FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ N沟道MOSFET
FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ
N沟道MOSFET
600V ， 3.8A ， 2.5Ω
特点
R
DS （ ON）
= 1.9Ω （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 1.9A
低栅极电荷（典型值8.3nC ）
低C
RSS
（典型值3.7pF ）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
ESD性能改进
符合RoHS
的UniFET -II
TM
2011年12月
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品
条纹， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
摹 S
TO-220
FDP系列
GD S
TO-220F
FDPF系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
参数
FDP4N60NZ FDPF4N60NZ
600
±25
o
单位
V
V
- 连续（T
C
= 25 C)
- 连续（T
C
= 100 C)
- 脉冲
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
o
3.8
2.3
15
223.8
3.8
8.9
10
89
0.71
3.8*
2.3*
15*
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
28
0.22
-55到+150
300
W
W/
o
C
o
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，案例典型下沉
热阻，结到环境
1
FDP4N60NZ FDPF4N60NZ
1.4
0.5
62.5
62.5
4.5
单位
o
C / W
2011仙童半导体公司
FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ Rev.C0
www.fairchildsemi.com
FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDP4N60NZ
FDPF4N60NZ
设备
FDP4N60NZ
FDPF4N60NZ
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
胶带宽度
QUANTITY
50
50
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
C
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125
o
C
V
GS
= ±25V, V
DS
= 0V
600
-
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
-
1
10
±10
V
V/
o
C
μA
μA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.9A
V
DS
= 20V ，我
D
= 1.9A
（注4 ）
3.0
-
-
-
1.9
3.3
5.0
2.5
-
V
Ω
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 480V我
D
= 3.8A
V
GS
= 10V
（注4,5）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
385
40
3.7
8.3
2.1
3.3
510
60
5
10.8
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 300V ，我
D
= 3.8A
R
G
= 25Ω
（注4,5）
-
-
-
-
12.7
15.1
30.2
12.8
35.4
40.2
70.4
35.6
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 3.8A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 3.8A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
168
0.7
3.8
15
1.4
-
-
A
A
V
ns
μC
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 31mH ，我
AS
= 3.8A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
3.8A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，双循环
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ Rev.C0
2
www.fairchildsemi.com
FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
20
10
V
GS
= 10.0V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
图2.传输特性
10
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
μ
s脉冲测试
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
1
150 C
o
1
25 C
o
o
-55 C
0.1
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
0.02
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0.1
2
4
6
V
GS
，栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
4.5
4.0
3.5
3.0
V
GS
= 10V
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
40
R
DS （ ON）
[
Ω
]
,
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
10
150 C
o
25 C
o
1
2.5
V
GS
= 20V
2.0
1.5
0.0
*注：t
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
1.5
3.0
4.5
6.0
I
D
，漏电流[ A]
7.5
9.0
0.1
0.0
2. 250
μ
s脉冲测试
0.4
0.8
1.2
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.6
图5.电容特性
700
V
GS
，栅源电压[V]
图6.栅极电荷特性
10
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
C
国际空间站
8
电容[ pF的]
100
6
C
OSS
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
4
10
2
*注：我
D
= 3.8A
C
RSS
1
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
9.0
FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ Rev.C0
3
www.fairchildsemi.com
FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 1.9A
1.1
1.0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
图9.最高安全工作区
与外壳温度
30
10
μ
s
图10.最大漏极电流
4
V
GS
= 10V
10
I
D
，漏电流[ A]
100
μ
s
1ms
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10ms
DC
I
D
，漏电流[ A]
3
2
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
1
R
θ
JC
= 4.5 C / W
o
0.01
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1000
0
25
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度
[
C
]
150
图11.非钳位感应
交换能力
5
I
AS
，雪崩电流（ A）
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
1
0.01
0.1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
1
FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ Rev.C0
4
www.fairchildsemi.com
FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图12.瞬态热响应曲线
5
热响应
[
Z
θ
JC
]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
0.1
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 4.5 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
o
0.01
-5
10
10
-4
10
10
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
-1
10
10
2
FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ Rev.C0
5
www.fairchildsemi.com
QQ：2881677436 复制
