FDP20N50F / FDPF20N50FT N沟道的UniFET
TM
FRFET
MOSFET
2013年3月
FDP20N50F / FDPF20N50FT
500 V ， 20 A ， 260 m
特点
R
DS （ ON）
= 210 m （典型值） @ V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
低栅极电荷（典型值50 NC ）
低C
RSS
（典型值27 pF的）
100 ％雪崩Aested
改进dv / dt能力
符合RoHS
N沟道的UniFET
TM
FRFET
MOSFET
描述
的UniFET
TM
MOSFET是飞兆半导体
的高电压
MOSFET系列基于平面条形和DMOS技术。
这种MOSFET被定制，以减少通态电阻，并
提供更好的开关性能和更高的雪崩
能源强度。体二极管的反向恢复性能
的UniFET FRFET的
MOSFET得到了加强一生
控制权。它的T
rr
是小于100ns和反向dv / dt的免疫
无穷大是15V / ns的同时，正常的平面MOSFET的过200nsec
和4.5V /纳秒分别。因此，可以去除附加的
在某些应用中部件和提高系统的可靠性
在其中的MOSFET的体二极管的性能是显著。
该系列器件适用于开关电源转换器的应用程序
阳离子如功率因数校正（PFC） ，平板显示
（ FPD ）电视电源， ATX和电子镇流器。
应用
LCD / LED /等离子电视
- 照明
·不间断电源
AC- DC电源供应器
D
G
D
S
G
TO-220
G
D
S
TO-220F
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
o
参数
FDP20N50F
FDPF20N50FT
500
±30
20*
12.9*
80*
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
- 连续（T
C
= 25
o
C)
- 连续（T
C
=
- 脉冲
20
12.9
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
250
80
1110
20
25
20
100
o
C)
38.5
0.3
-55到+150
300
W
W/
o
C
o
o
- 减免上述25℃
o
2.0
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳，马克斯。
热电阻，凯斯下沉，典型值。
热阻，结到环境，马克斯。
1
FDP20N50F
0.5
0.5
62.5
FDPF20N50FT
3.3
-
62.5
单位
o
C / W
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FRFET
MOSFET
包装标志和订购信息
T
C
= 25
o
C除非另有说明
器件标识
FDP20N50F
FDPF20N50FT
设备
FDP20N50F
FDPF20N50FT
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V ，T
C
=
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
125
o
C
500
-
-
-
-
-
0.7
-
-
-
-
-
10
100
±100
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
DS
= 20V ，我
D
= 10A
3.0
-
-
-
0.22
25
5.0
0.26
-
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 400V ，我
D
= 20A
V
GS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
（注4 ）
2550
350
27
50
14
20
3390
465
40
65
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
-
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 250V ，我
D
= 20A
R
G
= 25
（注4 ）
-
-
-
-
45
120
100
60
100
250
210
130
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 20A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 20A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
154
0.5
20
80
1.5
-
-
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 5mH ，我
AS
= 20A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25C
3. I
SD
20A,
的di / dt
200A / μs的，V
DD
BV
DSS
，起始物为
J
= 25C
4.基本上是独立的工作温度典型特征
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MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
80
V
GS
=
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
图2.传输特性
100
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
150 C
25 C
o
o
10
10
1
*注意：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
0.3
0.1
1
10
20
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
s脉冲测试
1
V
DS
，漏源电压[V]
4
5
6
7
V
GS
，栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.5
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
400
R
DS （ ON）
[
]
,
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
0.4
100
150 C
25 C
o
o
0.3
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
10
0.2
0.1
*注：t
J
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
0
25
50
I
D
，漏电流[ A]
75
1
0.0
2. 250
s脉冲测试
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
2.5
图5.电容特性
6000
C
OSS
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 100V
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
4500
电容[ pF的]
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
8
6
3000
C
国际空间站
4
1500
C
RSS
2
*注：我
D
= 20A
0
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
50
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
60
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MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
图8.最大安全工作区
- FDP20N50F
200
100
1.1
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
DC
I
D
，漏电流[ A]
10
1.0
1
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 1毫安
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.8
-100
0.01
200
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
800
图9.最高安全工作区
- FDPF20N50FT
200
100
40
s
100
s
图10.最大漏极电流
与外壳温度
25
I
D
，漏电流[ A]
20
I
D
，漏电流[ A]
800
10
1ms
10ms
15
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
10
0.1
DC
5
0.01
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
0
25
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度
[
C
]
150
图11.瞬态热响应曲线 - FDP20N50F
1
热响应
[
Z
JC
]
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
P
DM
P
D
M
t
1
t
2
t
1
t
2
o
0.01
0.01
单脉冲
*注意：
1. Z
JC
（吨） = 0.5℃ / W的最大值。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
JC
(t)
0.002
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
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MOSFET
典型性能特性
（续）
图12.瞬态热响应曲线 - FDPF20N50FT
5
热响应
[
Z
JC
]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
o
0.1
0.02
0.01
单脉冲
*注意：
1. Z
JC
（ T） = 3.3 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
JC
(t)
0.01
-4
10
10
-3
10
10
10
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-2
-1
0
1
10
2
10
3
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