FDP55N06 / FDPF55N06 60V N沟道MOSFET
的UniFET
FDP55N06/FDPF55N06
60V N沟道MOSFET
特点
55A ， 60V ，R
DS （ ON）
= 0.022
@V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的30 NC）
低的Crss （典型值60 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
TM
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品
条纹， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关电源，有源功率因数
基于半桥校正，电子镇流器
拓扑结构。
D
G
g DS的
TO-220
FDP系列
GD S
TO-220F
FDPF系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FDP55N06
60
55
34.8
220
±
25
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
FDPF55N06
55 *
34.8 *
220 *
480
55
11.4
4.5
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
114
0.9
-55到+150
300
48
0.4
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，凯斯到水槽典型。
热阻，结到环境
FDP55N06
1.1
0.5
62.5
FDPF55N06
2.58
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDP55N06 / FDPF55N06版本A
FDP55N06 / FDPF55N06 60V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDP55N06
FDPF55N06
设备
FDP55N06
FDPF55N06
包
TO-220
TO-220F
T
C
= 25 ° C除非另有说明
带尺寸
胶带宽度
QUANTITY
50
50
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V ，T
C
= 150°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.5 A
V
DS
= 25 V，I
D
= 27.5 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
（注4 ）
民
60
--
--
--
--
--
2.0
--
--
--
--
--
典型值
--
0.05
--
--
--
--
--
0.018
33
1160
375
60
最大单位
--
--
1
10
100
-100
4.0
0.022
--
1510
490
90
V
V /°C的
A
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
基本特征
动态特性
开关特性
V
DD
= 30 V，I
D
= 55 A,
R
G
= 25
--
--
--
（注4,5）
30
130
70
95
30
6.5
7.5
--
--
--
40
55
65
265
150
195
37
--
--
--
--
--
V
DS
= 48 V，I
D
= 55A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
--
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 55 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 55 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
55
220
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 5.6mH ，我
AS
= 55A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
55A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
FDP55N06 / FDPF55N06版本A
2
www.fairchildsemi.com
FDP55N06 / FDPF55N06 60V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
图2.传输特性
V
GS
10
2
上图：
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
10
2
150 C
o
10
1
10
1
25 C
o
-55 C
o
10
0
*注意：
1. 250
s脉冲测试
o
2. T
C
= 25 C
-1
*注意：
1. V
DS
= 30V
2. 250
s脉冲测试
10
10
0
10
1
10
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
0.05
10
2
R
DS （ ON）
[O ],
漏源导通电阻
0.04
I
DR
，反向漏电流[ A]
0.03
10
1
150 C
o
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
0.02
*注：t
J
= 25 C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
o
25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
2500
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
2000
图6.栅极电荷特性
12
V
GS
，栅源电压[V]
C
OSS
C
国际空间站
C
RSS
= C
gd
10
电容[ pF的]
8
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
1500
6
1000
*注意：
1. V
GS
= 0 V
4
500
C
RSS
2. F = 1 MHz的
2
*注：我
D
= 55A
0
0
5
10
15
20
25
30
0
-1
10
10
0
10
1
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
FDP55N06 / FDPF55N06版本A
3
www.fairchildsemi.com
FDP55N06 / FDPF55N06 60V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
3.0
图8.导通电阻变化
与温度的关系
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 27.5 A
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9-1 。最大安全工作区
对于FDP55N06
10
3
图9-2 。最大安全工作区
对于FDPF55N06
10
3
10
s
10
2
10
s
10
2
100
s
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
I
D
，漏电流[ A]
10
1
DC
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10毫秒
10
1
DC
10
0
10
0
10
-1
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-1
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
0
10
1
10
2
V
DS
，漏源电压[V]
V
DS
，漏源电压[V]
图10.最大漏极电流与外壳温度
60
50
I
D
，漏电流[ A]
40
30
20
10
0
25
50
75
100
o
125
150
T
C
，外壳温度[C]
FDP55N06 / FDPF55N06版本A
4
www.fairchildsemi.com
FDP55N06 / FDPF55N06 60V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图11-1 。瞬态热响应曲线FDP55N06
10
0
（T ） ，热响应
D=0.5
0.2
-1
10
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
*注意：
o
1. Z
？ JC
（ T） = 1.1 ℃/女男斧头。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
?
10
-2
JC
Z
?
JC
10
-2
(t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-1
10
0
10
1
t
1
，广场W AVE脉冲持续时间[秒]
图11-2 。瞬态热响应曲线FDPF55N06
D =0.5
（T ） ，热响应
10
0
0.2
0.1
10
-1
0.05
0.02
0.01
* N OTES ：
o
1. Z
？ JC
（ T） = 2.58 ℃/女男斧头。
2。D UTY F演员，D = T
1
/t
2
Z
?
JC
10
-2
单脉冲
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
?
JC
(t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
， S Q uare W AVE P ulse uration [秒]
FDP55N06 / FDPF55N06版本A
5
www.fairchildsemi.com
QQ：2880707522 复制
