
o
1 . Z
J·C
( T)= 4 0.1 C / W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R,D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
J·C
(t)
S IN克乐P ü LS ê
10
-2
10
-5
t
1 ,S之四重W上的已经P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2012仙童半导体公司
FDPF5N50NZU版本C0
4
www.fairchildsemi.com
FDPF5N50NZU N沟道的UniFET
TM
II超FRFET
TM
MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
2012仙童半导体公司
FDPF5N50NZU版本C0
5
www.fairchildsemi.com
查看更多FDPF5N50NZUPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FDPF5N50NZU
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
FDPF5N50NZU
FAIRCHILD/仙童
22+
33000
全新百分百进口正品原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004264855 复制

电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
FDPF5N50NZU
FAIRCHILD/仙童
24+
30000
原装正品,可含税供应。品质保障
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
FDPF5N50NZU
onsemi
24+
10000
TO-220F-3
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
FDPF5N50NZU
Fairchild Semiconductor
24+
10000
TO-220F-3
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
FDPF5N50NZU
FAIRCHILD/仙童
2443+
23000
TO-220F
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
FDPF5N50NZU
onsemi
24+
25000
TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
FDPF5N50NZU
VB
25+23+
35500
TO-220F
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
FDPF5N50NZU
Fairchild
22+
3274
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
FDPF5N50NZU
FSC
2024+
9675
TO-220AB
优势现货,全新原装进口
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
FDPF5N50NZU
Fairchild Semiconductor
24+
22000
656¥/片,原装正品假一赔百!
查询更多FDPF5N50NZU供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!