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FDPF320N06L N沟道

的PowerTrench

MOSFET

2010年12月

FDPF320N06L

N沟道

的PowerTrench

MOSFET

60V ， 21A ， 25MΩ

特点

R

DS （ ON）

= 20MΩ （典型值） @ V

GS

= 10V ，我

D

= 21A

R

DS （ ON）

= 23mΩ （典型值） @ V

GS

= 5V ，我

D

= 17A

低栅极电荷（典型值23.2nC ）

低C

RSS

（典型值64pF ）

快速开关

100 ％雪崩测试

改进dv / dt能力

符合RoHS

描述

这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产

这一直是安森美半导体的前进的PowerTrench工艺

特别是针对减少通态电阻，但

保持出色的开关性能。

应用

直流到直流转换器/同步整流

D

G

GC ê

TO-220F

（可伸缩）

S

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25

o

C除非另有说明*

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

E

AS

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流

单脉冲雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功耗

(T

C

=

25

o

C)

o

参数

FDPF320N06L

60

±20

25

o

C)

o

单位

V

V

A

A

mJ

V / ns的

W

W/

o

C

o

o

- 连续（T

C

=

- 脉冲

21

15

（注1 ）

（注2 ）

（注3）

84

66

6.0

26

0.17

-55到+175

300

- 连续（T

C

= 100 C)

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

C

C

*漏电流受最高结温

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

FDPF320N06L

5.8

62.5

单位

o

C / W

2010仙童半导体公司

FDPF320N06L牧师A4

1

www.fairchildsemi.com

FDPF320N06L N沟道

的PowerTrench

MOSFET

包装标志和订购信息

器件标识

FDPF320N06L

设备

FDPF320N06L

包

TO-220F

带尺寸

-

胶带宽度

-

QUANTITY

50

电气特性

T

C

= 25

o

C除非另有说明

符号

参数

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

ΔT

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门到身体漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

I

D

= 250μA ，参考25

o

C

V

DS

= 48V, V

GS

= 0V

V

DS

= 48V ，T

C

=

150

o

C

V

GS

= ±20V, V

DS

= 0V

60

-

-

-

-

-

0.04

-

-

-

-

-

1

500

±100

V

V/

o

C

μA

μA

基本特征

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

栅极阈值电压

静态漏极至源极导通电阻

正向跨导

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250μA

V

GS

= 10V ，我

D

= 21A

V

GS

= 5V ，我

D

= 17A

V

DS

= 10V ，我

D

= 21A

（注4 ）

1.0

-

-

-

-

20

23

34

2.5

25

38

-

V

mΩ

mΩ

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷，在10V

总栅极电荷为5V

门源栅极电荷

栅漏“米勒”充电

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V

F = 1MHz的

V

GS

= 10V

V

GS

= 5V

V

DS

= 48V

I

D

= 21A

-

-

-

-

-

-

-

1105

115

64

23.2

12.7

3.4

6.3

1470

150

-

30.2

16.5

-

-

pF

pF

pF

nC

nC

nC

nC

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

ESR

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

等效串联电阻（G -S）

V

DD

= 30V ，我

D

= 21A

V

GS

= 5V ，R

根

= 4.7Ω

（注4,5）

-

-

-

-

-

16

34

27

8

2

42

78

64

26

-

ns

ns

ns

ns

Ω

漏源二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

最大连续漏极至源极二极管的正向电流

最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流

漏极至源极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0V时，我

SD

= 21A

V

GS

= 0V时，我

SD

= 21A ，V

DD

= 48V

dI

F

/ DT = 100A / μs的

（注4 ）

-

-

-

-

-

-

-

-

27

23

21

84

1.3

-

-

A

A

V

ns

nC

注意事项：

1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 1MH ，我

AS

= 11.5A ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

21A ， di / dt的

≤

200A / μs的，V

DD

≤

BV

DSS

，起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，双循环

≤

2%

5.基本上是独立的工作温度典型特征

FDPF320N06L牧师A4

2

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FDPF320N06L N沟道

的PowerTrench

MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

200

100

I

D

，漏电流[ A]

V

GS

= 15.0V

10.0V

8.0V

5.0V

4.0V

3.5V

3.0V

图2.传输特性

100

*注意：

1. V

DS

= 10V

2. 250

μ

s脉冲测试

I

D

，漏电流[ A]

175 C

o

10

o

25 C

-55 C

o

10

*注意：

1. 250

μ

s脉冲测试

2. T

C

= 25 C

o

2

0.1

1

1

V

DS

，漏源电压[V]

4

1

2

3

4

V

GS

，栅源电压[V]

5

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

0.04

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

100

R

DS （ ON）

[

Ω

]

,

漏源导通电阻

0.03

I

S

，反向漏电流[ A]

175 C

o

25 C

o

10

V

GS

= 10V

0.02

V

GS

= 20V

0.01

0

20

*注：t

C

= 25 C

o

*注意：

1. V

GS

= 0V

40

60

I

D

，漏电流[ A]

80

100

1

0.0

2. 250

μ

s脉冲测试

0.5

1.0

V

SD

，体二极管正向电压[ V]

1.5

图5.电容特性

4000

V

GS

，栅源电压[V]

西塞=的Cgs + Cgd的

(

CDS =短路

)

COSS =硫化镉+ Cgd的

CRSS = Cgd的

图6.栅极电荷特性

10

V

DS

= 12V

V

DS

= 30V

V

DS

= 48V

8

电容[ pF的]

1000

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

6

*注意：

1. V

GS

= 0V

2， F = 1MHz的

4

100

2

*注：我

D

= 21A

40

0.1

0

1

10

V

DS

，漏源电压[V]

60

0

4

8

12

16

20

Q

g

，总栅极电荷[ NC ]

24

FDPF320N06L牧师A4

3

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FDPF320N06L N沟道

的PowerTrench

MOSFET

典型性能特性

（续）

图7.击穿电压变化

与温度的关系

1.2

BV

DSS

， [归]

漏源击穿电压

图8.导通电阻变化

与温度的关系

3.0

R

DS （ ON）

， [归]

漏源导通电阻

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-100

*注意：

1. V

GS

= 10V

2. I

D

= 21A

1.1

1.0

0.9

*注意：

1. V

GS

= 0V

2. I

D

= 250

μ

A

0.8

-100

-50

0

50

100

150

o

T

J

，结温

[

C

]

200

-50

0

50

100

150

o

T

J

，结温

[

C

]

200

图9.最高安全工作区

与外壳温度

300

100

I

D

，漏电流[ A]

100

μ

s

图10.最大漏极电流

24

I

D

,

漏电流[ A]

18

V

GS

= 10 V

10

1ms

10ms

100ms

DC

1

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

*注意：

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 175 C

3.单脉冲

o

o

12

V

GS

= 5 V

0.1

6

o

R

θ

JC

= 5.8 C / W

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏源电压[V]

100

0

25

50

75

100

125

T

C

,

外壳温度

[

C

]

o

150

175

图11.瞬态热响应曲线

8

热响应

[

Z

θ

JC

]

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

1

P

DM

t

1

t

2

0.1

0.01

*注意：

单脉冲

1. Z

θ

JC

（ T） = 5.8 ℃/ W（最大值）。

2.占空比，D = T

1

/t

2

3. T

JM

- T

C

= P

DM

* Z

θ

JC

(t)

o

0.01

-5

10

10

-4

10

10

10

1

矩形脉冲持续时间（秒）

-3

-2

-1

10

100

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栅极电荷测试电路波形&

电阻开关测试电路波形&

非钳位感应开关测试电路波形&

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